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Fターム[2F067HH06]の内容

Fターム[2F067HH06]に分類される特許

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【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量(分散値)は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに1/Nに減少する。この性質を利用し、1枚の画像に対してさまざまなパラメータSの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のS依存性を分析し、分散値が1/Sに比例する項をノイズ起因とする。 (もっと読む)


あるシステム及び方法が、再構築により、基板上のオブジェクトの概略構造を決定する。これは、例えば、リソグラフィ装置のクリティカルディメンション(CD)又はオーバレイ性能を評価するための微細構造のモデルベースのメトロロジーなどに適用できる。基板上のスタック上の格子などのオブジェクトの概略構造を決定するためにスキャトロメータが使用される。ウェーハ基板は上層と下地層とを有する。基板はスタックオブジェクト上の格子を含む第1のスキャトロメトリターゲット領域を有する。スタック上の格子は上層と下地層とからなる。上層は周期格子のパターンを備える。基板はさらに、上層がない、隣接する第2のスキャトロメトリターゲット領域を有する。第2の領域は、パターン形成されていない下地層のみを有する。 (もっと読む)


【課題】感光体の表面に生じている電荷分布あるいは電位分布を、ミクロンオーダーの高分解能で計測することが可能な静電潜像の測定装置、測定方法および測定された感光体を用いた画像形成装置を得る。
【解決手段】感光体試料20に電子ビームを照射して帯電させ、露光部6によって静電潜像を形成し、電子ビームの走査によって感光体試料20からの放出電子を検出し、この検出信号により感光体試料面の静電潜像分布を測定する。露光部6は、LD光源61と、光偏向器65と、レーザー光の走査範囲の端部で同期信号を生成する同期信号生成手段と、同期信号に基づきレーザー光が感光体試料面を走査するときの発光タイミング制御信号を生成する書込みタイミング信号生成手段と、を備え、露光部6による露光の終了から所定のタイミングで静電潜像の分布を測定する。 (もっと読む)


【課題】
測長SEMは高速な寸法計測が可能であるが,原理上,パターン形状に依存したシステマティックな計測バイアスを有す問題がある。測長SEMの計測値を校正するには,例えば,AFMの計測値との比較が必要であるが,従来,測長SEMとAFMとで同一箇所の寸法計測を行うのは容易ではなかった。
【解決手段】
設計レイアウトデータを用い,測長SEMとAFMの撮像レシピを自動作成する。また,両装置間の撮像位置ずれ,撮像倍率ずれを自動補正する。これにより,両装置の寸法計測結果の照合を,より容易かつ高精度に行うことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】プロファイル及びそのバリエーションをユーザが設定するのを手助けするシステムを提供する。
【解決手段】既知のオブジェクトのイメージ42を取り込むこと、及び、このイメージ上に、手動又は自動によって推定プロファイル20を重畳すること、を含む。推定プロファイルは数学的に定義され、かつ、上記イメージと一致するようにセグメント毎に調節される40ことによって、調節された推定プロファイルが、上記イメージに関連する当該回折スペクトルとともに記憶される。あるいは又はこれに加えて、ユーザは、既知のイメージのプロファイルをトレース(又は自由描写)し、その後、多項式、スプライン、又はベクトル等の数学関数の形状定義物を推定プロファイル上に描くことにより、未知のオブジェクトのプロファイルをその回折パターンから再構成する際に使用し得る。 (もっと読む)


【課題】
計測対象パターンのSEM信号波形と,シミュレーションにて算出した断面形状と信号波形を関連づけるライブラリとのマッチングにより計測対象パターン断面形状を推定する手法において、対象パターンの近傍のパターン密度/配置の影響が考慮されるようにする。
【解決手段】
入射電子線の内部拡散長に基づいて周囲パターンの有無を考慮すべき領域のサイズを決定し,設計レイアウトデータを用いて,前記領域サイズ内のパターンの三次元情報を作成,この三次元情報を用いて,SEM信号波形と断面形状とを関連づけるライブラリを作成する。従来,計測対象パターン近傍のパターン密度/配置の違いが断面形状計測の誤差要因となっていたが,この方法によれば,必要十分な領域範囲内でのパターン密度/配置の情報がライブラリに反映されるため,計測精度が向上する。 (もっと読む)


