【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と１回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と２回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、１回目の露光の工程で形成されたパターンと２回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭにおいて、同心円状パターンの異常、欠損等を自動で検出することができる。
【解決手段】同心円状のパターンを有する試料のＳＥＭ画像を撮像する画像撮像部と、前記画像からドット状パターンの重心点または線状パターンの中心線を求め、求めた重心点または中心線から所定の値を算出し、該所定の値と理論値との差分値を求め、該差分値と所定の閾値とを比較する位置測定部と、前記比較結果を表示装置に出力する出力部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロセス変動の大きいパタ−ンを測定する場合に、予め登録した測定領域において、測定対象パターンの周囲に測定対象ではないパターンやゴミ等のノイズが存在すると正しい測定ができない。
【解決手段】試料の画像データのうち、パターンマッチングを行って位置合わせされた所定の領域を、パターン測定の対象から除外する非測定対象領域として設定する。例えばプロセス変動の大きいパターンを測定する場合では、パターンマッチングにおいてプロセス変動の小さいパターンを含んだ領域のみを使用し、パターン測定の際には、パターンマッチングに使用して位置合わせされた所定の領域を非測定対象領域として設定する。
【効果】測定領域と非測定対象領域が重畳する領域の影響を受けることがなく、プロセス変動の大きいパターンに対しても容易にかつ安定したパターン測定を可能とする。 （もっと読む）

【課題】
モデルベース計測法は、予め作成した種々の断面形状に対するＳＥＭ信号波形のライブラリとのマッチングにより断面形状を推定することが可能であるが、従来のモデルベース計測法では、断面形状のモデル化が適切か否かを判断するための機能、あるいは、推定結果の確からしさを確認する機能が供されていなかった。
【解決手段】
モデルベース計測にて実パターンの計測を行うのに先立ち、ライブラリ波形間のマッチングにより解空間（予測解空間）を求め提示する。また、モデルベース計測による実パターンの計測後に、実波形とライブラリ波形とのマッチングにより解空間（実解空間）を求め提示する。 （もっと読む）

【課題】複数の信号を用いた高精度な寸法測定を実現することを可能にする。
【解決手段】本実施形態は、走査顕微鏡を用いて対象物の寸法測定を行う寸法測定方法であって、前記対象物の測定に関する始点および終点となる測長点を定義する工程と、前記対象物にビームを入射して走査することにより、同時刻における前記対象物からの複数の信号を検出する工程と、前記対象物の測長点の定義に基づいて、前記複数の信号から測長点を決定する工程と、前記対象物において決定された測長点の間の距離を算出する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高感度で微小欠陥を検出する。
【解決手段】実施形態のパターン欠陥検査装置は、検査対象パターンに関する第１のデータに基づいて、前記検査対象パターンに対する電子ビームの照射点の軌道に関するデータを含み前記電子ビームの走査を制御するためのデータである電子ビーム照射点軌道データを生成する電子ビーム照射点軌道データ生成手段と、前記電子ビーム照射点軌道データに従って前記検査対象パターンに電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記電子ビームの照射により前記検査対象パターンから発生する二次電子を検出する二次電子検出手段と、前記二次電子検出手段の出力信号から前記二次電子の信号強度に関する第２のデータを取得する信号強度取得手段と、前記第２のデータから異常点を検出して前記検査対象パターンの欠陥として出力する欠陥検出手段と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電位コントラスト像から配線のコントラストを簡便かつ正確に認識し、抽出することのできる半導体装置のコントラスト画像処理方法、処理装置、処理プログラムを提供する。
【解決手段】解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像をコントラスト像に合わせて自動的に減色する減色処理と、減色されたコントラスト像に含まれる画素をあらかじめ設定したコントラスト閾値を基準に分類し、複数のコントラストに分別された配線パターンを抽出する配線コントラスト抽出処理と、配線パターンの輪郭部分に含まれるノイズを輪郭部分のシフトにより除去するシフト処理と、を含み、解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像に含まれる配線パターンを所定のコントラストに区分して抽出する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、輪郭線が周期性を有する描画パターンのパターン幅を、精度よく測定できるパターン幅測定プログラム、パターン幅測定装置を提供する。
【解決手段】測定プログラム５５ａは、複数の単位形状３が一定の配列ピッチＰで配置された段付データ２に基づいて描画され、周期性を持つ輪郭線５ａを有する段付パターン５を測定する測定装置５０を、段付パターン５の測定領域ＡでのボックスＢ１〜Ｂ３のボックス長さＬ１を、単位形状３の配列ピッチＰに対応した長さに設定するボックス設定部５６ｃと、ボックス設定部５６ｃが設定したボックスＢ１〜Ｂ３の段付パターン５の幅を、一定の間隔毎に測定してパターン幅測定データを取得する電子顕微鏡５４と、電子顕微鏡５４が取得したパターン幅測定データに基づいて、ボックスＢ１〜Ｂ３内で平坦化したパターン幅を算出するパターン幅算出部５６ｆと、して機能させる。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置を用いたパターンの寸法計測または、形状観察において、高スループット化を可能にする。
【解決手段】試料の表面に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の収束させた電子ビームを照射し走査して試料から発生する二次電子または反射電子を検出して試料のＳＥＭ画像を取得し、取得したＳＥＭ画像を処理して画像取得条件を設定し、設定した画像取得条件に基づいて走査電子顕微鏡で試料のＳＥＭ画像を取得し、設定した画像取得条件に基づいて取得したＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて試料を撮像して得たＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡装置及びその画像取得方法において、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件と、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件を変えてＳＥＭ画像を取得するようにした。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の２本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の２本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、２本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 （もっと読む）

