【課題】半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法を提供すること。
【解決手段】例えばメモリ・アレイまたは類似の構造内の個々のビット・セルの欠陥を特徴づけまたは補正するために、本発明の好ましい実施形態を使用して、メモリ・アレイまたは類似の構造内の単一のビット・セルへ迅速にナビゲートすることができる。アレイの（Ｘ軸またはＹ軸に沿った）１つのエッジのセルの「ストリップ」を走査するために高解像度走査を使用して、所望のセルを含む列の位置を特定し、続いて、位置が特定された列に沿って（もう一方の方向に）、所望のセル位置に到達するまで同様に高速走査する。これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】コストを増大させることなく、高い位置計測精度を実現するＸ線位置計測装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線位置計測装置１０は、Ｘ線放射器１０ａ及びＸ線カメラ１０ｂを測定対象物で位置計測を行う位置に移動させる第１移動手段と、位置計測を行う位置において、画像表示部における基準位置と第２Ｘ線投影像の位置との位置ずれ量を測定するとともに、位置ずれ量を当該計測位置に対応する補正量として記憶部に記憶する第１測定記憶手段と、Ｘ線放射器１０ａ及びＸ線カメラ１０ｂを位置計測を行う位置に移動させる第２移動手段と、位置計測を行う位置において、上記補正量に基づいて、Ｘ線放射器１０ａの放射中心及びＸ線カメラ１０ｂの光軸Ｌを合致させるとともに、測定対象物の位置計測を行う第１位置計測手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハが大型化した場合における、検査装置における（１）ステージの加速・減速制御の複雑化、（２）スループット低下、（３）ステージ反転動作時のステージ支持台の振動増大（分解能劣化）等の問題を解決する。
【解決手段】ウェハ６を回転させ、回転するウェハ６に対して走査型電子顕微鏡１から電子ビームを照射し、ウェハ６から放出される２次電子９を検出する。検出された２次電子９は画像処理部において、ＡＤ変換１６され、画像データ並べ替部１７において並べかえられ、画像演算１８されて表示される。これによってステージ４をＸ方向、Ｙ方向に大きく移動することなく、ウェハ６の全ダイの画像情報を取得することが出来る。 （もっと読む）

【課題】より短時間で欠陥を撮像できる欠陥観察装置および欠陥観察方法を得ること。
【解決手段】この欠陥観察方法は、観察対象物の欠陥および基準マークの位置座標を取得するステップと、欠陥を検出して、この検出された欠陥位置に応じて位置座標を補正する第１の方法で欠陥を撮像するのに必要な第１の時間を算出するステップと、基準マークを検出して、この検出された基準マーク位置に応じて位置座標を補正する第２の方法で欠陥を撮像するのに必要な第２の時間を算出するステップと、第１、第２の時間を比較するステップと、比較結果に応じて、第１または第２の方法で位置座標を補正して欠陥を撮像するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板全体としての変形態様をより容易に捉えることのできる基板変形認識方法及び基板変形認識装置及び基板変形認識プログラムを提供する。
【解決手段】予め基板上に設定した複数の目標位置について、基板を各目標位置に逐次移動させ、目標位置ごとに移動後の基板の位置を検出する第１の工程（ステップＳ１１〜Ｓ１３）と、各目標位置について、該目標位置と移動後の基板の位置とを関連付けした位置データを、記憶装置に記憶させる第２の工程（ステップＳ１４〜Ｓ１５）と、記憶装置に記憶された位置データをコンピュータに入力し、該コンピュータに、その位置データに基づくグラフィックデータを作成させるとともに、そのグラフィックデータを表示装置の画面に視認可能にグラフィック表示させ、該画面上のグラフィック表示に基づいて、基板の変形を認識する第３の工程と、を通じて、当該基板の変形特性を認識する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線ＣＴ装置を用いることなく、Ｘ線透視を行うことにより、アルミダイキャスト部品のボイド等の欠陥をはじめとして、透視対象物内部の特異部位の３次元位置情報を正確に知ることができ、加えて３次元の概略形状を知ることのできるＸ線透視を用いた３次元観測方法と、その方法を用いたＸ線透視装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１とＸ線検出器２の対と透視対象物Ｗとの相対位置を変化させ張ることにより、透視方向を少なくとも３方向に相違させた透視対象物Ｗの透視像を取得し、その各透視像上で特異部位の像を抽出し、各透視方向の透視像上で抽出された特異部位の像対応付けした後、各透視方向の透視像上の特異部位の像と、これらの各透視像を得たときのＸ線源１とＸ線検出器２の透視対象物Ｗに対する相対的な３次元位置情報を用いて、特異部位の３次元位置および／または３次元形状を算出し、表示する。 （もっと読む）

