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Fターム[2F067BB16]に分類される特許

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【課題】真空中で、移動する薄膜の堆積量を高精度に計測する装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜堆積量の製造装置は、基板4上に形成された薄膜20の堆積量を計測する装置であって、基板4にβ線を照射するβ線源21と、β線源21から照射されたβ線の基板4からの後方散乱量を測定する第1放射線検出器としての後方散乱β線用放射線検出器22と、を含む測定プローブ10と、β線源21から照射されたβ線の基板4からの後方散乱のうち、前記第1放射線検出器に入射せずに、測定プローブ10と基板4との隙間を経由して測定プローブ10外に到達する漏洩β線量を測定する第2放射線検出器としての漏洩β線用放射線検出器23と、を備える。 (もっと読む)


【課題】絶縁体層上に形成された導体層の厚みを測定する測定装置及び測定方法において、装置の製造コストを低減することである。
【解決手段】セラミックグリーンシート32上に形成された内部電極36の厚みを測定する測定装置12。照射部14は、セラミックグリーンシート32の内部電極36が形成された所定領域に対して、内部電極36が含有している定常状態のNiのエネルギー準位よりも大きなエネルギーを有するX線を照射する。検出部16は、所定領域を透過してきたX線のエネルギーを検出する。算出部18は、照射部14が照射したX線のエネルギーと検出部16が検出したX線のエネルギーとに基づいて、内部電極36の厚みを算出する。 (もっと読む)


【課題】塗膜下における鋼材の腐食部分の体積を非破壊で測定することができるようにする。
【解決手段】周波数が100〔GHz〕〜10〔THz〕の範囲の電磁波を用いて被検査物の塗膜層表面の2次元的な計測位置毎に塗膜層を介在させて電磁波測定を行って反射強度の2次元分布計測値を得て、当該2次元分布計測値における計測位置毎の反射光電界を用いて〔ア〕照射光電界反射係数lを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数kを求めるか若しくは〔イ〕電界減衰率mを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数kを求め(S5)、当該侵入光電界反射係数kを用いて計測位置毎に被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食層の厚さdRを求め(S6)、当該腐食層の厚さdRを用いて被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食部分の体積Vを求める(S7)ようにした。 (もっと読む)


【課題】 曲面を有する膜厚を正確に計測する。
【解決手段】 膜厚の検査装置は、テラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生器15と、前記テラヘルツ波を、膜が形成された試料に照射させる照射光学系16、17と、前記試料において反射したテラヘルツ波を検出し、検出信号を出力するテラヘルツ波検出器22と、前記試料の反射面の形状情報に基づき、当該反射面から前記テラヘルツ波検出器に至るまでの反射波の電場強度を参照信号として算出し、前記参照信号を用いて前記検出信号を補正する制御装置5を備える。 (もっと読む)


【課題】 電子顕微鏡で用いられる倍率校正を自動で安定かつ高精度で行う標準部材を提供する。
【解決手段】 夫々異なる材料を交互に積層させた多層膜断面と、第一のシリコン層を挟み、前記多層膜断面と平行に配置される、複数の第一のマークパターンと、前記多層膜断面に対して、前記第一のマークパターンとは反対側に前記第一のシリコン層よりも厚さの厚い第二のシリコン層を挟んで、前記多層膜断面と平行に少なくとも一対の第二のマークパターンと、前記多層膜断面に対して第一のマークパターンおよび前記第二のマークパターンの外側にシリコン層とを同一面に有する。 (もっと読む)


【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と1回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と2回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、1回目の露光の工程で形成されたパターンと2回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 (もっと読む)


【課題】コストを増大させることなく、高い位置計測精度を実現するX線位置計測装置を提供する。
【解決手段】X線位置計測装置10は、X線放射器10a及びX線カメラ10bを測定対象物で位置計測を行う位置に移動させる第1移動手段と、位置計測を行う位置において、画像表示部における基準位置と第2X線投影像の位置との位置ずれ量を測定するとともに、位置ずれ量を当該計測位置に対応する補正量として記憶部に記憶する第1測定記憶手段と、X線放射器10a及びX線カメラ10bを位置計測を行う位置に移動させる第2移動手段と、位置計測を行う位置において、上記補正量に基づいて、X線放射器10aの放射中心及びX線カメラ10bの光軸Lを合致させるとともに、測定対象物の位置計測を行う第1位置計測手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体回路原版として用いるマスクのパターン寸法を計測する際に、パターンの寸法とともに側壁角度も同時に計測する。
【解決手段】基板表面から放出された二次電子を計数する機構に含まれる波高弁別器9において、一定時間間隔内に検出器に入った電子の個数の計数量を制限することによって、SEM画像のパターン側壁に生じるホワイトバンドの幅とパターン側壁角度の相関関係を強調することができ、予め求めたパターン側壁角度とホワイトバンドの幅の相関関係からパターン側壁角度を非破壊で計測することができる。 (もっと読む)


