【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第１の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第１の二次信号Is₁を取得するステップと、試料Sに第２の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第２の二次信号Is₂を取得するステップと、第２の二次信号Is₂と第１の二次信号Is₁との比Is₂／Is₁を算出するステップと、比Is₂／Is₁が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is₂／Is₁に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t₀となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t₀に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法を提供すること。
【解決手段】例えばメモリ・アレイまたは類似の構造内の個々のビット・セルの欠陥を特徴づけまたは補正するために、本発明の好ましい実施形態を使用して、メモリ・アレイまたは類似の構造内の単一のビット・セルへ迅速にナビゲートすることができる。アレイの（Ｘ軸またはＹ軸に沿った）１つのエッジのセルの「ストリップ」を走査するために高解像度走査を使用して、所望のセルを含む列の位置を特定し、続いて、位置が特定された列に沿って（もう一方の方向に）、所望のセル位置に到達するまで同様に高速走査する。これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスやデバイスシステムの欠陥箇所や不良箇所を、３次元の電流像を用いて特定することができる３次元像測定装置を提供する。
【解決手段】３次元像測定装置１００は、走査信号を走査ミラー２３に出力する走査回路２４と、第２の対物レンズ２５を光軸に沿って移動させ、光軸方向における試料２００及び第２の対物レンズ２５間の相対距離を変化させる光軸方向移動機構２６と、制御信号を光軸方向移動機構２６に出力する光軸方向移動制御回路２７と、試料２００に流れる誘起電流を出力する導電性プローブ３１と、走査回路２４からの走査信号及び導電性プローブ３１からの電流値に基づいて試料２００の２次元電流像を構築し、光軸方向移動機構２６による各相対距離における各２次元電流像を重ね合わせた３次元電流像を構築する演算部４３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェブ又は板状の被測定物の温度分布が異なる場合であっても、ウェブ又は板状の被測定物の温度を正確に測定することができる温度測定装置及び温度測定方法を提供する。
【解決手段】ウェブ又は板状の被測定物ａの物理量を測定する際に、ウェブ又は板状の被測定物ａの温度を測定する温度測定装置である。エアーカーテン形成手段１０にて、ウェブ又は板状の被測定物ａの物理量測定部位を外部からの気流を遮断する気流流入防止雰囲気に形成し、その雰囲気中でウェブ又は板状の被測定物ａの温度又はウェブ又は板状の被測定物ａの近傍の温度を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高いスループットにて実現することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する特徴量を抽出し、当該２つの特徴量の比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置、及びコンピュータープログラムを提案する。 （もっと読む）

【課題】試料に形成された多数のパターンの座標を短時間で計測することが可能な座標計測装置を提供する。
【解決手段】偏向器１３により電子線１２を偏向走査することで、試料Ｍに形成された複数のパターンのＳＥＭ画像が画像取得手段３５により取得される。取得したＳＥＭ画像に含まれる複数のパターンのうちの一のパターンの座標がステージ位置に対応させられ、この一のパターンの座標に対する他のパターンの相対的な座標が座標計測手段３８により計測される。ステージ２２を移動させて又は移動させながら、ＳＥＭ画像を取得し、座標を計測させる制御を繰り返し実行する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、ダブルパターニングによって形成される第１パターンと第２パターン間のずれ、重なり領域の評価を適正に行い得る方法，装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、第１パターンに関する情報と、ダブルパターニングの第２の露光によって形成される第２パターンの設計情報とを結合した結合情報と、第１パターンと第２パターンが表示された画像との間で、２段階のマッチングを行い、第２のパターンの設計情報の移動量に基づいて、第１パターンと第２パターンとの間のずれ量を求める方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐ノイズ性が高く，僅かな解像力の差異が抽出可能な静電潜像評価方法、静電潜像評価装置、画像形成装置を得る。
【解決手段】静電潜像パターンが形成された光導電性試料の面を荷電粒子ビームにより走査し，パターンによる電気的影響を受けた荷電粒子を捕獲して強度信号を検出し，強度信号から潜像パターンを含む断面プロファイルを抽出し，露光部，非露光部の強度信号から基準量，特徴量を抽出し，光導電性試料の潜像解像力を算出する。空間周波数の異なる複数の静電潜像パターンを光導電性試料の面に形成し，それらの断面プロファイルにおける露光部，非露光部の強度信号のうち，最も空間周波数の低いパターンの露光部における強度信号値，パターン外の非露光部における強度信号値を基準量として，各空間周波数において潜像の解像力を算出し，潜像のレスポンス関数を算出する。 （もっと読む）

【課題】
外乱等の影響に依らず、焦点等の調整が行われた高画質画像に基づく測定が可能な試料
の検査，測定方法を提供すること。
【解決手段】
焦点調整が行われた電子ビームを走査して、前記パターンを測定するための画像、或いは測定のための位置合わせを行うための画像を形成し、当該画像の評価値と、予め取得された参照画像の画像評価値を比較し、当該参照画像との比較によって、前記形成された画像が所定の条件を満たさないと判断される場合に、前記電子ビームの焦点調整を再度実行する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）

【課題】漏れが発生する前に管状被検体の劣化或いは破損を非破壊で検知可能な非破壊検査装置及び非破壊検査方法を提供すること。
【解決手段】管状被検体に放射線を側面から照射する放射線源と、前記管状被検体を透過した放射線を検出して透過画像を得るイメージセンサと、前記イメージセンサにより得られた前記透過画像から前記管状被検体の管壁画像情報を生成する画像情報生成手段と、前記画像情報生成手段により生成された前記管壁画像情報に基づいて、前記管状被検体の健全性を評価する評価手段とを具備することを特徴とする非破壊検査装置を使用する。 （もっと読む）

