【課題】 高アスペクト構造であっても、パターン底部の寸法を高精度に計測できる荷電粒子線装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】 アスペクト比の高いパターンが形成された試料のパターン寸法底部を計測する方法において、試料の同一領域に荷電粒子線を第１方向及び第１方向とは逆の第２方向に走査させたときにそれぞれ発生する信号荷電粒子に基づく第１走査像と第２走査像とを比較し、走査像の信号強度が小さい方を真値とし、走査像を再構築し、再構築した走査像を用いて試料に形成されたパターン底部の寸法を計測する。また、その方法を実現する荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線放射に対して僅かなコントラストしか生じない対象の測定を、十分な精度で迅速に行う、コンパクトな装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１０及びＸ線を検出する少なくとも１個のＸ線センサ７からなる第１の感知装置としてのＸ線感知装置及び測定物に対して座標測定装置のｘ、ｙ及びｚ方向に位置決めすることができる第２の感知装置、例えば触覚式及び／又は光学式感知装置８、１１、９を有する、測定物３の測定のための座標測定装置に関する。大きなサイズの測定物も問題なく測定できるように、Ｘ線感知装置７、１０が第２の感知装置８，１１、９に対応して座標測定装置１０に位置決めされることを提案する。 （もっと読む）

【課題】表示パターンのフレームサンプリングから得られた撮像画像（シグナルイメージ）の収縮、膨張等のフレーム間の幅に不均等な部分が生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出し、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出する。
【解決手段】表示パターンを撮像して得られる撮像画像（シグナルイメージ）において、実検出ラインの座標位置を検出した後、次に座標位置を検出する実検出ラインを求める際に、前の実検出ラインの信号強度パターンと比較することによってラインの良・不良の検出、および、不良ラインの収縮又は膨張の判定を行い、次の実検出ラインを求める。ラインの良・不良を検出し、不良ラインの収縮・膨張の判定することによって、ライン幅にばらつきが生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出する。 （もっと読む）

【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】コストを増大させることなく、高い位置計測精度を実現するＸ線位置計測装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線位置計測装置１０は、Ｘ線放射器１０ａ及びＸ線カメラ１０ｂを測定対象物で位置計測を行う位置に移動させる第１移動手段と、位置計測を行う位置において、画像表示部における基準位置と第２Ｘ線投影像の位置との位置ずれ量を測定するとともに、位置ずれ量を当該計測位置に対応する補正量として記憶部に記憶する第１測定記憶手段と、Ｘ線放射器１０ａ及びＸ線カメラ１０ｂを位置計測を行う位置に移動させる第２移動手段と、位置計測を行う位置において、上記補正量に基づいて、Ｘ線放射器１０ａの放射中心及びＸ線カメラ１０ｂの光軸Ｌを合致させるとともに、測定対象物の位置計測を行う第１位置計測手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】放射線を用いた検査装置の撮像系を簡便に補正する手段を提供する。
【解決手段】保持部は、治具と一体に構成されている、被検査体を固定する。検出部は、前記被検査体または前記治具を透過した放射線を検出して透過画像を生成する。ずれ量特定部３６は、前記治具の透過画像を取得してその透過画像に映し出された治具の特徴点を特定し、当該透過画像に映し出された治具の特徴点と前記透過画像全体の中心とのずれ量を算出する。撮像制御部４０は、前記ずれ量に基づいて前記被検査体と透過画像を取得する放射線検出器との位置関係を補正する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークが複数のショットに跨って形成されている場合、完成形であるアライメントマークをＣＡＤデータから作成するためにはユーザ自身の手作業が求められる。
【解決手段】１つのアライメントマークが複数のショットに跨って作成される場合に、各アライメントマークに関連する複数のショットのＣＡＤデータを相互の位置関係に応じて合成し、アライメントマークの完成形を含む合成ＣＡＤデータを自動的に作成する。 （もっと読む）