【課題】電子顕微鏡において、従来、複数の方向からの試料の観察を一度に実施することは不可能であり、例えば、試料の3次元形状を求めるには、試料を様々な角度に傾斜させ、得られた各々の画像から3次元形状を再構築するトモグラフィー法、右視野像、左視野像の2枚の画像を試料の傾斜もしくは電子線の照射角度の変化によって作り出し、立体観察を可能成らしめるステレオ法などがあるが、いずれも複数枚の画像を得るには画像枚数回の画像取得作業を必要としており、時間分解能が低く、動的観察、実時間観察には至っていない。
【解決手段】照射光学系中に第1の電子線バイプリズムを設置し、角度の異なる2つの電子線を試料の観察領域に同時に照射する。この同時に試料を透過した2つの電子線を結像光学系に配置した第2の電子線バイプリズムにより空間的に分離して結像させ、照射角度の異なる2つの電子顕微鏡像を得る。この2つの画像を検出手段で取得しこれを元に試料の立体像や異なる情報を有する2つの像を生成し、表示装置に表示する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、微細化されたデバイスの特性評価のために、プローブ相互間及び試料とプローブとの位置関係を把握して、信頼性の高い検査装置及び検査方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、電子源と、前記電子源から放出される電子線を試料に照射し、試料から放出される信号を検出する検出器と、試料を搭載するステージと、前記試料に触針する探針と、を有する検査装置において、前記試料の形状及び前記探針の形状及び配置の情報に基づいて、前記試料と前記探針の三次元画像を構成する演算部を備え、当該三次元画像を表示する表示装置を備えたことを特徴とする検査装置を提供する。前記三次元画像は、任意の方向からの画像を表示することができることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、実波形とライブラリとの比較に基づいて、形状を推定するに際し、適正な形状推定を行うことができるパターン形状選択方法、及び装置の提案を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、取得された波形をライブラリに参照することによって、パターンの形状を選択する方法、及び装置であって、試料に対する荷電粒子線の照射に基づいて、複数の波形取得条件にて波形情報を取得し、当該複数の波形情報を、複数のパターン形状毎に、異なる波形取得条件で取得された波形情報が記憶されたライブラリに参照することによって、前記ライブラリに記憶されたパターン形状を選択する方法、及び装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】レーザ光源の光出力の時間変化を測定することにより、感光体に形成された静電潜像を評価し、レーザ光源などの性能ないしは特性を評価する画像評価装置、画像評価方法を得る。
【解決手段】感光体139上に形成される静電潜像を評価する。レーザ光源131と、レーザ光源を所定の変調信号で駆動することによりレーザ光を射出させる駆動装置と、レーザ光源131からのレーザ光を感光体139上で走査して感光体上に静電潜像を形成する走査装置と、感光体139上の静電潜像の測定装置と、を有し、測定装置は、静電潜像の形成開始時と形成完了時の形状の変化を測定することができ、この形状の変化からレーザ光源の光出力の時間変化特性を評価する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、試料を変えることなく、スケールレベルが異なる歪みを一貫して計測できる歪み計測手段を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、歪み計測用パターンは、歪み計測方法にて試料の歪みを可視化する為に試料表面に形成され、異なるスケールレベルの歪みに適合した複数のパターンを同一試料面に重ねて形成してあること、また、前記各パターンは、相互にその規則性、形状又は大きさが異ならせてあることを特徴とする手段を用いた。
また、前記歪み計測用パターンにおいて、モアレ法用のグリッドパターンと画像相関法用のドットパターンとが重ねられてなること、ミリスケール用パターンと、ナノスケール用パターンとにより構成されていることを特徴とする手段を採用した。 (もっと読む)


【課題】従来の荷電粒子線装置では、格子状に反復して配列された複数の素子を観察又は測定することを前提とする。このため、回転軸対称に配置されたパターンに対しては、それらが規則的に反復するパターンであったとしても、観察点又は測定点毎にテンプレートを登録する必要がある。
【解決手段】試料上に回転軸対称に配置されたパターンを、予め定めた手順に従って自動的に観察又は計測する際、テンプレート画像、観察点若しくは計測点の画像又は荷電粒子線の走査範囲である視野領域を、試料上の座標から算出した角度だけ自動的に回転させる。 (もっと読む)


【課題】凹パターンと凸パターンを有する絶縁膜における凹パターンの底面を明瞭に観察する。
【解決手段】絶縁膜に形成された、ラインパターン2とスペースパターン3を有するパターン1を観察するパターン観察方法であって、パターン1に電子ビームを照射してパターン1の仮画像を取得し、この仮画像を用いてラインパターン領域4とスペースパターン領域5を算出し、ラインパターン領域4に対して正帯電条件で電子ビームを照射し、かつ、スペースパターン領域5に対して負帯電条件で電子ビームを照射することにより、ラインパターン2の上面とスペースパターン3の底面との間に、スペースパターン3の底面から放出される二次電子をパターン1の外側に引き出すための電界を形成し、その後、パターン1に電子ビームを照射して、スペースパターン3の底面の情報を有するパターン1の画像を取得する。 (もっと読む)


