【課題】
本発明の目的は、同種画像間の画像認識に用いられるテンプレートと同等の情報を、設計データに基づいて形成されるテンプレートに付加することで、実画像を取得することなく、設計データに基づいてテンプレートを作成することのできる容易性の維持と、テンプレートと実画像の一致度を高めることによる画像認識技術性能向上の両立にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下に設計データに基づいて、画像認識用のテンプレートを作成する際に、当該テンプレートによって特定される領域の材料情報に基づいて、当該テンプレート内の各位置の輝度情報を設定する方法，装置、及びプログラムを提案する。また、その一例として、材料の情報に加えて、上記領域上に配置されたパターンの大きさ，画像取得装置の装置条件，試料の層情報，パターンの線分情報の少なくとも１つの情報に基づいて、輝度レベルを設定する。 （もっと読む）

【課題】耐ノイズ性が高く，僅かな解像力の差異が抽出可能な静電潜像評価方法、静電潜像評価装置、画像形成装置を得る。
【解決手段】静電潜像パターンが形成された光導電性試料の面を荷電粒子ビームにより走査し，パターンによる電気的影響を受けた荷電粒子を捕獲して強度信号を検出し，強度信号から潜像パターンを含む断面プロファイルを抽出し，露光部，非露光部の強度信号から基準量，特徴量を抽出し，光導電性試料の潜像解像力を算出する。空間周波数の異なる複数の静電潜像パターンを光導電性試料の面に形成し，それらの断面プロファイルにおける露光部，非露光部の強度信号のうち，最も空間周波数の低いパターンの露光部における強度信号値，パターン外の非露光部における強度信号値を基準量として，各空間周波数において潜像の解像力を算出し，潜像のレスポンス関数を算出する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子線照射によるダメージ等を抑制しつつ、試料の電位、或いは試料高さを正確に測定することが可能な走査電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、試料に向かって電子線等の荷電粒子線等を照射する際に、当該荷電粒子線が試料に到達しないように、試料に電圧を印加した状態で得られる電子等の荷電粒子の検出結果を用いて、試料高さや試料電位を測定する走査電子顕微鏡を提案する。また、その一態様として、測定された試料高さや試料電位に基づいて、試料帯電によって変動する装置条件（例えば倍率，フォーカス，観察座標等）を補正する走査電子顕微鏡を提案する。 （もっと読む）

