【課題】低段差試料や帯電試料の観察、測定等において、反射荷電粒子信号に基づく画像を形成する際にも、倍率変動や測長誤差によらずに正確な画像を取得する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】二次荷電粒子信号を検出する第１の検出条件と、反射荷電粒子信号を検出する第２の検出条件との間で、荷電粒子線の走査偏向量を補正するように偏向器を制御する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。このような構成によれば、検出する荷電粒子信号の変更による倍率変動や測長誤差を補正することが可能となるため、反射荷電粒子信号に基づく画像を正確に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが１００［μｍ］以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価すること。
【解決手段】金属板表面に形成された皮膜の膜厚均一性を評価する膜厚均一性評価方法は、グロー放電発光分光法を利用して金属板の構成元素の深さ方向のプロファイルＰを測定する測定ステップと、測定ステップにおいて測定されたプロファイルＰの形状を近似する関数Ｆを算出する算出ステップと、算出ステップにおいて算出された関数Ｆを用いて皮膜の膜厚均一性を評価する評価ステップと、を含む。これにより、光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが１００［μｍ］以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な，高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし，膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて表面にレジストパターンが形成された試料の画像を取得する電子線画像取得手段と、該取得した画像を処理して前記レジストパターンの所望の領域の画像の明るさのばらつきの特徴を定量化する定量化手段と、該定量化手段で定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出する指標値算出手段と、該指標値算出手段で算出した指標値の情報を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする電子顕微鏡システムである。 （もっと読む）

【課題】光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが１００［μｍ］以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価すること。
【解決手段】金属板表面に形成された皮膜の膜厚均一性を評価する膜厚均一性評価方法は、グロー放電発光分光法を利用して金属板の構成元素の深さ方向のプロファイルを測定する測定ステップと、測定ステップにおいて測定されたプロファイルを微分することによって微分プロファイルＤＰを算出し、算出された微分プロファイルの主ピークの半値幅ＦＷＨＭを算出する算出ステップと、算出ステップにおいて算出された主ピークの半値幅ＦＷＨＭを用いて皮膜の膜厚均一性を評価する評価ステップと、を含む。これにより、光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが１００［μｍ］以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価することができる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、輪郭線抽出方法、輪郭線抽出プログラムおよび面積測定方法に関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定して出力およびその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線の情報を出力および内部の面積を算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト構造であっても、パターン底部の寸法を高精度に計測できる荷電粒子線装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】 アスペクト比の高いパターンが形成された試料のパターン寸法底部を計測する方法において、試料の同一領域に荷電粒子線を第１方向及び第１方向とは逆の第２方向に走査させたときにそれぞれ発生する信号荷電粒子に基づく第１走査像と第２走査像とを比較し、走査像の信号強度が小さい方を真値とし、走査像を再構築し、再構築した走査像を用いて試料に形成されたパターン底部の寸法を計測する。また、その方法を実現する荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】パターンのエッジの幅及び傾斜角を高精度に測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを試料表面の観察領域で走査させ、電子ビームの照射によって試料の表面から放出された二次電子を、電子ビームの光軸の周りに配置された複数の電子検出器で検出するパターン測定装置において、パターン６１の延在方向に直交し、かつ光軸を挟んで対向する２方向からの画像を取得する。そして、それらの画像から、エッジと直交するライン上のプロファイルＬ６，Ｌ７を抽出し、それらの差分を取った差分プロファイルＬ８を求める。その差分プロファイルＬ８の立下り部分Ｒ２，Ｒ３に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの上端を検出し、ラインプロファイルＬ６、Ｌ７の立ち上がり部分Ｒ１又は立下り部分Ｒ４に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの下端の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法を提供すること。
【解決手段】例えばメモリ・アレイまたは類似の構造内の個々のビット・セルの欠陥を特徴づけまたは補正するために、本発明の好ましい実施形態を使用して、メモリ・アレイまたは類似の構造内の単一のビット・セルへ迅速にナビゲートすることができる。アレイの（Ｘ軸またはＹ軸に沿った）１つのエッジのセルの「ストリップ」を走査するために高解像度走査を使用して、所望のセルを含む列の位置を特定し、続いて、位置が特定された列に沿って（もう一方の方向に）、所望のセル位置に到達するまで同様に高速走査する。これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 測定対象のパターンを、その外形によって特定することが困難である場合に、外形及び明るさ以外の情報によって測定対象パターンを特定する技術を提供する。
【解決手段】 走査型電子顕微鏡を用いて、測定対象物の二次元画像を取得する。取得された二次元画像から、測定対象候補として、相互に隣接している２つのパターンを抽出する。測定対象候補の２つのパターンの内部の領域の各々の表面粗さを算出する。算出された表面粗さに基づいて、測定対象候補の２つのパターンのうち一方を、測定対象パターンとして採用する。採用された測定対象パターンの寸法を測定する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚が薄い場合であっても、ＳＯＩ層における微小領域において、高い空間分解能でその膜厚を正確に測定することができるＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、絶縁層と、該絶縁層上に形成されたシリコン単結晶からなるＳＯＩ層とを有するＳＯＩウェーハにおける、前記ＳＯＩ層の膜厚測定方法であって、
前記ＳＯＩ層の表面に電子線を照射し、前記ＳＯＩ層で減衰されて透過した前記電子線によって、前記絶縁層中の特定元素が励起されることによって発生する特性Ｘ線を、前記ＳＯＩ層の、前記電子線を照射した表面側から検出し、前記検出された特性Ｘ線の強度に基づいて前記ＳＯＩ層の膜厚を算出することを特徴とするＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の膜厚測定方法。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】表示パターンのフレームサンプリングから得られた撮像画像（シグナルイメージ）の収縮、膨張等のフレーム間の幅に不均等な部分が生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出し、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出する。
【解決手段】表示パターンを撮像して得られる撮像画像（シグナルイメージ）において、実検出ラインの座標位置を検出した後、次に座標位置を検出する実検出ラインを求める際に、前の実検出ラインの信号強度パターンと比較することによってラインの良・不良の検出、および、不良ラインの収縮又は膨張の判定を行い、次の実検出ラインを求める。ラインの良・不良を検出し、不良ラインの収縮・膨張の判定することによって、ライン幅にばらつきが生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、定データの判定方法および測定データの判定プログラムに関し、複合的に判定する機能を実現することを目的とする。
【構成】取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上の測定対象のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準をそれぞれ作成して判定基準テーブルに登録するステップと、取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準に対応する測定データをそれぞれ算出するステップと、算出した複数の測定データについて、前記判定基準テーブルから取り出した複数の判定基準をもとにそれぞれ良否を判定するステップと、判定した判定結果を出力するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】粒子線又はエネルギー線等の照射精度が向上し、位置あわせも容易になる走査照射装置のステージ位置合わせ方法を提供すること。
【解決手段】ターゲットをステージに置くと共に、粒子線又はエネルギー線を走査状に当該ターゲットに照射する走査照射装置のステージ位置合わせ方法であって、前記ステージの端に平行線を描き、前記位置合わせするもう片方にも同じ幅の平行線を描いておき、前記粒子線やエネルギー線を平行線状に照射してモアレ縞を出し、前記モアレ縞が一致することで前記位置あわせを行うことを特徴とする走査照射装置のステージ位置合わせ方法。 （もっと読む）

