【課題】パッケージ材料で封止した部品中の単結晶基板の反りを、部品を破壊することなくパッケージ材料越しに回折Ｘ線を用いて測定する。
【解決手段】Ｘ線検出器１を固定したまま、入射Ｘ線４の波数ベクトル８の方向から測定した試料ステージ６の回転角ωを変化させると、ブラッグ条件が満たされるとき、すなわち試料３０内のＳｉチップの照射領域の表面と入射Ｘ線４の波数ベクトル８とのなす角αがある特定の値をとるとき、Ｘ線の結晶回折が生じＸ線検出器１で回折Ｘ線９が検出される。ここで、試料３０は、プリント基板上にＳｉチップが搭載され、それらがモールドにより封止した構造である。Ｘ線検出器１は、モールド越しに回折Ｘ線９を検出し、ロッキング曲線を取得することができる。このロッキング曲線に基づいて、Ｓｉチップの反り測定ができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによって得られたパターン画像のボケを除去し、ＡＦＭなどの他の計測機で得られたパターンの高さ方向の情報と合わせ、試料表面のパターンの３次元形状を簡便にかつ精度良く計測する方法を提供する。
【解決手段】試料表面のパターンに収束させた電子ビームを照射して走査し、ＳＥＭ画像を取得し、前記ＳＥＭ画像から作成したＳＥＭ画像のコントラスト形状と、１次電子ビームの強度分布とから、デコンボリューション操作により前記パターンの２次電子の発生効率を算出し、予め走査型プローブ顕微鏡で前記パターンの形状を計測して得た深さ方向の情報を基に予測した前記パターンの２次電子の発生効率とを用い、前記各々の２次電子の発生効率を比較照合し、前記パターンの三次元形状を求めることを特徴とする。 （もっと読む）

本方法は機械的ワーク（１０）を断層撮影法によって測定するのに役立つ。本方法では前記ワーク（１０）と前記ワーク（１０）を透過する放射線（２４）とが徐々に相対移動される。前記ワーク（１０）と前記放射線（２４）との相互作用から前記ワーク（１０、１０’）の各移動位置において前記ワーク（１０、１０’）の２次元像（５０、５０’）が結像平面に生成され、前記２次元像（５０、５０’）から前記ワーク（１０）の３次元実像が算出される。前記ワーク（１０、１０’）の内部に存在する規則的な実構造体（１２、１２’）の、２つの異なる移動位置において生成される少なくとも２つの前記２次元像（５０、５０’）から前記２次元像（５０、５０’）内の高コントラストの移行部で点（５２ａ、５２ａ’、５２ｂ、５２ｂ’、５２ｃ、５２ｃ’）が検出され、前記点（５２ａ、５２ａ’、５２ｂ、５２ｂ’、５２ｃ、５２ｃ’）の位置から３次元等価体（６４）が判定され、前記等価体が所定の公称構造体と比較される。 （もっと読む）

【課題】対象物の断層像にアーチファクトがあっても、それに伴う誤差を生じることなく、正確にポリゴンデータを作成して対象物の３次元画像を正しく表示することのできる３次元画像化方法を提供する。
【解決手段】ＣＴ撮影等により得られた対象物の３次元濃度データを、あらかじめ設定されている一律のしきい値Ｓｔを用いてポリゴンデータを生成する前に、以下の修正を加えることで、アーチファクト等の影響をなくす。３次元濃度データから、仮のしきい値を用いて輪郭（境界）を抽出してその輪郭上の画素ａを順次選択し、その画素ａを通り対象物像の略法線方向の軸に沿い、その軸の周辺所定領域の画素の濃度値を積算して得られるプロファイルを作成して微分することによって当該プロファイルのピーク値を求め、そのピーク位置の濃度値Ｓｐと上記しきい値Ｓｔとの差を算出し、選択された画素ａと周辺の画素の濃度値を、しきい値Ｓｔに近づくように修正する。 （もっと読む）