【課題】
入射電子線により試料上の観察領域内のパターン寸法を計測する方法において、これまで実現困難であった高精度でかつ低ダメージの計測を可能とするパターン寸法計測技術を提供する。
【解決手段】
試料上の観察領域を走査される入射電子線に対して発生する反射電子または二次電子強度の情報から前記観察領域内のパターンの寸法を計測する方法において、前記試料上の複数の観察領域に電子線を照射することで得られる複数の電子顕微鏡像を重ね合わせることにより一つの画像を作成し、重ね合わせた前記一つの画像の強度情報からパターンの寸法を計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置毎、或いは日々の変動に合わせて設定する必要のあった画像取得対象個所を自動で設定することができる、試料の管理機能を提供する。
【解決手段】機差測定を行う為にウェハ上に当該ウェハ上で測定済みのパターンの箇所及び当該測定済みの箇所を測定した装置の情報をマーキングするための領域（レプリカ領域等）を設け、当該マーキングを参照することにより、試料を管理する。マーキングの方法としては、電子線照射によるコンタミネーション付着を挙げられる。この場合、コンタミが付き易いように電子線照射密度を上げる。このために、倍率を上げる、プローブ電流の増加、積算フレーム枚数の増加などを実施することができる。 （もっと読む）

【課題】ベッド位置決め時の操作者の入力の煩雑さを解消しつつ、ベッド位置決めの精度維持を容易とし、ベッド位置決め時間の短縮化を可能とする。
【解決手段】
治療計画時に計算点をＣＴ画像上にて設定し、設定した計算点の三次元座標値をＤＲＲ画像内に設定する。ベッド位置決め装置１１５はＤＲＲ画像を画像サーバ１０９から読込んだ時点でＤＲＲ画像内に設定されている計算点座標値を読み取り、モニタ１１６にＤＲＲ画像と共に表示するとともに、位置決め装置１１５にＤＲ画像データが読込まれると、モニタ１１６上にＤＲ画像を表示するとともにＤＲＲ画像上に設定されている計算点をＤＲ画像にも設定する。 （もっと読む）

【課題】試料の線幅、欠陥などを精密に測定、検査することができる、荷電粒子ビーム装置のマッチング方法の提供。
【解決手段】電子顕微鏡によるＳＥＭ画像と、試料の設計データとをパターンマッチングさせ、線幅などの測定、欠陥の検査などを行う荷電粒子ビーム装置によるマッチング方法において、校正用マーク又はそれの付された試料をステージ上に設置し、高さを変えて複数のＳＥＭ画像を取得し、当該ＳＥＭ画像の位置歪みと、設計上の位置歪みデータとをマッチングし、高さを変化させたときの校正用補正データを作成する第１ステップと、フォーカスをかけて検査用ＳＥＭ画像を取得する第２ステップと、フォーカスの高さ値より、前記第１ステップの校正用補正データを用いて、検査用ＳＥＭ画像の位置歪みを補正する第３ステップと、当該位置歪み補正を行ったＳＥＭ画像と、設計データとのマッチングを行い、試料の測長または検査を行う第４ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ノッチ形状誤差等によるノッチ位置決め誤差が補正でき、半径方向結晶方位の測定の精度が高い結晶方位測定装置を提供する。
【解決手段】円筒状結晶２をその円筒軸に対し回転させる回転部１１と、円筒状結晶２を回転し、円筒状結晶２の周側面に設けられたノッチ２ａを基準に円筒状結晶２を位置決めする位置決め部１２と、円筒状結晶２が位置決めされると、回転軸に対するノッチ２の位置を測定するノッチ測定部１２と、周側面にＸ線を照射して半径方向の結晶方位を測定する結晶方位測定部１３と、結晶方位測定部１３で測定した結晶方位をノッチ測定部１２で測定したノッチの位置で補正して半径方向の結晶方位を求める補正部１４２とを備える。 （もっと読む）

【目的】補正係数を算出するために費やす時間を短縮することが可能な方法を提供すると共に、補正係数を更新する方法を提供することを目的とする。
【構成】電子ビーム描画装置の構成から生じる位置ずれを補正するための近似式の係数を算出する本発明の一態様の電子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法は、ステージ上で描画される試料の描画領域に相当する領域全体に規則的に配列された複数のマークを荷電粒子ビームを用いてスキャンするスキャン工程（Ｓ１０２）と、スキャンされた各マークの位置のずれ量を装置の座標系でフィッティングして、フィッティングされた近似式の係数を算出する係数算出工程（Ｓ１０４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
より微細な基準寸法を有する測長用標準部材およびその作製方法を含む電子ビーム測長技術を提供する。
【解決手段】
光学的手段により絶対寸法としてピッチ寸法が特定された第１の回折格子の配列（１）よりなるパターンを配置した半導体部材を有し、かつ、前記パターンは、前記第１の回折格子の配列（１）内の一部に、前記第１の回折格子とは異なる第２の回折格子の配列（２）を所定の周期で内在させた構成を有する。前記第１の回折格子および前記第２の回折格子は、それぞれ所定の長さと幅を有し、それぞれ所定の間隔で周期的に配列されており、かつ、前記パターンの周辺部に前記パターンの位置を特定するためのマーク（３）が配置されている。また、前記パターンは、最小ピッチ寸法が１００ｎｍ以下である配列パターンを含む。パターン作製法として、電子ビーム一括露光法を用いる。 （もっと読む）

