【課題】パターンのエッジの幅及び傾斜角を高精度に測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを試料表面の観察領域で走査させ、電子ビームの照射によって試料の表面から放出された二次電子を、電子ビームの光軸の周りに配置された複数の電子検出器で検出するパターン測定装置において、パターン６１の延在方向に直交し、かつ光軸を挟んで対向する２方向からの画像を取得する。そして、それらの画像から、エッジと直交するライン上のプロファイルＬ６，Ｌ７を抽出し、それらの差分を取った差分プロファイルＬ８を求める。その差分プロファイルＬ８の立下り部分Ｒ２，Ｒ３に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの上端を検出し、ラインプロファイルＬ６、Ｌ７の立ち上がり部分Ｒ１又は立下り部分Ｒ４に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの下端の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】
パターン直上から撮像されたＳＥＭ画像を用いる計測で、レジスト膜減りなどのパターン高さ変化が発生しても、その断面形状を正確に計測できるようにする。
【解決手段】
荷電粒子線装置を用いて試料上に形成されたパターンの形状を計測する方法において、収束させた荷電粒子線を試料上に照射して走査することにより試料から発生する二次荷電粒子を検出して試料表面に形成されたパターンの荷電粒子線画像を取得し、予め求めておいたパターンの高さとこのパターンの荷電粒子線画像の情報との関係に基づいて取得したパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの高さ情報を求め、この求めたパターンの高さ情報を用いてパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの寸法を算出するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体回路原版として用いるマスクのパターン寸法を計測する際に、パターンの寸法とともに側壁角度も同時に計測する。
【解決手段】基板表面から放出された二次電子を計数する機構に含まれる波高弁別器９において、一定時間間隔内に検出器に入った電子の個数の計数量を制限することによって、ＳＥＭ画像のパターン側壁に生じるホワイトバンドの幅とパターン側壁角度の相関関係を強調することができ、予め求めたパターン側壁角度とホワイトバンドの幅の相関関係からパターン側壁角度を非破壊で計測することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンの輝度の影響を受けることなく、ラインパターンとスペースパターンを容易に識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。
【解決手段】パターン測定装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、電子ビームの光軸を挟んで設置された第１の電子検出手段及び第２の電子検出手段と、パターンの画像データを生成する画像処理手段と、パターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成手段と、第１の電子検出手段で検出された信号と第２の電子検出手段で検出された信号との差分に対応する電子量を基に画像処理手段にパターンの画像データを生成させる制御手段を有する。制御手段は、第１の電子検出手段で検出された信号と第２の電子検出手段で検出された信号との差分を基に作成されたラインプロファイルによりパターンの立下り又は立上りを判定し、ラインの線幅を測定するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】高感度でかつ測定誤差の小さい側壁角度を非破壊で算出可能な荷電ビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明の荷電ビーム装置は、荷電ビームを試料に対して斜め入射させて得られたＳＥＭ画像により得られる生のＳＥＭ輝度値プロファイルを移動平均フィルタを用いて生のＳＥＭ輝度値プロファイル信号に含まれているノイズを除去した後、ノイズが除去されたＳＥＭ輝度値プロファイル信号を微分してその微分波形Ｐｗの最大値Ｐｗｍａｘと最小値Ｐｗｍｉｎとを取得し、最大値に対応する電子線の走査方向のピクセルの座標点と微分波形の最小値に対応する電子ビームの走査方向のピクセルの座標点との差に基づきピーク幅ｗ４を求め、実際に測定により求めた側壁部の傾斜角度とピーク幅との関係に基づき得られた換算係数と、ピーク幅ｗ４とに基づき側壁部の傾斜角度を求める。 （もっと読む）

