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Fターム[2F067FF01]の内容

波動性又は粒子性放射線を用いた測長装置 (9,092) | 補正、補償、校正、調整 (161) | 補正、補償、その原因に言及 (75)

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【課題】真空中で、移動する薄膜の堆積量を高精度に計測する装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜堆積量の製造装置は、基板4上に形成された薄膜20の堆積量を計測する装置であって、基板4にβ線を照射するβ線源21と、β線源21から照射されたβ線の基板4からの後方散乱量を測定する第1放射線検出器としての後方散乱β線用放射線検出器22と、を含む測定プローブ10と、β線源21から照射されたβ線の基板4からの後方散乱のうち、前記第1放射線検出器に入射せずに、測定プローブ10と基板4との隙間を経由して測定プローブ10外に到達する漏洩β線量を測定する第2放射線検出器としての漏洩β線用放射線検出器23と、を備える。 (もっと読む)


【課題】フットプリント(空きスペース)の削減を図った放射線検査装置を提供する。
【解決手段】放射線源から放射され、シート状の試料を透過してくる放射線を前記試料の流れ方向に対して直角に配置されたライン状放射線検出器により検出し、坪量の測定を行う放射線検査装置において、前記放射線源と放射線センサの位置関係を測定状態に維持したまま試料の幅に対して直角方向に空気層を測定できる程度に僅かに退避させ、退避させた状態で放射線源と放射線センサの間の空気層を測定して校正用データを作成し、記憶手段に保存するように構成した。 (もっと読む)


【課題】反射・散乱部材で反射された放射線を入射するモニタ用センサを配置することで、モニタ用センサに入射する放射線源からの放射線強度を抑えて長寿命化を実現する。
【解決手段】放射状の照射角を持つ放射線源と測定用センサを有する放射線検査装置において、前記放射線源と前記測定用センサの間で且つ、前記測定用センサに向かう放射線を妨げない位置に反射・散乱部材を配置すると共に、該反射・散乱部材で反射された放射線を入射するモニタ用センサを配置した。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査,測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査,測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、帯電条件の変化を示すフィッティング関数に基づいて、荷電粒子線照射によって得られるパターン寸法を補正する方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査,測定を行うことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】
半導体ウェーハ上のパターン寸法を計測する方法において、ユーザは計測手法を選定する際に、任意のパターン形状を目視しただけではその適用可否を判断することは難しく、自動で計測手法を選択する場合は、測定対象のパターン形状に適した手法が選定されないことがある。
【解決手段】
電子線により撮像された半導体パターン像の寸法を計測する方法において、ユーザによりパターン上の計測対象部を指定し、パターン計測部から形状情報を抽出し、抽出した形状情報を基に予め作成しておいた計測手法ライブラリから適用可能な計測手法を選定し、選定された手法によりパターンの寸法の計測をし、計測された寸法を出力するようにした。 (もっと読む)


【課題】
パターン直上から撮像されたSEM画像を用いる計測で、レジスト膜減りなどのパターン高さ変化が発生しても、その断面形状を正確に計測できるようにする。
【解決手段】
荷電粒子線装置を用いて試料上に形成されたパターンの形状を計測する方法において、収束させた荷電粒子線を試料上に照射して走査することにより試料から発生する二次荷電粒子を検出して試料表面に形成されたパターンの荷電粒子線画像を取得し、予め求めておいたパターンの高さとこのパターンの荷電粒子線画像の情報との関係に基づいて取得したパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの高さ情報を求め、この求めたパターンの高さ情報を用いてパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの寸法を算出するようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、合成画像を形成する場合に、重複領域のパターンの状態に応じて、適正に合成画像を形成することを目的とする合成画像形成方法、及び合成画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の画像を合成して合成画像を形成する合成画像形成方法、及び装置であって、複数の画像間の重複領域について、当該重複領域中に含まれるパターンの属性情報を作成し、当該パターンの属性情報に基づいて、合成対象となる画像を選択し、当該選択に基づいて画像合成を行う方法、及び装置を提案する。また、他の一態様として、重複領域内の属性情報を用いて、複数段階で画像合成を行う方法、及び装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と1回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と2回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、1回目の露光の工程で形成されたパターンと2回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 (もっと読む)