【課題】複数種類の計測方法を組み合わせることにより、検査可能な試料を制限することのない試料検査装置及び試料検査方法を提供する。
【解決手段】試料検査装置は、入射部11、反射光受光部12及び分析部13(エリプソメータ部)と、X線源21、蛍光X線検出部22及び分析部23(X線測定部)と、レーザ光源31、ビームスプリッタ34、ラマン散乱光検出部32及び分析部33(ラマン散乱光測定部)とを備える。試料6に応じた適切な手法を用いて試料の厚みの計測が可能である。またエリプソメトリ及び蛍光X線分析を組み合わせることにより、試料6の厚みと屈折率等の光学特性とを独立に計測することができる。また試料6が多層試料である場合は、各層を適切な試料で検査することができる。 (もっと読む)


【課題】異なるピッチの周期的構造を持つ基板について、高精度かつ効率的な形状計測を可能とする基板計測方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態の基板計測方法によれば、第1のピッチで形成された第1の周期的構造と、第1のピッチより小さい第2のピッチで形成された第2の周期的構造と、を含む計測対象について、シミュレーションにより、第1の周期的構造についての散乱プロファイルと、第2の周期的構造についての散乱プロファイルと、が算出される。第1の周期的構造及び第2の周期的構造から散乱した電磁波の検出により実測した散乱プロファイルから、第1の周期的構造による散乱プロファイルが抽出される。第1の周期的構造及び第2の周期的構造について実測した散乱プロファイルと、第1の周期的構造について抽出された散乱プロファイルとの差分が、第2の周期的構造による散乱プロファイルとして算出される。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するTEMやSTEM、或いはSEMにおいて、画像のサブミクロンから数10μmの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる2つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 (もっと読む)


あるシステム及び方法が、再構築により、基板上のオブジェクトの概略構造を決定する。これは、例えば、リソグラフィ装置のクリティカルディメンション(CD)又はオーバレイ性能を評価するための微細構造のモデルベースのメトロロジーなどに適用できる。基板上のスタック上の格子などのオブジェクトの概略構造を決定するためにスキャトロメータが使用される。ウェーハ基板は上層と下地層とを有する。基板はスタックオブジェクト上の格子を含む第1のスキャトロメトリターゲット領域を有する。スタック上の格子は上層と下地層とからなる。上層は周期格子のパターンを備える。基板はさらに、上層がない、隣接する第2のスキャトロメトリターゲット領域を有する。第2の領域は、パターン形成されていない下地層のみを有する。 (もっと読む)


【課題】X線反射率法を用いて積層体の層構造を正確に解析することのできる方法、装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】このX線反射率法を用いた積層体の層構造解析方法は、例えば多層膜である試料にX線源からX線を照射する照射工程と、該試料から反射されるX線を検出器で検出する検出工程と、この検出されたX線の前記照射されたX線に対する割合であるX線反射率を測定器で測定する測定工程と、解析器で、前記試料に表面粗さ又は界面粗さがある場合において該試料の表面又は界面において該表面又は界面の凹凸により鏡面反射方向以外の方向にX線が散乱する、散漫散乱に伴う該表面又は界面での反射X線と透過X線の干渉成分の減少を加味して、前記測定されたX線反射率を解析する解析工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】基板のトポグラフィカルフィーチャの測定において有用な方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いてガスが活性化される基板のコーティング方法が開示される。コーティングされた基板は次に、レジストフィーチャを断面方向で明らかにするために、イオンビームを用いてスライスされる。レジストのそれらのフィーチャは、走査電子顕微鏡を用いて測定され、基板のスライスを取って新たな断面を明らかにするために、焦点合わせされたイオンビームが用いられる。この新たな断面は次に、走査電子顕微鏡を用いて測定され、このようにしてフィーチャの3次元マップが作られ得る。 (もっと読む)