【課題】異なるピッチの周期的構造を持つ基板について、高精度かつ効率的な形状計測を可能とする基板計測方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態の基板計測方法によれば、第１のピッチで形成された第１の周期的構造と、第１のピッチより小さい第２のピッチで形成された第２の周期的構造と、を含む計測対象について、シミュレーションにより、第１の周期的構造についての散乱プロファイルと、第２の周期的構造についての散乱プロファイルと、が算出される。第１の周期的構造及び第２の周期的構造から散乱した電磁波の検出により実測した散乱プロファイルから、第１の周期的構造による散乱プロファイルが抽出される。第１の周期的構造及び第２の周期的構造について実測した散乱プロファイルと、第１の周期的構造について抽出された散乱プロファイルとの差分が、第２の周期的構造による散乱プロファイルとして算出される。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによって得られたパターン画像のボケを除去し、ＡＦＭなどの他の計測機で得られたパターンの高さ方向の情報と合わせ、試料表面のパターンの３次元形状を簡便にかつ精度良く計測する方法を提供する。
【解決手段】試料表面のパターンに収束させた電子ビームを照射して走査し、ＳＥＭ画像を取得し、前記ＳＥＭ画像から作成したＳＥＭ画像のコントラスト形状と、１次電子ビームの強度分布とから、デコンボリューション操作により前記パターンの２次電子の発生効率を算出し、予め走査型プローブ顕微鏡で前記パターンの形状を計測して得た深さ方向の情報を基に予測した前記パターンの２次電子の発生効率とを用い、前記各々の２次電子の発生効率を比較照合し、前記パターンの三次元形状を求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
パターンの形状や試料特性に応じて，高速・高性能な画質改善処理を行う。
【解決手段】設計データや，設計データ上の各領域に対応する試料特性情報を用いて画質改善処理を行うことにより，画像上の個々の領域に対応する試料特性に応じて適切な画質改善処理を施し，画像上の領域分割を高速に行うといった処理を可能とする。さらに，設計データと対応する画像情報を保存したデータベースを利用することにより，類似した設計データにおいて過去に撮像した画像との差が大きい箇所を自動で強調する等の画質改善処理を可能とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的はパターンエッジの傾斜を評価するのに好適な試料測定方法、及び試料測定装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下にパターンエッジについて、複数の輪郭線を形成し、その輪郭線間の寸法を評価する方法、及び装置を提案する。このように複数の輪郭線を形成することによって、パターンのエッジ部分の傾斜の程度を評価することが可能となる。また、エッジ部分の傾斜の程度の評価値を、面内分布表示することによって、テーパーが形成される要因を特定することが容易になる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は，試料の実際のパターンエッジ端に即した輪郭線情報を出力する電子顕微鏡システムを提供することにある。
【解決手段】
電子顕微鏡像のパターンエッジの各点において，パターンエッジに対して接線方向に該電子顕微鏡像を投影して局所投影波形を生成し，各点で生成した局所投影波形を，予め作成しておいた，試料の断面形状と電子線信号波形とを関連づけるライブラリに当てはめることによって，試料上に転写されたパターンの断面形状を推定し，断面形状に則したエッジ端の位置座標を求め，この位置座標の連なりとしてパターンの輪郭線を出力する。 （もっと読む）

【課題】
電子線シミュレーションを利用した，ＳＥＭ画像によるパターン計測においては，シミュレーションの精度が非常に重要となる。シミュレーション画像と実画像のマッチングを行うためには，計測対象形状や材料を適切にモデル化し，シミュレーション画像に反映する必要がある。
【解決手段】
本発明では，ＳＥＭ画像やＡＦＭなど他の計測装置により得られた情報に基づいて，シミュレーションと実画像のマッチング計測の精度に与える影響が大きな形状や寸法を適切に設定したシミュレーション画像を用いることにより，高精度なパターン計測を実現するようにした。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体パターンやコンタクトホールの変形や側壁の傾斜のできばえを判定することができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成された回路パターンの画像をあらかじめ設定された条件で撮像する撮像手段、該撮像手段で撮像された画像と予め記憶された基準画像とを比較して撮像された画像の特徴量を算出する算出手段，該算出手段で算出された特徴量に基づいて、半導体ウェーハのできばえ評価を実行するコンピュータを備え、特徴量の算出は、２次電子画像，反射電子画像に関して独立に行われる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】
荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＥＭ等の走査型荷電粒子顕微鏡を用いた断面形状計測を１回のサンプル作成で複数の断面について行うことができるようにしたパターン寸法計測方法及びそのシステムを提供することにある。