【課題】
測長ＳＥＭは高速な寸法計測が可能であるが，原理上，パターン形状に依存したシステマティックな計測バイアスを有す問題がある。測長ＳＥＭの計測値を校正するには，例えば，ＡＦＭの計測値との比較が必要であるが，従来，測長ＳＥＭとＡＦＭとで同一箇所の寸法計測を行うのは容易ではなかった。
【解決手段】
設計レイアウトデータを用い，測長ＳＥＭとＡＦＭの撮像レシピを自動作成する。また，両装置間の撮像位置ずれ，撮像倍率ずれを自動補正する。これにより，両装置の寸法計測結果の照合を，より容易かつ高精度に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、荷電粒子線照射による帯電の影響を回避しつつ、視野ずれの抑制を実現するのに好適な試料像形成方法，荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明では、試料上に荷電粒子線を走査し、試料から放出された二次信号に基づいて画像を形成する試料像形成方法において、複数回の走査で得られる複数の画像を合成して合成画像を複数形成し、当該複数の合成画像間の位置ずれを補正して画像を合成し、更なる合成画像を形成することを特徴とする試料像形成方法、及びこの方法を実現するための荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【目的】補正係数を算出するために費やす時間を短縮することが可能な方法を提供すると共に、補正係数を更新する方法を提供することを目的とする。
【構成】電子ビーム描画装置の構成から生じる位置ずれを補正するための近似式の係数を算出する本発明の一態様の電子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法は、ステージ上で描画される試料の描画領域に相当する領域全体に規則的に配列された複数のマークを荷電粒子ビームを用いてスキャンするスキャン工程（Ｓ１０２）と、スキャンされた各マークの位置のずれ量を装置の座標系でフィッティングして、フィッティングされた近似式の係数を算出する係数算出工程（Ｓ１０４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置構成の複雑化を抑制しつつ、断面平均測定方式を併用するとともに、厚肉管での測定精度の劣化を抑制する。
【解決手段】平行２ビーム測定方式にて管状材１の芯ぶれ量および肉厚を算出する場合、回転制御部２４は、ライン状放射線源１２から出射されたライン状放射線ビームＢＬが管状材１を斜めに横切るように線源容器１１を回転させ、断面平均測定方式にて管状材１の肉厚を算出する場合、回転制御部２４は、ライン状放射線源１２から出射されたライン状放射線ビームＢＬが管状材１を垂直に横切るように線源容器１１を回転させる。 （もっと読む）

【課題】オーバーレイバーニアの整列に関する情報と、リアルセル内のパターンの整列に関する情報と、が一致しない現象を防止することで、リアルセル内のパターンを正確に整列できるオーバーレイバーニアを提供する。また、前記オーバーレイバーニアを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】リアルセル１１０内に配置されるパターン１１１と同一のレイアウトを有するオーバーレイバーニアパターン１２１を含んでオーバーレイバーニアを構成する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム露光装置の持つ光を越える優れた解像力と光ステッパの持つ高いスループットの双方を生かし、微細パターンを高いスループットで形成することができ、かつパターンの重ね合わせ精度の向上をはかる。
【解決手段】 ウェハ５上に形成されたレジストに所望パターンを露光してレジストパターンを形成するパターン形成方法において、感光材が塗布された下地基板のパターンを、感光材に電子ビームを照射することにより該感光材から放出される二次電子の情報に基づいて検出し、該検出されたパターンに位置合わせして露光を行う。 （もっと読む）

【課題】
非破壊検査などでは、物体の透過データを測定して、画像処理により物体の２次元もしくは３次元の画像を作成、画像から物体上での対象物の位置、あるいは大きさなどの計測を行う。透過データを検出する検出面には幾何学歪がある場合、透過データに幾何学歪が内在する。従来の手法はこの検出面の幾何学歪を測定する手段と物体座標―画像座標を関連づける測定を個別に行っていたため、測定が煩雑でより誤差を含む課題があった。
【解決手段】
本発明では、物体座標を測定する物体基準治具と、検出面幾何学歪および検出座標と物体座標を同時に関連図ける検出面基準治具との組み合わせで、検出面の幾何学歪の計測と物体座標―画像座標との関連づけを同時に測定することを実現するため、より簡便で高精度な補正パラメータの測定とその補正パラメータを用いた幾何学補正を達成する。 （もっと読む）