【課題】CD-SEMによる半導体パターンの寸法計測において，パターンの断面形状に依存して寸法計測値と実際のパターンの寸法との誤差が変動することにより、計測精度が悪くなる問題があった。
【解決手段】
予め形状の異なる複数パターンのAFM計測結果と，同一形状のパターンをCD-SEMで計測したときの前記AFM計測結果との寸法計測誤差とを対応付けてデータベースに保存しておき，実際の寸法計測時には，計測対象パターンの少数箇所から得たAFM計測結果を前記データベースに照合し，最も形状が類似した側壁形状に対応したCD-SEM計測の寸法計測誤差を呼び出し，次に計測対象パターンのCD-SEM計測結果を前記呼び出した寸法計測誤差に基づき補正することにより，パターンの断面形状に依存した寸法誤差を低減した補正寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】
電子線シミュレーションを利用した，ＳＥＭ画像によるパターン計測においては，シミュレーションの精度が非常に重要となる。シミュレーション画像と実画像のマッチングを行うためには，計測対象形状や材料を適切にモデル化し，シミュレーション画像に反映する必要がある。
【解決手段】
本発明では，ＳＥＭ画像やＡＦＭなど他の計測装置により得られた情報に基づいて，シミュレーションと実画像のマッチング計測の精度に与える影響が大きな形状や寸法を適切に設定したシミュレーション画像を用いることにより，高精度なパターン計測を実現するようにした。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な，高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし，膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
レジストパターンの膜減りがレジスト上面の面荒れ（ラフネス）を伴うことに着目し，従来の線幅計測に用いているレジストパターンの電子顕微鏡像上で，レジスト上面に相当する部位のラフネスの程度を定量化することによって膜減り指標値を算出する。また，予め作成しておいた膜減り指標値とレジストパターンの膜減り量を関連づけるデータベースに当てはめることによって，レジストパターンの膜減り量を推定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は，試料の実際のパターンエッジ端に即した輪郭線情報を出力する電子顕微鏡システムを提供することにある。
【解決手段】
電子顕微鏡像のパターンエッジの各点において，パターンエッジに対して接線方向に該電子顕微鏡像を投影して局所投影波形を生成し，各点で生成した局所投影波形を，予め作成しておいた，試料の断面形状と電子線信号波形とを関連づけるライブラリに当てはめることによって，試料上に転写されたパターンの断面形状を推定し，断面形状に則したエッジ端の位置座標を求め，この位置座標の連なりとしてパターンの輪郭線を出力する。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路パターンの欠陥検査において、欠陥検査回数を制限しつつ、致命欠陥の管理を容易にする。
【解決手段】
半導体集積回路の設計者が設計したパターン設計情報５に加え、パターンの重要度をその設計意図に応じて順位付けした設計意図情報６を記憶する。また、露光装置を介して、設計された回路パターンをウエハ上に露光転写する際に、露光装置の特性等によってシステマティックに発生する欠陥を、あらかじめシミュレーションによって予測し、ホットスポット情報７として記憶する。これら設計意図情報６とホットスポット情報７を組み合わせることによって、半導体集積回路の特性に対して、システマティックな欠陥が発生可能性の高い検査場所を限定し、欠陥検査時間を大幅に短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】凹部の形状を正確に把握することができる計測方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に形成された凹部の底面に対する側壁の角度を測定する工程（処理Ｓ１）と、凹部の底面に対する側壁の角度、幅寸法、深さ寸法を含んだパラメータ群を複数設定し、複数のパラメータ群にそれぞれ関連づけられた複数の反射光の波形を有するライブラリを作成する工程（処理Ｓ２）と、凹部に対し光を照射する工程と（処理Ｓ４）、反射光を検出する工程（処理Ｓ５）と、反射光の波形と、ライブラリから選択した波形とを照合する工程（処理Ｓ６）と、反射光の波形とライブラリから選択した波形とのずれが所定値未満である場合に、選択した波形に関連づけられた凹部の幅寸法等のパラメータを最適値とし、凹部の形状を把握する工程を含む。ライブラリの複数のパラメータ群の凹部の底面に対する側壁の角度は処理Ｓ１での測定値である。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによるマスクパターン計測値を実際のマスクパターン転写に適応した値に補正することで、マスク転写特性の予想やＯＰＣの調整を正確に行い、実用的に信頼性が高いフォトマスクのパターン寸法測定方法およびフォトマスクを提供する。
【解決手段】ＳＥＭで測定するフォトマスクのパターン寸法測定方法であって、各パターン寸法における回折光強度を測定するステップと、前記パターンをＳＥＭで測定して測長値を得るステップと、電磁場解析シミュレーションを行い、回折光強度のシミュレーション値を得るステップと、前記回折光強度測定と前記シミュレーションとから算出されたパターン寸法値と前記ＳＥＭで測定した測長値とのオフセット量から補正値を決定するステップと、前記補正値を前記ＳＥＭで測定した他のパターン寸法値に適用するステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】
本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】
入射電子線により試料上の観察領域内のパターン寸法を計測する方法において、これまで実現困難であった高精度でかつ低ダメージの計測を可能とするパターン寸法計測技術を提供する。
【解決手段】
試料上の観察領域を走査される入射電子線に対して発生する反射電子または二次電子強度の情報から前記観察領域内のパターンの寸法を計測する方法において、前記試料上の複数の観察領域に電子線を照射することで得られる複数の電子顕微鏡像を重ね合わせることにより一つの画像を作成し、重ね合わせた前記一つの画像の強度情報からパターンの寸法を計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試験構造を有する基板上のダブルパターニング・オーバレイ誤差の計算の信頼性を改良する。
【解決手段】基板上の第一構造と第二構造の間のオーバレイを測定する方法が提供される。構造は、平行線などの等距離要素を備え、第一及び第二構造の等距離要素が交互になる。本発明によれば、第一構造の要素の設計幅ＣＤ₁は、第二構造の要素の設計幅ＣＤ₂と異なる。設計幅の差を使用して、不適切に測定されたオーバレイ誤差を有する測定点を識別することができる。 （もっと読む）

