【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第１の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第１の二次信号Is₁を取得するステップと、試料Sに第２の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第２の二次信号Is₂を取得するステップと、第２の二次信号Is₂と第１の二次信号Is₁との比Is₂／Is₁を算出するステップと、比Is₂／Is₁が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is₂／Is₁に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t₀となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t₀に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 （もっと読む）

【課題】ラインセンサを用いた全幅測定において、中央部及び周端部のリアルタイム補正ならびに中長期の補正を可能とする放射線測定装置を実現する。
【解決手段】放射線源から所定の幅を有する被測定物に放射線を照射し、前記被測定物を透過した放射線の強度をラインセンサにより前記幅方向に測定し、前記被測定物と同一材質で厚さが既知の複数の参照物体の測定で予め求められた透過放射線強度特性を参照して前記被測定物の厚さ若しくは坪量を測定する放射線測定装置において、
前記放射線源と前記被測定物間に介在させた坪量若しくは厚さが予め別の測定により既知の校正サンプルを、前記ラインセンサの検出部に沿って移動させる校正サンプル移動手段と、
前記校正サンプルの移動位置における前記ラインセンサによる透過放射線強度信号に基づいて補正値を演算し、前記透過放射線強度特性を補正する校正処理手段と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】
各種のパターンに対応する計測方法については開示されておらず、特に計測対象パターンの両辺が直線乃至は曲線で構成され、両辺が非平行なパターンの計測方法についての開示はない。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成されたパターンを撮像し、撮像画像に基づいてパターン寸法を計測する方法であって、画像上のパターンの両側のエッジ位置を特定するステップと、パターンの第１のエッジ上にある第１の点と、その反対側のエッジである第２のエッジ上にある第２の点において、該第１の点と該第２の点を結ぶ線分と、該第１の点における該第１エッジの第１の接線と、該第２の点における該第２エッジの第２の接線に基づいて計測を行うステップと、該線分の距離を計測するステップを有することを特徴とする半導体パターン計測方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査，測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査，測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、帯電条件の変化を示すフィッティング関数に基づいて、荷電粒子線照射によって得られるパターン寸法を補正する方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査，測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】パターンの線幅を精度よく測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】試料の設計データ３０を参照して、設計データ３０上のパターンのエッジの段差がない部分に測定領域３５を設定するとともに、その設計データ３０から特徴部としてエッジ３６ｃ、３６ｄを検出する。また、二次電子像４０から、設計データ３０の特徴部に対応する特徴部としてエッジ４６ｃ、４６ｄを検出する。そして、設計データ３０のエッジ３６ｃ、３６ｄと、二次電子像のエッジ４６ｃ、４６ｄとの位置関係に基づいて測定領域３５を二次電子像４０上に位置合わせして配置する。このようにして配置された測定領域４５内のエッジ間の距離に基づいてパターンの幅を測定する。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェーハ上のパターン寸法を計測する方法において、ユーザは計測手法を選定する際に、任意のパターン形状を目視しただけではその適用可否を判断することは難しく、自動で計測手法を選択する場合は、測定対象のパターン形状に適した手法が選定されないことがある。
【解決手段】
電子線により撮像された半導体パターン像の寸法を計測する方法において、ユーザによりパターン上の計測対象部を指定し、パターン計測部から形状情報を抽出し、抽出した形状情報を基に予め作成しておいた計測手法ライブラリから適用可能な計測手法を選定し、選定された手法によりパターンの寸法の計測をし、計測された寸法を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】計測対象が電子線照射によってシュリンクする場合であっても、パターン輪郭や寸法を高精度に求めることのできる計測方法を提供する。
【解決手段】下地の上にパターンが形成された試料に電子線を照射して計測する方法において、パターンのＳＥＭ画像や輪郭（Ｓ２０１、Ｓ２０２）、試料のパターン部および下地部の材料パラメータ（Ｓ２０３）（Ｓ２０４）、電子線を試料に照射する際のビーム条件（Ｓ２０５）を準備し、これらを用いて、電子線を照射する前のパターン形状、あるいは寸法を算出する（Ｓ２０６）。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層上に形成された導体層の厚みを測定する測定装置及び測定方法において、装置の製造コストを低減することである。
【解決手段】セラミックグリーンシート３２上に形成された内部電極３６の厚みを測定する測定装置１２。照射部１４は、セラミックグリーンシート３２の内部電極３６が形成された所定領域に対して、内部電極３６が含有している定常状態のＮｉのエネルギー準位よりも大きなエネルギーを有するＸ線を照射する。検出部１６は、所定領域を透過してきたＸ線のエネルギーを検出する。算出部１８は、照射部１４が照射したＸ線のエネルギーと検出部１６が検出したＸ線のエネルギーとに基づいて、内部電極３６の厚みを算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの測定を実現することが可能な荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子源から放出された荷電粒子線を試料に走査することによって、当該試料から放出される荷電粒子の検出に基づいて、前記試料の画像を形成する荷電粒子線装置であって、前記試料の高さと、前記試料に対する予備帯電条件を関連付けて記憶する記憶媒体を備えた制御装置を備え、当該制御装置は、所望の試料高さの指定に基づいて、当該指定された試料高さに対応する予備帯電条件による予備帯電を実施する荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン形成面が帯電している場合でもフォトマスクのパターン寸法を高精度に計測することのできるパターン寸法計測方法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭ画像を画像処理してフォトマスクのパターン寸法を計測するに際して、フォトマスクのパターンと共にパターン形成面に形成された補正用パターンをＳＥＭ画像から抽出し、抽出された補正用パターンから一次電子の偏向量を算出し、該偏向量を補正量としてパターン寸法の計測値を補正する。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターンを撮像した画像から、フォトマスクのＯＰＣパターンの寸法を精度良く且つ容易に測定することができるパターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、フォトマスクのＯＰＣパターンのうち、所望の範囲のパターンを包含する一回り大きい測定対象領域を設定し、測定対象領域のパターンの寸法を微小な領域毎に測定し、寸法の測定値を統計的に処理したものを曲線で近似し、近似曲線で表れるデータ群のうち、所望の範囲のパターン寸法に相当するデータ群の平均値を、所望の範囲のパターン寸法として推定する。 （もっと読む）