【課題】
電子線シミュレーションを利用した，ＳＥＭ画像によるパターン計測においては，シミュレーションの精度が非常に重要となる。シミュレーション画像と実画像のマッチングを行うためには，計測対象形状や材料を適切にモデル化し，シミュレーション画像に反映する必要がある。
【解決手段】
本発明では，ＳＥＭ画像やＡＦＭなど他の計測装置により得られた情報に基づいて，シミュレーションと実画像のマッチング計測の精度に与える影響が大きな形状や寸法を適切に設定したシミュレーション画像を用いることにより，高精度なパターン計測を実現するようにした。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は，試料の実際のパターンエッジ端に即した輪郭線情報を出力する電子顕微鏡システムを提供することにある。
【解決手段】
電子顕微鏡像のパターンエッジの各点において，パターンエッジに対して接線方向に該電子顕微鏡像を投影して局所投影波形を生成し，各点で生成した局所投影波形を，予め作成しておいた，試料の断面形状と電子線信号波形とを関連づけるライブラリに当てはめることによって，試料上に転写されたパターンの断面形状を推定し，断面形状に則したエッジ端の位置座標を求め，この位置座標の連なりとしてパターンの輪郭線を出力する。 （もっと読む）

【課題】どのような多層プリント配線板の場合でも、その内層回路の状態を任意の角度から把握することが可能な非破壊検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】固定式Ｘ線発生器、固定式垂直透過Ｘ線検出器及び２Ｎ個以上（Ｎ≧１の整数）の可動式の傾斜透過Ｘ線検出器を用いてプリント配線板の内部回路構造を測定し、プリント配線板を透過したＸ線を、固定式垂直透過Ｘ線検出器及び２Ｎ個以上（Ｎ≧１の整数）の傾斜透過Ｘ線検出器を用いて検出し、この検出器で得られたＸ線強度を信号に変換し、この信号を用いて、当該プリント配線板が備える外層から内層に至るまでの回路形状を立体構造的に表示する測定方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ラフネスを考慮したサンプリングによる異種計測装置間のキャリブレーション方法及びそのシステムを提供する。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ装置を用いて被計測対象のＣＤ平均寸法及びラフネスを計測するＣＤ−ＳＥＭ計測過程と、該ＣＤ−ＳＥＭ計測過程において計測されるラフネスを統計処理してキャリブレーションに必要な断面計測点数を算出する断面計測点数算出過程と、該断面計測点数算出過程で算出された断面計測点数を満たすように前記被計測対象に対して断面計測装置を用いて断面計測を実施し、該実施された断面計測結果において指定された断面計測高さのＣＤ平均寸法を算出する断面計測過程と、前記ＣＤ−ＳＥＭ計測過程で計測された前記被計測対象のＣＤ平均寸法と前記断面計測過程において算出された被計測対象の断面計測高さのＣＤ平均寸法との差であるキャリブレーション補正値を算出する補正値算出過程とを有する。 （もっと読む）

【課題】対象物を適当な姿勢のもとに回転テーブル上に載せてＣＴ撮影を行っても、得られるＭＰＲ画像などの直交する３断層像上で比較的簡単な操作を行うことにより、対象物の基準面とＣＴ装置の直交３軸とを沿わせることができ、高精度の寸法・形状計測が可能なＸ線ＣＴ装置を提供する。
【解決手段】ＣＴデータを用いた直交３断層像上で、対象物Ｗの基準面ＳＲ１とすべき面に相当する境界を含む互いに異なる位置の３つ以上の３次元参照領域を設定することにより、その各３次元参照領域中で像の境界を求め、その境界上の代表点Ａ〜Ｃを決定し、これらの各代表点を通る平面を対象物Ｗの基準面を表す平面とし、その基準面の方向とＣＴ装置の直交３軸のうちの２軸の方向とが一致するように、ＣＴデータの配列方向もしくは直交３軸側をシフトすることで、基準面に直交する断層像などの表示を可能とする。 （もっと読む）

