【課題】
各種のパターンに対応する計測方法については開示されておらず、特に計測対象パターンの両辺が直線乃至は曲線で構成され、両辺が非平行なパターンの計測方法についての開示はない。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成されたパターンを撮像し、撮像画像に基づいてパターン寸法を計測する方法であって、画像上のパターンの両側のエッジ位置を特定するステップと、パターンの第１のエッジ上にある第１の点と、その反対側のエッジである第２のエッジ上にある第２の点において、該第１の点と該第２の点を結ぶ線分と、該第１の点における該第１エッジの第１の接線と、該第２の点における該第２エッジの第２の接線に基づいて計測を行うステップと、該線分の距離を計測するステップを有することを特徴とする半導体パターン計測方法である。 （もっと読む）

【課題】パターンの線幅を精度よく測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】試料の設計データ３０を参照して、設計データ３０上のパターンのエッジの段差がない部分に測定領域３５を設定するとともに、その設計データ３０から特徴部としてエッジ３６ｃ、３６ｄを検出する。また、二次電子像４０から、設計データ３０の特徴部に対応する特徴部としてエッジ４６ｃ、４６ｄを検出する。そして、設計データ３０のエッジ３６ｃ、３６ｄと、二次電子像のエッジ４６ｃ、４６ｄとの位置関係に基づいて測定領域３５を二次電子像４０上に位置合わせして配置する。このようにして配置された測定領域４５内のエッジ間の距離に基づいてパターンの幅を測定する。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェーハ上のパターン寸法を計測する方法において、ユーザは計測手法を選定する際に、任意のパターン形状を目視しただけではその適用可否を判断することは難しく、自動で計測手法を選択する場合は、測定対象のパターン形状に適した手法が選定されないことがある。
【解決手段】
電子線により撮像された半導体パターン像の寸法を計測する方法において、ユーザによりパターン上の計測対象部を指定し、パターン計測部から形状情報を抽出し、抽出した形状情報を基に予め作成しておいた計測手法ライブラリから適用可能な計測手法を選定し、選定された手法によりパターンの寸法の計測をし、計測された寸法を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】計測対象が電子線照射によってシュリンクする場合であっても、パターン輪郭や寸法を高精度に求めることのできる計測方法を提供する。
【解決手段】下地の上にパターンが形成された試料に電子線を照射して計測する方法において、パターンのＳＥＭ画像や輪郭（Ｓ２０１、Ｓ２０２）、試料のパターン部および下地部の材料パラメータ（Ｓ２０３）（Ｓ２０４）、電子線を試料に照射する際のビーム条件（Ｓ２０５）を準備し、これらを用いて、電子線を照射する前のパターン形状、あるいは寸法を算出する（Ｓ２０６）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの測定を実現することが可能な荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子源から放出された荷電粒子線を試料に走査することによって、当該試料から放出される荷電粒子の検出に基づいて、前記試料の画像を形成する荷電粒子線装置であって、前記試料の高さと、前記試料に対する予備帯電条件を関連付けて記憶する記憶媒体を備えた制御装置を備え、当該制御装置は、所望の試料高さの指定に基づいて、当該指定された試料高さに対応する予備帯電条件による予備帯電を実施する荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン形成面が帯電している場合でもフォトマスクのパターン寸法を高精度に計測することのできるパターン寸法計測方法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭ画像を画像処理してフォトマスクのパターン寸法を計測するに際して、フォトマスクのパターンと共にパターン形成面に形成された補正用パターンをＳＥＭ画像から抽出し、抽出された補正用パターンから一次電子の偏向量を算出し、該偏向量を補正量としてパターン寸法の計測値を補正する。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターンを撮像した画像から、フォトマスクのＯＰＣパターンの寸法を精度良く且つ容易に測定することができるパターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、フォトマスクのＯＰＣパターンのうち、所望の範囲のパターンを包含する一回り大きい測定対象領域を設定し、測定対象領域のパターンの寸法を微小な領域毎に測定し、寸法の測定値を統計的に処理したものを曲線で近似し、近似曲線で表れるデータ群のうち、所望の範囲のパターン寸法に相当するデータ群の平均値を、所望の範囲のパターン寸法として推定する。 （もっと読む）

【課題】低コストでかつ高精度にパターンの断面形状を測定する装置および測定方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態のパターン測定装置は、荷電粒子線照射手段と、検出手段と、信号処理手段と、輪郭検出手段と、演算手段と、測定手段とを持つ。前記荷電粒子線照射手段は、荷電粒子線を生成し、前記荷電粒子線を、パターンが形成された試料に、設定された複数回数照射する。前記検出手段は、前記荷電粒子線の照射により前記試料から発生する荷電粒子を検出する。前記信号処理手段は、前記検出手段からの検出信号を処理して前記試料表面の粒子線像を生成する。前記輪郭検出手段は、前記粒子線像から前記パターンの輪郭位置を検出する。前記演算手段は、各照射回の間でのパターン輪郭位置のズレ量を算出する。前記測定手段は、予め準備された、ズレ量とパターンの裾引き量との関係に関するテーブルを参照することにより、前記算出されたズレ量から前記パターンの裾引き量を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＯＰＣ ｍｏｄｅｌ ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎに要する計算時間を削減しつつ、精度を向上させる。