【課題】従来技術では極めて困難であった、感光体の表面に生じている電荷分布あるいは電位分布をミクロンオーダーで高分解能の計測を可能にする方法及び装置を提供する。
【解決手段】感光体試料１７に対して、荷電粒子ビームを照射する照射手段２と、該照射によって得られる荷電粒子の信号を検出する検出手段５と、感光体試料１７の電荷分布の状態を測定する測定手段としての画像処理手段５１と、感光体試料１７に複数の潜像パターンを形成するための露光手段３と、露光手段３の光源の発光を制御する発光制御手段としてのＬＤ駆動部２１及び制御手段２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】
電子線照射に対する耐性が低い材料では，Ｓ／Ｎの良好な電子顕微鏡画像を得ることが難しい。これに対し，従来の画像平滑化処理を行うと，計測の安定性は向上するが，絶対値に対する計測誤差や感度が低下したり，立体形状情報の質が劣化したりという問題が生じる。
【解決手段】
計測対象パターンの寸法ばらつきを考慮して，信号波形が持つ立体形状情報を劣化させない画像平均化処理を行うことにより，計測安定性と精度および感度の向上を両立する。本発明により，高精度なパターン寸法および形状の計測と，それを用いた高感度な半導体製造プロセスの管理が実現できる。 （もっと読む）

【課題】人為的判断が入らず、条件により値が変わるなどの不正確さがなく、かつ磁性塗膜以外も適用可能な層厚さ測定方法及び層の界面平滑度の測定方法を提供する。
【解決手段】元素組成の異なる層を有する構造物における層厚さ測定方法であって、前記構造物の断面を作製する断面作製工程１と、前記断面の断面画像を取得する画像取得工程２と、前記取得した断面画像から画像輝度データを得る画像輝度データ取得工程３とを備えており、前記断面画像の厚さ方向において、前記断面画像の前記画像輝度データの変化率が極値となる位置を前記層の界面位置とし、前記界面位置に基づいて前記層の厚さを求める。 （もっと読む）

【課題】規則的な配列パターンのピッチがより微細化するフォトニック結晶やピクセルアレーなどの材料やディバイスなどにおける配列の乱れをより簡便に、正確に、短い時間で、所望の範囲にわたって検出、測定することができる、微小な規則的パターンの配列の乱れを検出測定する方法を提供する。
【解決手段】微小な規則的パターンを有する被検出対象物上に、エネルギー線を所定の走査パターンで照射し、エネルギー線を照射したときに生ずる二次電子発生量、反射粒子量、二次イオン発生量あるいはＸ線量の違いによりモアレ縞を形成させて、そのモアレ縞に基づいて被検出対象物が有する規則的パターンの変形の様子を一度に所定範囲で観察し、局部的な配列の乱れを検出または測定する。 （もっと読む）

【課題】高分解能を維持しつつ、短い撮影時間で欠陥の画像情報を取得する荷電粒子ビーム検査方法および装置を実現する。
【解決手段】第１の撮影領域および第１の照射条件を用いた低倍率の第１の欠陥画像情報８６および参照画像情報８７を、すべての欠陥位置で求め、これらの画像から欠陥の高精度欠陥位置情報求め、この高精度欠陥位置情報に基づいて、高倍率の第２の撮影領域および第２の照射条件を設定し、すべての第２の欠陥画像情報８８を取得することとしているので、第１および第２の照射条件を一度切り替えるだけで、すべての撮影を終了し、かつ第２の照射条件を電流の小さいものとして分解能の低下を防止し、高分解能を維持したまま撮影時間を短いものとすることを実現させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、二次元領域を荷電粒子線走査する際の帯電の偏りを、抑制するのに好適な画像形成方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とするものである。
【解決手段】本発明では、第１の走査線と第２の走査線との間に、第３の走査線を走査させ、当該第１の走査線と第３の走査線との間、及び第２の走査線と第３の走査線との間で、前記第１，第２、及び第３の走査線が走査された後に、複数本の走査線を走査する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】キャリブレーション時に生じるビームドリフトによる影響を抑制することができ、描画精度の向上に寄与する。
【解決手段】荷電ビーム描画装置の偏向器１２の偏向領域内に位置検出用のマークをマトリクス状に配置し、偏向器１２により荷電ビームを偏向することによって各々のマークの位置を測定し、測定結果に基づき偏向器１２の偏向感度の補正を行う方法であって、マーク位置の測定順をランダムに行う。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された薄い酸化膜の膜厚を、二次イオン質量分析法により、より簡便且つ正確に測定する。
【解決手段】既知の膜厚を有する酸化膜に一次イオンを照射することでスパッタリングしつつ放射される二次イオンの検出強度の最大値を取得して膜厚と二次イオンの検出最大値との関係を示す検量線を作製し、次いで、未知の膜厚を有する同一酸化膜に対して同様に二次イオンの検出最大値を取得し、その値を先の検量線に外挿することによって膜厚に換算することにより未知の膜厚を得る。 （もっと読む）

【課題】構造の３次元表面粗さを測定する改良された方法を提供すること。
【解決手段】事前に選択された測定距離にわたって事前に選択された間隔において、対象フィーチャの断面または「スライス」の連続をミリングするために、集束イオン・ビームが使用される。各断面が暴露される際、フィーチャの該当寸法を測定するために、走査電子顕微鏡が使用される。次いで、これらの連続「スライス」からのデータは、フィーチャについて３次元表面粗さを決定するために使用される。 （もっと読む）