三次元目標物体の領域の画像を構築する画像データを提供する方法及び装置が開示される。本方法は、入射放射線を提供するステップと、少なくとも１つの検出器を介して、目標物体で散乱した放射線の強度を検出するステップと、目標物体に対して入射放射線を再位置決めするステップと、続けて、目標物体で散乱した放射線の強度を検出するステップと、３Ｄ物体の１つ又は複数の深さにおいて、入射放射線の少なくとも１つの特性の推定値を示すプローブ関数を求めるステップと、物体の１つ又は複数の領域の画像を、プローブ関数を使用して反復プロセスを介して構築することができる画像データを提供するステップとを含む。
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透過する放射線を使った計測対象の三次元画像の生成方法であって、特に多数の二次元投影画像を考慮した逆投影による方法において、計測対象は、計測装置の計測スペースにおいて透過する放射線により貫通され、その際透過する放射線は計測装置の放射源から発し、計測対象の投影画像の最初のセットが、計測装置の検出装置によって撮影され、その際投影画像は、放射源に対して相対的におよび／または検出装置に対して相対的に様々な計測対象の向きで撮影され、投影画像の最初のセットから、計測対象の最初の三次元画像が再構築され、最初の三次元画像は評価され、場合によっては評価の結果によって、計測対象の位置および／または向きが、放射源に対して相対的におよび／または検出装置に対して相対的に変更され、および／または評価の結果により計測装置の運転方法が、あとに続く計測対象の投影画像の撮影のために調節され、最初の三次元画像の評価の後に、計測対象の投影画像の第二のセットが計測装置の検出装置により撮影される方法に関する。
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【課題】
電子線照射に対する耐性が低い材料では，Ｓ／Ｎの良好な電子顕微鏡画像を得ることが難しい。これに対し，従来の画像平滑化処理を行うと，計測の安定性は向上するが，絶対値に対する計測誤差や感度が低下したり，立体形状情報の質が劣化したりという問題が生じる。
【解決手段】
計測対象パターンの寸法ばらつきを考慮して，信号波形が持つ立体形状情報を劣化させない画像平均化処理を行うことにより，計測安定性と精度および感度の向上を両立する。本発明により，高精度なパターン寸法および形状の計測と，それを用いた高感度な半導体製造プロセスの管理が実現できる。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＥＭ等の走査型荷電粒子顕微鏡を用いた断面形状計測を１回のサンプル作成で複数の断面について行うことができるようにしたパターン寸法計測方法及びそのシステムを提供することにある。
【解決手段】走査型荷電粒子線顕微鏡を用いて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うパターンの計測方法であって、収束荷電粒子線の焦点位置を前記計測対象パターンの所望の断面に合せてｚ方向に対して順次変化させ、それぞれの焦点位置での前記計測対象パターンの透過電子画像若しくは散乱電子画像を取得し、それぞれの焦点位置で取得した透過電子画像若しくは散乱電子画像を処理して、該それぞれの焦点位置での電子画像内での計測対象パターンのエッジ位置を算出し、該算出されたそれぞれの焦点位置での電子画像内の計測対象パターンのエッジ位置とそれぞれの焦点位置との組み合わせに基づいて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】人為的判断が入らず、条件により値が変わるなどの不正確さがなく、かつ磁性塗膜以外も適用可能な層厚さ測定方法及び層の界面平滑度の測定方法を提供する。
【解決手段】元素組成の異なる層を有する構造物における層厚さ測定方法であって、前記構造物の断面を作製する断面作製工程１と、前記断面の断面画像を取得する画像取得工程２と、前記取得した断面画像から画像輝度データを得る画像輝度データ取得工程３とを備えており、前記断面画像の厚さ方向において、前記断面画像の前記画像輝度データの変化率が極値となる位置を前記層の界面位置とし、前記界面位置に基づいて前記層の厚さを求める。 （もっと読む）

【課題】 高炉内にセンサを挿入することなく、炉外から、コークスと焼結鉱との層境界を連続的かつ安定的に、精度よく検出し、各層の厚みと降下速度を測定する。
【解決手段】 炉外上下方向に一定距離だけ離して２台の境界検出器１及び４を設置し、それぞれの検出器はマイクロ波送信機１０を有し、炉を構成する耐火物に向かってマイクロ波を送信し、挿入物２３の表面で反射或いは散乱したマイクロ波を、結像系１３を通じて結像させ、結像面内に並列に配置或いは面内を走査する機構を有するマイクロ波検出器アレイ１４及び距離識別・画像生成処理部１５で検出して画像化し、該画像を画像信号処理手段２で処理することによって層状の装入物境界を検出し、２台の検出結果の時系列データから装入物の降下速度と各層厚を測定することを特徴とする高炉炉内装入物の挙動検出装置である。 （もっと読む）