【課題】ＯＰＣ ｍｏｄｅｌ ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎに要する計算時間を削減しつつ、精度を向上させる。
【解決手段】半導体の回路パターンのマスクエッジデータ、および回路パターンを撮像した画像データを記憶する記憶部と、画像データを入力として回路パターンのＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）輪郭線を抽出し、マスクエッジデータと抽出したＳＥＭ輪郭線のデータ（ＳＥＭ輪郭線データ）とに基づいて、露光シミュレーション部に予測ＳＥＭ輪郭線のデータ（予測ＳＥＭ輪郭線データ）を生成させるＳＥＭ輪郭線抽出部と、マスクエッジデータと、ＳＥＭ輪郭線データと、予測輪郭線データとを入力として、ＳＥＭ輪郭線データおよび予測ＳＥＭ輪郭線データを、１次元形状の輪郭線と２次元形状の輪郭線とに分類する形状分類部と、ＳＥＭ輪郭線データと予測ＳＥＭ輪郭線データとを入力とし、１次元形状及び２次元形状の種類に応じて、ＳＥＭ輪郭線データのサンプリングを行うＳＥＭ輪郭線サンプリング部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】塗膜下における鋼材の腐食部分の体積を非破壊で測定することができるようにする。
【解決手段】周波数が１００〔ＧＨｚ〕〜１０〔ＴＨｚ〕の範囲の電磁波を用いて被検査物の塗膜層表面の２次元的な計測位置毎に塗膜層を介在させて電磁波測定を行って反射強度の２次元分布計測値を得て、当該２次元分布計測値における計測位置毎の反射光電界を用いて〔ア〕照射光電界反射係数ｌを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数ｋを求めるか若しくは〔イ〕電界減衰率ｍを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数ｋを求め（Ｓ５）、当該侵入光電界反射係数ｋを用いて計測位置毎に被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食層の厚さｄ_Rを求め（Ｓ６）、当該腐食層の厚さｄ_Rを用いて被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食部分の体積Ｖを求める（Ｓ７）ようにした。 （もっと読む）

【課題】 電子線照射によってシュリンクするレジストをＣＤ−ＳＥＭで測長する際に、シュリンク前の形状や寸法を高精度に推定する。
【解決手段】 あらかじめ様々なパターンについて、電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群やＣＤ−ＳＥＭ画像データ群と、それらに基づくモデルを含むシュリンクデータベースを準備し、被測定レジストパターンのＣＤ−ＳＥＭ画像を取得し（Ｓ１０２）、ＣＤ−ＳＥＭ画像とシュリンクデータベースとを照合し（Ｓ１０３）、被測定パターンのシュリンク前の形状や寸法を推定し、出力する（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な，高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし，膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて表面にレジストパターンが形成された試料の画像を取得する電子線画像取得手段と、該取得した画像を処理して前記レジストパターンの所望の領域の画像の明るさのばらつきの特徴を定量化する定量化手段と、該定量化手段で定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出する指標値算出手段と、該指標値算出手段で算出した指標値の情報を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする電子顕微鏡システムである。 （もっと読む）

【課題】光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが１００［μｍ］以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価すること。
【解決手段】金属板表面に形成された皮膜の膜厚均一性を評価する膜厚均一性評価方法は、グロー放電発光分光法を利用して金属板の構成元素の深さ方向のプロファイルを測定する測定ステップと、測定ステップにおいて測定されたプロファイルを微分することによって微分プロファイルＤＰを算出し、算出された微分プロファイルの主ピークの半値幅ＦＷＨＭを算出する算出ステップと、算出ステップにおいて算出された主ピークの半値幅ＦＷＨＭを用いて皮膜の膜厚均一性を評価する評価ステップと、を含む。これにより、光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが１００［μｍ］以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが１００［μｍ］以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価すること。
【解決手段】金属板表面に形成された皮膜の膜厚均一性を評価する膜厚均一性評価方法は、グロー放電発光分光法を利用して金属板の構成元素の深さ方向のプロファイルＰを測定する測定ステップと、測定ステップにおいて測定されたプロファイルＰの形状を近似する関数Ｆを算出する算出ステップと、算出ステップにおいて算出された関数Ｆを用いて皮膜の膜厚均一性を評価する評価ステップと、を含む。これにより、光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが１００［μｍ］以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価することができる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、輪郭線抽出方法、輪郭線抽出プログラムおよび面積測定方法に関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定して出力およびその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線の情報を出力および内部の面積を算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】パターンのエッジの幅及び傾斜角を高精度に測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを試料表面の観察領域で走査させ、電子ビームの照射によって試料の表面から放出された二次電子を、電子ビームの光軸の周りに配置された複数の電子検出器で検出するパターン測定装置において、パターン６１の延在方向に直交し、かつ光軸を挟んで対向する２方向からの画像を取得する。そして、それらの画像から、エッジと直交するライン上のプロファイルＬ６，Ｌ７を抽出し、それらの差分を取った差分プロファイルＬ８を求める。その差分プロファイルＬ８の立下り部分Ｒ２，Ｒ３に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの上端を検出し、ラインプロファイルＬ６、Ｌ７の立ち上がり部分Ｒ１又は立下り部分Ｒ４に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの下端の位置を検出する。 （もっと読む）