【課題】 特に薄層の厚さ測定に適した、測定用プローブを保持する測定スタンドおよびその制御方法の提供。
【解決手段】 測定用プローブ(26)を保持する保持器(24)を担持する変位部材(23)と、その変位部材を測定用プローブとともに上下に駆動する駆動ユニット(35)との間に、フリーホイール機構(51)を介在させ、測定用プローブ(26)または保持器(24)が測定対象(14)に接触すると、駆動ユニット(35)による駆動が変位部材(23)から切り離され且つスイッチング・デバイス(58)がスイッチング信号を制御ユニットへ送出する。 (もっと読む)


【課題】 膜の評価方法及び強誘電体メモリの製造方法に関し、表面に凹凸の多い薄膜の膜厚等をX線反射率法により精度良く測定する。
【解決手段】 膜を構成する結晶粒の平均粒径が200nm以上、或いは、平均粒径が200nm以上の結晶粒同士の一部が融合した融合結晶粒を含む被膜を被測定膜の表面に成膜する工程と、前記被膜及び前記被測定膜にX線を照射する工程と、前記被膜及び前記被測定膜から反射したX線の強度を測定してX線反射率法によって前記被測定膜の少なくとも膜厚を測定する工程とを設ける。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で、高精度かつ短時間の薄膜の膜厚測定と異常値検出を可能とする薄膜の膜厚測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】X線回折装置を用いて、評価試料の最上層の膜厚を測定する方法であって、X線回折装置以外の膜厚測定方法を用いて、標準試料の膜厚基準値を測定する基準値測定ステップと、前記標準試料のX線回折強度分布から検出された特徴量と、前記膜厚基準値とを対応付けた校正情報10をあらかじめ生成する校正情報生成ステップと、評価試料のX線回折強度分布を取得する分布取得ステップS100と、前記分布取得ステップS100で取得されたX線回折強度分布から特徴量を検出する特徴量検出ステップS101と、前記特徴量検出ステップS101で検出された特徴量と、前記校正情報10とから前記評価試料の最上層の膜厚を算出する膜厚算出ステップS106とを備えたことを特徴とする膜厚測定方法である。 (もっと読む)


【課題】耐火物測定装置において放射線を用いて照射側耐火物と検出側耐火物のそれぞれの耐火物厚みを検出できないという課題があった。
【解決手段】耐火物厚み測定方法は、放射線を管材料に照射し、管材料と管材料内側の耐火物とを通過した減衰放射線を検出し、放射線を照射した管材料の表面の照射位置表面温度、及び、減衰放射線を検出した管材料の表面の検出位置表面温度を検出し、検出した減衰放射線の減衰強度から管材料の減衰強度を取り除いて、耐火物の減衰強度を算出し、耐火物の減衰強度から、耐火物厚みを算出し、照射位置表面温度と検出位置表面温度を用いて、耐火物厚みから照射側耐火物厚み及び検出側耐火物厚みを算出する耐火物厚み測定方法を構成する。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な,高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし,膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
レジストパターンの膜減りがレジスト上面の面荒れ(ラフネス)を伴うことに着目し,従来の線幅計測に用いているレジストパターンの電子顕微鏡像上で,レジスト上面に相当する部位のラフネスの程度を定量化することによって膜減り指標値を算出する。また,予め作成しておいた膜減り指標値とレジストパターンの膜減り量を関連づけるデータベースに当てはめることによって,レジストパターンの膜減り量を推定する。 (もっと読む)


【課題】薄膜積層体の膜厚を高い精度で計測し、検査することが可能な薄膜積層体検査方法を提供する。
【解決手段】可干渉距離の長いX線を入射X線1とし、回転台3上に置かれた試料2で鏡面反射されたX線の一部をプリズム6で曲げ、直進したX線とプリズムで曲げられたX線を干渉させ、干渉縞を得る。試料は薄膜積層体であるが試料の一部に、薄膜が無く基板5が露出した部分がある。プリズムで曲げられなかったX線の一部に基板部分で鏡面反射されたX線9を含み、入射角を0.01°から1°の範囲で変えて鏡面反射したX線の干渉縞を測定し、積層膜界面で反射されたX線の位相変化から膜厚を計測する。 (もっと読む)


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