【解決手段】走査型荷電粒子線顕微鏡を用いて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うパターンの計測方法であって、収束荷電粒子線の焦点位置を前記計測対象パターンの所望の断面に合せてｚ方向に対して順次変化させ、それぞれの焦点位置での前記計測対象パターンの透過電子画像若しくは散乱電子画像を取得し、それぞれの焦点位置で取得した透過電子画像若しくは散乱電子画像を処理して、該それぞれの焦点位置での電子画像内での計測対象パターンのエッジ位置を算出し、該算出されたそれぞれの焦点位置での電子画像内の計測対象パターンのエッジ位置とそれぞれの焦点位置との組み合わせに基づいて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】測長ＳＥＭの装置特性を電子線シミュレーションに反映させることで、電子線シミュレーションを用いた計測手法の安定化、高速化、高精度化をはかる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、予め、装置特性と画像取得条件とを反映した電子線シミュレーションを様々な対象パターン形状について行ってＳＥＭ模擬波形を生成し、該生成されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報との組合せをライブラリとして記憶しておくライブラリ作成過程と、取得した実電子顕微鏡画像と前記ＳＥＭ模擬波形とを比較して前記実電子顕微鏡画像と最も一致度の高い前記ＳＥＭ模擬波形を選択し、該選択されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報から計測対象パターンの形状を推定する計測過程とを有する測長ＳＥＭを用いた計測対象パターンの計測方法。 （もっと読む）

【課題】
いかなるタイプのパターンであっても、その断面形状を順テーパから逆テーパまで、非破壊的に、正確かつ定量的に計測し得るパターン測定技術を提供する。
【解決手段】
走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から反射電子ないしは２次電子強度の分布を処理し、エッジ近傍を表わす領域の形状を数値化しそれらの結果からテーパ傾向を算出する。走査型顕微鏡で得られた上空写真の画像データから、パターンエッジ近傍の領域の形状を数値化することによって断面形状のテーパ傾向を評価する。上空観察結果のみから逆テーパ、垂直、順テーパなどのエッジの傾向を評価することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において，被評価パターンの断面形状，あるいは被評価パターンのプロセス条件，あるいは被評価パターンのデバイス特性を，パターンを非破壊で計測可能にする。
【解決手段】
露光プロセス，あるいはエッチングプロセスにおいて，被評価パターンのSEM像から，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を推定するのに有効な画像特徴量を算出し，前記画像特徴量を予めデータベースに保存しておいたパターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前期パターンのデバイス特性とSEM像から算出した前記画像特徴量とを関連づける学習データに照合することにより，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を算出する。 （もっと読む）

【課題】
非破壊でエッチング後パターンの立体形状を定量的に評価する方法がなかった
。このため、エッチング条件出しに多くの時間とコストがかかっていた。また、
従来の寸法測定のみでは、立体形状の異常を検知することができず、エッチング
プロセス制御が困難であった。
【解決手段】
ＳＥＭ画像の信号量変化を利用して、エッチング加工ステップに対応したパタ
ーンの立体形状情報を算出することにより、立体形状を定量的に評価する。また
、えられた立体形状情報に基づいて、エッチングプロセス条件出しやプロセス制
御を行う。
【効果】
非破壊で、エッチング後パターンの立体形状を定量的に評価することが可能と
なる。また、エッチングプロセスの条件出しの効率化がはかれる。さらに、エッ
チングプロセスの監視あるいは制御を行うことにより、安定なエッチングプロセ
スを実現できる。
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【課題】
設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】
上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図１に示すように、電子線を射出する電子線源１と、電子線源１から射出された電子線７を収束し、試料９に照射する電子光学系２と、電子線７が照射された試料９からの電子７ｄを受け取る検出部４と、試料９を支持する試料支持部３と、試料支持部３で支持された試料９に照射される電子線７と試料３とを相対的に傾斜させる試料傾斜部５（５ａ，５ｂ）と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部３で支持された少なくとも傾斜した２面を有する基準試料９ａから電子を受け取った検出部４からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した２面の画像と基準試料９ａの基準寸法とから、基準試料９ａの傾斜角度を求めるデータ処理部２０等とを備える。 （もっと読む）