【課題】
半導体パターンの広範囲の撮像領域(EP)を複数の撮像領域(SEP)に分割し,SEPをSEMを用いて撮像した画像群を画像処理により繋ぎ合せるパノラマ画像合成技術において,繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが少なくても全画像が繋がるSEPを決定すること,およびそのようなSEPを決定できなくてもユーザの要求項目をなるべく満たすSEPを決定することである。
【解決手段】
一部のSEP間の重複領域に繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが含まれなくても全画像が繋がるケースがあることに着目し,SEP配置の最適化により前記ケースを抽出することで全画像が繋がるSEPを決定できるケースが増える。また,そのようなSEPを決定できなくても,複数のSEP配置の候補とユーザの要求項目を可視化した情報を表示・SEPを選択させることでユーザの要求項目をなるべく満たすSEPを容易に決定できる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、観察対象である試料の伸縮の変化を抑えることにより、観察対象の位置ずれを解消し、大幅なスループット向上を図った荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】本発明は、試料を保持する試料保持手段と、前記試料の温度の調整が可能な温度調節手段と、各種条件に基づき前記温度調節手段の制御が可能な温度調整手段制御手段を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】多くの測定点数が存在するホトマスクのCD検査において、再検査を実行するための再検査用レシピを的確かつ自動で生成する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料の位置座標、測定条件を含むレシピに基づいて、前記試料の自動測長を行う荷電粒子線装置であって、前記試料にUVまたはイオン照射のうち少なくとも1つを実行する試料前処理部と、アドレッシング、オートフォーカス、オートスティグマ、オートブライトネス、オートコントラストのうち少なくとも1つを実行する測定前処理部と、前記試料のSEM画像取得を行う検査実行部と、n回目の測長に用いる前記レシピを複写し、該複写レシピから前記画像取得に成功した前記位置座標を消去し、n+1回目の検査レシピを生成するレシピ生成部と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】リターディング電圧印加方式によってナノインプリント用フォトマスク上のパターン寸法を正確に測定することができる微小寸法測定走査電子顕微鏡(CD-SEM)等の荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】ナノインプリント用フォトマスクをホールダに装着するためのアタッチメントを用いる。倍率ずれを求め、それを用いて、ナノインプリント用フォトマスク上のパターンの寸法の測定結果を修正する。倍率ずれは、ホールダの寸法校正用試料とナノインプリント用フォトマスクの寸法校正用試料を用いて求める。更に、倍率ずれは、ナノインプリント用フォトマスクの帯電電圧から求めてもよい。 (もっと読む)


【課題】正確かつ高速なパターンの形状評価を実現できるパターン形状評価方法および装置を提供する。
【解決手段】ダブルパターンニング用の設計パターンを用いて製造した回路パターンの接合部の画像を読み出し、その上に、目標境界線と評価領域とを設定する。評価領域において、目標境界線の方向に沿って画像処理を行ない、更に、二値化処理を行なう。こうして、得られた画像に基づいてパターンの欠陥の有無を判定する。 (もっと読む)


【課題】撮像ポイントに対応する撮像領域間が重なった場合、評価ポイントについて撮像される画像の品質が低下する。
【解決手段】荷電粒子線装置における撮像範囲間の重なりの有無を、コンピュータによる演算処理を通じて判定する。この際、重なりの有無の判定は、判定対象に対応する撮像範囲を構成する4つの頂角のうち隣り合う関係にある4組の2つの頂角と、他の1つの撮像範囲を構成する4つの頂角のうちの1つの頂角とによって形成される4つの三角形の面積の総和が、判定対象に対応する撮像範囲の面積と一致する否かによって実行する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、走査電子顕微鏡等の寸法測定装置を用いて、半導体デバイスのパターンのラフネスを評価する際に要する相関距離や分散といったようなパラメータを、正確に決定することが可能な寸法解析プログラム、寸法計測装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、構造物の寸法を所定の方向に沿って複数回測定した結果を元に得られたスペクトルと同測定条件の下で計算により求めたスペクトルとが合致するように寸法の標準偏差もしくは分散もしくは相関距離もしくは基本となるスペクトルからの変形を特徴付ける変数の内の少なくとも一つに対して適切な値を選択することによりその値を決定するプログラム、及び寸法測定装置を提案する。 (もっと読む)


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