【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】パターンの高さを非破壊で迅速に測定することができるパターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法を提供する。
【解決手段】試料表面の観察領域を電子ビームを照射で走査し、観察領域の斜め上方に配置された検出器９９ａによる二次電子の検出信号に基づいて画像（ＳＥＭ画像）を取得し、その画像に現れるパターン８２の影の長さＬを検出する。そして、あらかじ求めた検出器９９ａの試料表面に対する見掛け上の角度θと検出された影の長さＬとに基づいて、パターン８２の高さＨをＨ＝Ｌ×ｔａｎθにより求める。パターン８２の影の長さＬは、例えばパターン８２のエッジ８２ａ、８２ｂと直交するラインＸ−Ｘ上の二次電子の強度分布を抽出し、その二次電子の強度分布の凹部が所定のしきい値Ｉと交差する２点間の距離として求める。 （もっと読む）

【課題】ｎｍオーダーの表面傷の観察が可能な技術を提供することである。
【解決手段】基体の表面特性を観察する方法であって、基体の表面に、該基体表面を構成する材料の仕事関数と異なる仕事関数を有する材料で構成される膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程において設けられた前記基体表面に存する凹部を埋めた該膜の構成材料が残存するように該基体表面に設けられた膜を除去する膜除去工程と、前記膜除去工程後の基体の表面を電子顕微鏡で観察する観察工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データ、或いはシミュレーション画像に基づいて、実画像に近いパターンを形成する画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体素子の設計データに基づいて、荷電粒子線装置の動作条件を設定する画像処理部を備えた画像処理装置であって、荷電粒子線装置の装置条件情報，パターンの種類、及びパターンの部位毎のパターン情報の複数の組み合わせを記憶するライブラリにアクセスし、装置条件、及びパターンの種類の選択に基づいて、パターンの部位毎のパターン情報を用いた各部位の合成画像を形成する画像処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
パターン直上から撮像されたＳＥＭ画像を用いる計測で、レジスト膜減りなどのパターン高さ変化が発生しても、その断面形状を正確に計測できるようにする。
【解決手段】
荷電粒子線装置を用いて試料上に形成されたパターンの形状を計測する方法において、収束させた荷電粒子線を試料上に照射して走査することにより試料から発生する二次荷電粒子を検出して試料表面に形成されたパターンの荷電粒子線画像を取得し、予め求めておいたパターンの高さとこのパターンの荷電粒子線画像の情報との関係に基づいて取得したパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの高さ情報を求め、この求めたパターンの高さ情報を用いてパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの寸法を算出するようにした。 （もっと読む）