【課題】 バンプのような微小面積の領域において形成された薄膜の膜厚を簡易に精度良く測定する方法を提供する。
【解決手段】 Ａｕ薄膜５を透過してＡｕ薄膜５下層のＮｉバンプ４に対して電子が侵入し得る範囲内の加速電圧の下で電子線６を照射する第１ステップと、前記電子線照射によって、バンプ４から放射されるバンプ材料の特性Ｘ線、並びにＡｕ薄膜５から放射されるＡｕの特性Ｘ線を検出すると共に、両特性Ｘ線の強度比を測定する第２ステップと、評価用第１薄膜を透過して評価用バンプに電子が侵入し得る範囲内の加速電圧の下で電子線を照射したときに取得された、バンプ材料及びＡｕの特性Ｘ線の強度比と評価用第１薄膜の膜厚値との関係を示す情報である第１検量線、並びに、第２ステップで測定された前記バンプ材料及びＡｕの特性Ｘ線の強度比からＡｕ薄膜５の膜厚値を導出する第３ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】わずかな間隔の違いを拡大して表現するモアレ法を、特に微細な領域での測定を得意とする電子線モアレ法を用い、容易に走査照射装置の走査精度を検定する方法を提供する。
【解決手段】検定試料として、グリッドを形成する材料と基板とが粒子線又はエネルギー線に対する透過性又は反射特性又は電子やイオンの発生特性が異なるようにして、前記基板にグリッドが形成された基準板に対して、平行にあるいは鋭角な角度を持って前記粒子線又はエネルギー線を走査状に照射して画像を得る。広範囲における倍率を検定できるよう、基準となるグリッドを校正すべき装置の能力に見合うように作製し、これを用いてモアレ縞を発生させ、このモアレ縞の形状より、走査幅の不均一や不正確さを検定校正する。 （もっと読む）

【課題】
外乱等の影響に依らず、焦点等の調整が行われた高画質画像に基づく測定が可能な試料
の検査，測定方法を提供すること。
【解決手段】
焦点調整が行われた電子ビームを走査して、前記パターンを測定するための画像、或いは測定のための位置合わせを行うための画像を形成し、当該画像の評価値と、予め取得された参照画像の画像評価値を比較し、当該参照画像との比較によって、前記形成された画像が所定の条件を満たさないと判断される場合に、前記電子ビームの焦点調整を再度実行する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】探索画像中にテンプレートと類似したパターンが存在する場合でも正確なマッチング位置を出力する検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】画像探索部にテンプレート選択画像におけるテンプレートの相対位置と探索画像における現在探索中の場所の相対位置を比較してその位置ずれ量を出力する相対位置比較部を有し、マッチング位置決定部において探索画像類似度分布情報のみならず、前記位置ずれ量をも考慮しマッチング位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】 位相シフト部を有する回折格子の形状評価を高い精度でおこなうことができる回折格子の形状評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る回折格子の形状評価方法は、位相シフト部を有する回折格子の形状評価方法であって、回折格子の凹凸に対応する干渉縞を検出する干渉縞検出工程と、干渉縞検出工程で検出した干渉縞に基づいて、回折格子の形状評価をおこなう形状評価工程とを含む。この回折格子の形状評価方法においては、回折格子の凹凸に対応する干渉縞を検出して、その干渉縞に基づいて回折格子の形状評価がおこなわれる。この干渉縞は、位相シフト部において変化するため、この回折格子の形状評価方法においては、位相シフト部を有する回折格子の形状評価を高い精度でおこなうことができる。 （もっと読む）

【課題】寸法検査工程において、回路パターンまたはＱＣパターンの活性化領域上のゲート電極寸法を高精度に計測し、半導体装置を安定して製造する。
【解決手段】測定対象の画像データから、配線幅プロファイルを取得し、設計データベースから活性化領域の幅やピッチなどの下層レイヤの寸法を取得し、活性上解析領域を幅、およびピッチで設定し、画像の端からの位置をｘとする。活性上解析領域の配線幅の平均値をＡＥＩ＿Ａ（ｘ）として計算する。位置ｘを０からＴまで移動すると、配線幅の平均値ＡＥＩ＿Ａ（ｘ）は下層レイヤのピッチ構造に応じて変動する。下層レイヤの活性化領域と活性上解析領域が一致した場合、配線幅の平均値ＡＥＩ＿Ａ（ｘ）は最大値をとる。この極値を活性領域上のゲート電極寸法の計測結果とし、半導体装置の製造工程を管理する。 （もっと読む）

【課題】膜厚に起因するピークシフトの影響を除去することである。
【解決手段】薄膜試料Ｗに向かって電子線を照射する電子線照射部と、前記電子線の照射によって薄膜試料Ｗから発生する光）Ｌを分光し、検出する光検出部と、前記光検出部からの出力信号を受信して光）Ｌのスペクトルのピーク波長である測定ピーク波長を算出するピーク波長算出部４１と、膜厚既知の標準試料により得られた膜厚とその膜厚におけるピーク波長である基準ピーク波長との関係を示す基準データを格納する基準データ格納部Ｄ１と、前記基準データから前記薄膜試料Ｗの膜厚に対する基準ピーク波長を算出する基準ピーク波長設定部４２と、前記測定ピーク波長及び前記基準ピーク波長をパラメータとして、前記薄膜試料Ｗの状態を分析する分析部４３と、を備えている。 （もっと読む）