本発明は、ストリップスチール表面上のコーティング膜厚の測定に関し、より詳しくは、以下のステップを有するクロムフリーコーティング膜厚の検出方法に関する:元素P、Ca、Ti、BaまたはSrを含有し、クロムフリーコーティング液と反応しない2つの水溶性化学物質を選択するステップ;選択した2つの水溶性化学物質をクロムフリーコーティング液に加えて、均質になるようにそれらを攪拌した後、コーティングフィルムの基準サンプルを作るステップ;オフライン膜厚検出計測器によって発せられた光線を用いて上記2つの水溶性化学物質を励起して特性スペクトラムを得て、フィッティングにより測定膜厚と厚み補正値との間の補正関数式を得るステップ;弱い特性スペクトラムを有する上記水溶性化学物質をクロムフリーコーティング液に加え、上記補正関数式を用いて実際の膜厚を求めるステップ。オンライン検出により、膜厚を効果的にモニターでき、高精度で、かつ、コーティング膜の付着性、耐腐食性、環境パフォーマンスに悪影響を与えることなく、コーティング処理を連続的に最適化できる。
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【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の2本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の2本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、2本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査,測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査,測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子線走査個所の表面電位の電位計測結果から、当該走査個所より広い領域の電位分布に基づいて得られる電位を減算する装置、及び方法を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査,測定を行うことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、パターンサイズに応じてシュリンクの程度が異なる場合であっても、適正に寸法測定、或いはパターンエッジの輪郭線抽出を行うことを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料に電子ビームを走査することによって得られる信号に基づいて、試料上に形成されたパターンの寸法を測定するパターン寸法測定装置において、パターンの寸法値に、パターンの寸法に応じた補正量を加算することによって、パターン寸法値を補正する演算装置を備えたパターン寸法測定装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部1012や倍率補正部1014、歪曲補正部1018、画像合成部1015及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部1111を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、CD−SEMが用いられているが、CD−SEMの自動測定機能は1次元対応で、2次元形状は、CD−SEMや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部11と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置7と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部12と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部13とを備えた。 (もっと読む)


【課題】放射線を用いた検査装置の撮像系を簡便に補正する手段を提供する。
【解決手段】保持部は、治具と一体に構成されている、被検査体を固定する。検出部は、前記被検査体または前記治具を透過した放射線を検出して透過画像を生成する。ずれ量特定部36は、前記治具の透過画像を取得してその透過画像に映し出された治具の特徴点を特定し、当該透過画像に映し出された治具の特徴点と前記透過画像全体の中心とのずれ量を算出する。撮像制御部40は、前記ずれ量に基づいて前記被検査体と透過画像を取得する放射線検出器との位置関係を補正する。 (もっと読む)


【課題】放射線の瞬時的な変動(スパイク)に対して、検出器の出力値を選択したデータを除去して演算を行うことで、高精度測定が可能な線源変動補正方法を提供する。
【解決手段】放射線発生装置と、該放射線発生装置からの放射線出力を検出する放射線検出器と、該放射線検出器から連続して出力されるデータを予め定めた時間毎に順次グルーピングし、該グルーピングした領域に含まれる複数のデータを加算平均して出力する放射線検出器の線源変動補正方法において、前記グルーピングした領域の中の選択したデータを除去して加算平均した値を用いて放射線の強さを演算する。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波レベル計のみでスラグの厚さを正確に測定する方法及び装置を提供する。
【解決手段】溶鉱炉内において溶鉄上に浮遊するスラグの厚さ測定する方法であって、上端または管内にマイクロ波送受信用のアンテナが設置されたガイドパイプを、スラグに向けて降下させながら該ガイドパイプの下端の開口を通じてマイクロ波の送受信を行い、降下位置毎に反射位置と受信強度とをモニタするとともに、最も大きな2つの受信強度のピークが現れた降下位置における前記ピークの反射位置の差をスラグの厚さにする。 (もっと読む)


物体の画像を生成して表示するための装置および方法は、線源および、線源との間に走査範囲を定義するために間隔を置かれて、物体を通って伝えられて入射する放射を検出できる、少なくとも2つ(好ましくは3つ以上)の一連の線形検出器;線形検出器に沿って互いにある角度で連続した経路において、走査範囲を通って物体を相対的に移動させる手段;少なくとも、第1の線形検出器の出力から第1の画像、第2の線形検出器の出力から第2の画像、および第3の画像を各連続した経路のために生成する画像生成装置;第1、第2、第3の画像を連続して表示し、したがって、画像間に単眼の移動視差を表示するのに適した画像ディスプレイ;が使用される。各画像は、走査方向に対して垂直な方向においてビーム拡散に起因する歪みを減らすような方法で、表示の前に処理される。画像間の単眼の移動視差は、観察者の目に見える三次元キューを生成するのに用いられる。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、荷電粒子線照射による帯電の影響を回避しつつ、視野ずれの抑制を実現するのに好適な試料像形成方法,荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明では、試料上に荷電粒子線を走査し、試料から放出された二次信号に基づいて画像を形成する試料像形成方法において、複数回の走査で得られる複数の画像を合成して合成画像を複数形成し、当該複数の合成画像間の位置ずれを補正して画像を合成し、更なる合成画像を形成することを特徴とする試料像形成方法、及びこの方法を実現するための荷電粒子線装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】SEMによるマスクパターン計測値を実際のマスクパターン転写に適応した値に補正することで、マスク転写特性の予想やOPCの調整を正確に行い、実用的に信頼性が高いフォトマスクのパターン寸法測定方法およびフォトマスクを提供する。
【解決手段】SEMで測定するフォトマスクのパターン寸法測定方法であって、各パターン寸法における回折光強度を測定するステップと、前記パターンをSEMで測定して測長値を得るステップと、電磁場解析シミュレーションを行い、回折光強度のシミュレーション値を得るステップと、前記回折光強度測定と前記シミュレーションとから算出されたパターン寸法値と前記SEMで測定した測長値とのオフセット量から補正値を決定するステップと、前記補正値を前記SEMで測定した他のパターン寸法値に適用するステップと、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


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