【課題】強度としては弱いものの、物質透過性が高い水平ミュオンを用いて精度よく構造物の内部構造情報を得る方法を提供する。
【解決手段】位置敏感検出手段１は、第１および第２前方位置敏感検出器複合体２，３と鉄等の金属部材４と後方位置敏感検出器複合体５とを具え、前記ミュオンのうち、天頂角50〜90°の範囲で地表に降り注ぐ水平ミュオンを用い、前記構造物の測定対象部を貫通して第１前方位置敏感検出器複合体２に到達する前方水平ミュオンによって、前方水平ミュオンが貫通する前記測定対象部内の経路を特定し、金属部材４を透過して後方位置敏感検出器複合体５に到達した前方水平ミュオンのうち、低エネルギー前方水平ミュオンだけをデータとして収集し、後方水平ミュオンの強度を測定した上で、前記低エネルギー前方水平ミュオンの強度と前記後方水平ミュオンの強度の比から、構造物の内部構造情報を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】測長ＳＥＭの装置特性を電子線シミュレーションに反映させることで、電子線シミュレーションを用いた計測手法の安定化、高速化、高精度化をはかる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、予め、装置特性と画像取得条件とを反映した電子線シミュレーションを様々な対象パターン形状について行ってＳＥＭ模擬波形を生成し、該生成されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報との組合せをライブラリとして記憶しておくライブラリ作成過程と、取得した実電子顕微鏡画像と前記ＳＥＭ模擬波形とを比較して前記実電子顕微鏡画像と最も一致度の高い前記ＳＥＭ模擬波形を選択し、該選択されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報から計測対象パターンの形状を推定する計測過程とを有する測長ＳＥＭを用いた計測対象パターンの計測方法。 （もっと読む）

【課題】 ケーブルの沿線方向の形状状態をより正確に測定するための形状状態測定方法、及びこれに用いるケーブルの形状状態測定システム、ケーブルの形状状態測定プログラム、ケーブル状態評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るケーブルの形状状態測定方法は、直交３方向をＸ，Ｙ，Ｚとするとき、沿線方向がＸ−Ｙ平面と交差するように配置された芯線における、Ｘ−Ｙ平面と平行かつＺ方向に所定間隔で並ぶ複数の芯線断面の断面形状を、Ｘ−Ｙ平面の２次元データとして取得する断面形状取得工程と、前記断面形状取得工程により取得される複数の前記断面形状の２次元データから、当該芯線の断面中心を前記複数の芯線断面それぞれについて特定し、前記ピッチ間隔に基づいて、前記複数の芯線断面における前記断面中心を３次元座標値として取得する断面中心座標値取得工程と、前記断面中心座標値取得工程により得られる断面中心の３次元座標値に基づいて、沿線方向の形状状態を数値として出力する形状状態出力工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板上に金属層を堆積させる方法および基板のトポグラフィカルフィーチャを３次元で測定するための方法の提供。
【解決手段】前駆体ガスは、直径約0.7mmのガス噴射システムの管状ノズル５０を用いてサンプル上方に導入される。約8×10¹⁷mol/cm²sのガス流が用いられる。図２に例示される実施形態においては、２つのノズル５０および６０が存在し、２種類の異なる前駆体ガス５５、６５が基板上方に導入される。対象となる領域を走査する走査電子顕微鏡の電子ビーム７０は、前駆体ガス５５、６５を活性化させるために用いられ、この結果、選択された領域４０の基板のトポグラフィカルフィーチャ上に金属層が堆積される。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において，被評価パターンの断面形状，あるいは被評価パターンのプロセス条件，あるいは被評価パターンのデバイス特性を，パターンを非破壊で計測可能にする。
【解決手段】
露光プロセス，あるいはエッチングプロセスにおいて，被評価パターンのSEM像から，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を推定するのに有効な画像特徴量を算出し，前記画像特徴量を予めデータベースに保存しておいたパターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前期パターンのデバイス特性とSEM像から算出した前記画像特徴量とを関連づける学習データに照合することにより，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を算出する。 （もっと読む）