【課題】感光体表面に生じている静電潜像をミクロンオーダーで高精度に計測する静電潜像計測装置および静電潜像計測方法を提供する。
【解決手段】電子銃１１と、光源１００と、音響光学偏向素子１０３と、ポリゴンミラー１０５と、２次電子検出器２４と、音響光学偏向素子１０３の駆動周波数の変化が回折に与える影響を補正する補正手段と、を備えた静電潜像計測装置。１次元方向への走査は音響光学偏向素子１０３による回折、他の１次元方向への走査はポリゴンミラー１０５による偏向により行うことで２次元方向への走査を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データと輪郭線、或いは輪郭線間のマッチングを行うに当たり、両者の対応点を正確に特定する画像処理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、第１の線分によって形成される第１のパターンと、第２の線分によって形成される第２のパターン間の位置合わせを行うときに、第１の線分と第２の線分上にそれぞれ第１の対応点と、第２の対応点を設定し、第１の対応点と第２の対応点間の距離に基づいて、第１のパターンと第２のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、第１の線分と第２の線分の形状差に応じて、第１の対応点、及び／又は第２の対応点の位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスやデバイスシステムの欠陥箇所や不良箇所を、３次元の電流像を用いて特定することができる３次元像測定装置を提供する。
【解決手段】３次元像測定装置１００は、走査信号を走査ミラー２３に出力する走査回路２４と、第２の対物レンズ２５を光軸に沿って移動させ、光軸方向における試料２００及び第２の対物レンズ２５間の相対距離を変化させる光軸方向移動機構２６と、制御信号を光軸方向移動機構２６に出力する光軸方向移動制御回路２７と、試料２００に流れる誘起電流を出力する導電性プローブ３１と、走査回路２４からの走査信号及び導電性プローブ３１からの電流値に基づいて試料２００の２次元電流像を構築し、光軸方向移動機構２６による各相対距離における各２次元電流像を重ね合わせた３次元電流像を構築する演算部４３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パターンの輝度の影響を受けることなく、ラインパターンとスペースパターンを容易に識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。
【解決手段】パターン測定装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、電子ビームの光軸を挟んで設置された第１の電子検出手段及び第２の電子検出手段と、パターンの画像データを生成する画像処理手段と、パターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成手段と、第１の電子検出手段で検出された信号と第２の電子検出手段で検出された信号との差分に対応する電子量を基に画像処理手段にパターンの画像データを生成させる制御手段を有する。制御手段は、第１の電子検出手段で検出された信号と第２の電子検出手段で検出された信号との差分を基に作成されたラインプロファイルによりパターンの立下り又は立上りを判定し、ラインの線幅を測定するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】高感度でかつ測定誤差の小さい側壁角度を非破壊で算出可能な荷電ビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明の荷電ビーム装置は、荷電ビームを試料に対して斜め入射させて得られたＳＥＭ画像により得られる生のＳＥＭ輝度値プロファイルを移動平均フィルタを用いて生のＳＥＭ輝度値プロファイル信号に含まれているノイズを除去した後、ノイズが除去されたＳＥＭ輝度値プロファイル信号を微分してその微分波形Ｐｗの最大値Ｐｗｍａｘと最小値Ｐｗｍｉｎとを取得し、最大値に対応する電子線の走査方向のピクセルの座標点と微分波形の最小値に対応する電子ビームの走査方向のピクセルの座標点との差に基づきピーク幅ｗ４を求め、実際に測定により求めた側壁部の傾斜角度とピーク幅との関係に基づき得られた換算係数と、ピーク幅ｗ４とに基づき側壁部の傾斜角度を求める。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電気特性を測定する場合に、検査対象の電気特性に影響を与えることなく、ＳＥＭ画像の高倍率化、高分解能化及びリアルタイム性を実現する。
【解決手段】試料上の検査対象における目標位置の像を含む高画質且つ高倍率の第１の画像を取得する。次に、試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第２の画像を取得する。次に、第２の画像に第１の画像データを組み込むことによって、第２の画像の倍率と同一の倍率の粗寄せ観察用の画像を生成する。プローブが検査対象における目標位置に近接するまで、粗寄せ観察用画像の生成を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】高さ方向で構造が変化するようなパターンであっても、走査型顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）を用いて取得した画像データを用いて所望のパターンエッジが再現性よく決定できる画像処理条件（閾値等）を、簡便に得ることのできる画像データ解析装置を提供する。
【解決手段】記録装置５０４と処理部５０３と表示部５０２とを有する画像データ解析装置であって、処理部５０３は、記録装置５０４に記録された画像データを用いてノイズ及びノイズを除去したエッジラフネスと閾値との関係を表すグラフや、それから求めたエッジを決定するための閾値を表示部５０２に表示する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査，測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査，測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子線走査個所の表面電位の電位計測結果から、当該走査個所より広い領域の電位分布に基づいて得られる電位を減算する装置、及び方法を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査，測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターンサイズに応じてシュリンクの程度が異なる場合であっても、適正に寸法測定、或いはパターンエッジの輪郭線抽出を行うことを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料に電子ビームを走査することによって得られる信号に基づいて、試料上に形成されたパターンの寸法を測定するパターン寸法測定装置において、パターンの寸法値に、パターンの寸法に応じた補正量を加算することによって、パターン寸法値を補正する演算装置を備えたパターン寸法測定装置を提案する。 （もっと読む）