【目的】高精度なビーム分解能を測定する方法、および方法を具現化する描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のビーム分解能測定方法は、マーク上を荷電粒子ビームで照射しながら走査する走査工程（Ｓ１０２）と、マークからの反射信号を計測する計測工程（Ｓ１０４）と、所定のマーク形状関数と誤差関数とを用いて定義された近似式を用いて反射信号に基づく波形をフィッティングして、ビーム分解能を測定するビーム分解能測定工程（Ｓ１０８）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、高精度なビーム分解能を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】製品の３次元的内外面形状を測定し、測定したデータから設計、製造に必要なＣＡＤデータを作成し、製品を再現化する３次元形状測定方法および３次元形状測定装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る３次元形状測定方法は、対象物の表面形状および内部形状のそれぞれを撮像し（Ｓｔ−１、Ｓｔ−２）、撮像した内部形状を点群データに変換し、変換した点群データを基準マーカを基点に重ね合わせて合成する内部形状合成工程（Ｓｔ−３）と、撮像した表面形状を点群データに変換し、変換した点群データを基準マーカを基点に重ね合わせて合成する表面形状合成工程（Ｓｔ−４）と、前記内部形状合成工程（Ｓｔ−３）で作成した内部形状合成点群データと前記表面形状合成工程（Ｓｔ−４）で作成した表面形状合成点群データとを合成して一体化する内部表面データ合成工程（Ｓｔ−５）と、この内部表面データ合成工程（Ｓｔ−５）で作成したデータをＣＡＤデータに変換する３次元形状変換工程（Ｓｔ−６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターン照合方法およびパターン照合装置に関し、平坦試料上で電子光学系の焦点深度を超えた歪みがある場合などに再フォーカス合わせによる電子光学系のパラメータの変化による影響を受けることなく平坦試料の全面に渡って高精度にパターンマッチングしてパターンの位置およびパターン測長を正確に行うことを目的とする。
【解決手段】フォーカスしたときの焦点位置Ｚ０を取得して記憶するステップと、フォーカスしたときの焦点位置Ｚ１を取得するステップと、焦点位置Ｚ０と焦点位置Ｚ１との差ΔＺをもとに、テーブルを参照して回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１を算出するステップと、回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１した設計データパターンを生成するステップと、生成した設計データパターンと、他の場所にフォーカスして取得した画像上のパターンとを照合し、パターンの位置および寸法のうちの必要なものを測長するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の主たる目的の１つは、複雑化・多層化された素子を測長するのに好適な試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によれば、上記目的を達成するために、半導体素子のデザインデータを用いて、試料像上のパターンの寸法を測定するに当たり、試料像、或いは測定対象の半導体素子の状況に応じて、測定条件を変化させる方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、試料像の状態や試料上に形成されている素子の状態に応じて、適切な測定条件を選択することができるため、測定効率の向上が可能となる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、検出対象のパターンのパターン画像を取得するパターン画像取得方法およびパターン画像取得装置に関し、マスクなどの検出対象のパターンに対して回転させて平行とならないようにしてビームを走査しそのときの信号を検出してエッジ検出してパターン画像を取得し、迅速かつ安定かつ高精度にパターン画像を取得することを目的とする。
【構成】 検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向あるいは検出対象のパターンを回転させるステップと、検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向が回転された状態で、パターンを異なる位置で横切る複数本の走査を行ってラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルをもとにパターンのエッジ位置を検出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置で用いられる測長校正を高精度で行う標準部材を提供する。
【解決手段】一次元回折格子を貼り合せウェーハに配置させることにより実測ウェーハと同じ高さでの高精度校正や装置間校正が可能となる。かつ表面シリコン層に一定電圧を加える構成とすることにより二次電子信号強度が大きく取れ微弱電子ビームでも良好な二次電子信号像が得られる。さらに一次元回折格子をウェーハ内の複数箇所に設置させることにより大口径ウェーハにおける面内位置毎の校正が保証される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、名目上同一構造の規則的グリッド中の特定構造での、たとえば電子顕微鏡像フィールドの位置設定について説明する。そのような構造はたとえば、チップ上のメモリセルであって良い。そのようなメモリセルは近年、たとえば1μm²未満の領域を有し、1000*1000のセル中に配列されている。変位中、構造のグリッド距離よりも大きなエラーが発生する可能性があり、その結果、像フィールドは意図しない構造に調節される。
【解決手段】 本発明の本質は、変位が多数の成分変位にさらに分割可能なことであり、それにより、成分変位あたりのエラーはグリッド距離の半分未満になる。各成分を変位させた後に、変位を決定することで、成分変位あたりのエラーは排除可能となる。この方法は自動化に適しており、それにより補正技術の手段によって像変位が決定される。 （もっと読む）