【解決手段】半導体の回路パターンのマスクエッジデータ、および回路パターンを撮像した画像データを記憶する記憶部と、画像データを入力として回路パターンのＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）輪郭線を抽出し、マスクエッジデータと抽出したＳＥＭ輪郭線のデータ（ＳＥＭ輪郭線データ）とに基づいて、露光シミュレーション部に予測ＳＥＭ輪郭線のデータ（予測ＳＥＭ輪郭線データ）を生成させるＳＥＭ輪郭線抽出部と、マスクエッジデータと、ＳＥＭ輪郭線データと、予測輪郭線データとを入力として、ＳＥＭ輪郭線データおよび予測ＳＥＭ輪郭線データを、１次元形状の輪郭線と２次元形状の輪郭線とに分類する形状分類部と、ＳＥＭ輪郭線データと予測ＳＥＭ輪郭線データとを入力とし、１次元形状及び２次元形状の種類に応じて、ＳＥＭ輪郭線データのサンプリングを行うＳＥＭ輪郭線サンプリング部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低段差試料や帯電試料の観察、測定等において、反射荷電粒子信号に基づく画像を形成する際にも、倍率変動や測長誤差によらずに正確な画像を取得する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】二次荷電粒子信号を検出する第１の検出条件と、反射荷電粒子信号を検出する第２の検出条件との間で、荷電粒子線の走査偏向量を補正するように偏向器を制御する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。このような構成によれば、検出する荷電粒子信号の変更による倍率変動や測長誤差を補正することが可能となるため、反射荷電粒子信号に基づく画像を正確に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 電子線照射によってシュリンクするレジストをＣＤ−ＳＥＭで測長する際に、シュリンク前の形状や寸法を高精度に推定する。
【解決手段】 あらかじめ様々なパターンについて、電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群やＣＤ−ＳＥＭ画像データ群と、それらに基づくモデルを含むシュリンクデータベースを準備し、被測定レジストパターンのＣＤ−ＳＥＭ画像を取得し（Ｓ１０２）、ＣＤ−ＳＥＭ画像とシュリンクデータベースとを照合し（Ｓ１０３）、被測定パターンのシュリンク前の形状や寸法を推定し、出力する（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【目的】本発明は、輪郭線抽出方法、輪郭線抽出プログラムおよび面積測定方法に関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定して出力およびその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線の情報を出力および内部の面積を算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト構造であっても、パターン底部の寸法を高精度に計測できる荷電粒子線装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】 アスペクト比の高いパターンが形成された試料のパターン寸法底部を計測する方法において、試料の同一領域に荷電粒子線を第１方向及び第１方向とは逆の第２方向に走査させたときにそれぞれ発生する信号荷電粒子に基づく第１走査像と第２走査像とを比較し、走査像の信号強度が小さい方を真値とし、走査像を再構築し、再構築した走査像を用いて試料に形成されたパターン底部の寸法を計測する。また、その方法を実現する荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】パターンのエッジの幅及び傾斜角を高精度に測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを試料表面の観察領域で走査させ、電子ビームの照射によって試料の表面から放出された二次電子を、電子ビームの光軸の周りに配置された複数の電子検出器で検出するパターン測定装置において、パターン６１の延在方向に直交し、かつ光軸を挟んで対向する２方向からの画像を取得する。そして、それらの画像から、エッジと直交するライン上のプロファイルＬ６，Ｌ７を抽出し、それらの差分を取った差分プロファイルＬ８を求める。その差分プロファイルＬ８の立下り部分Ｒ２，Ｒ３に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの上端を検出し、ラインプロファイルＬ６、Ｌ７の立ち上がり部分Ｒ１又は立下り部分Ｒ４に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの下端の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、定データの判定方法および測定データの判定プログラムに関し、複合的に判定する機能を実現することを目的とする。
【構成】取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上の測定対象のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準をそれぞれ作成して判定基準テーブルに登録するステップと、取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準に対応する測定データをそれぞれ算出するステップと、算出した複数の測定データについて、前記判定基準テーブルから取り出した複数の判定基準をもとにそれぞれ良否を判定するステップと、判定した判定結果を出力するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データ、或いはシミュレーション画像に基づいて、実画像に近いパターンを形成する画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体素子の設計データに基づいて、荷電粒子線装置の動作条件を設定する画像処理部を備えた画像処理装置であって、荷電粒子線装置の装置条件情報，パターンの種類、及びパターンの部位毎のパターン情報の複数の組み合わせを記憶するライブラリにアクセスし、装置条件、及びパターンの種類の選択に基づいて、パターンの部位毎のパターン情報を用いた各部位の合成画像を形成する画像処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】パターン変形や欠陥を定量的に評価できる方法を提案する。
【解決手段】電子顕微鏡により、同一形状及び同一サイズを有するように形成された複数の形成済みパターンを観察し、複数の顕微画像を取得する。次に、当該複数の顕微画像を積算し、積算画像を生成する。一方で、当該顕微画像に対応する参照画像を記憶領域から取得する。次に、積算画像に含まれる所定のパターンのパターン幅を一次元方向について多点測定する。一方で、積算画像と同じパターンを対象に、積算画像と同一地点について、参照画像のパターン幅を多点測定する。この後、積算画像について取得された多点測定結果列と、参照画像について取得された多点測定結果列の間で相互相関係数を算出し、その演算結果より積算画像と参照画像の相関度合いを判定する。 （もっと読む）