【課題】タービンや発電機等の回転体軸の軸伸び量を非接触でかつ遠方での測定が可能であり、かつ装置の信頼性と安全性が高く高精度の測定が可能となる回転体軸の軸伸び量測定装置を提供する。
【解決手段】回転体軸に放射線源を設けこれと放射線検出器を対向させて配置し、放射線検出器の検出信号に基づいて回転体軸の軸伸び量を測定する回転体軸の軸伸び量測定装置において、回転体軸１の軸長方向に沿って設けられ、回転体軸の半径方向に放射線を放射するように配置された放射線源３と、回転体軸の半径方向に放射線源と離間して対向配置され、放射線を検出する放射線検出器５と、放射線源と放射線検出器との間に配置され、回転体軸の軸伸び量がゼロの状態において放射線の放射線検出器への入射を遮蔽する遮蔽部材６とを備え、回転体軸の軸伸びに伴って放射線検出器で検出される放射線の線量率の変化に基づき、回転体軸の軸伸び量を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するＴＥＭやＳＴＥＭ、或いはＳＥＭにおいて、画像のサブミクロンから数１０μｍの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる２つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】
計測対象領域に曲線部分を持つパターンの寸法値を高精度に計測するためには、画像の垂直方向或いは水平方向とパターンの曲線部分における局所的な軌道とがなす角度を算出する必要がある。しかし、パターンエッジを基に該角度を算出した場合、エッジラフネスによりエッジ線の該角度がパターン軌道と異なるケースにおいて、測長精度低下を招く危険があるという課題があった。
【解決手段】
パターンの軌道を示す補助点列から前記角度を算出し、パターン計測を行なう手法を提供することにより、パターンエッジのラフネスの影響を抑制した高精度パターン計測を可能とする。 （もっと読む）

【課題】ディスク媒体に同心円状に形成されたトラックのパターンを、回転ステージの回転同期軸振れの影響を受けることなく、適正に検査できるようにする。
【解決手段】本発明のパターン検査装置１は、レジスト膜への電子ビーム照射によりパターン描画されているとともにパターン描画が周方向への回転動作を利用して行われたディスク媒体４のトラックのパターンを検査するものであって、ディスク媒体４が載せられる回転ステージ１４と、この回転ステージ１４に載せられたディスク媒体４に対して電子ビームを照射する照射光学系２と、この照射光学系２による電子ビームの照射によって回転ステージ１４上のディスク媒体４から発生する電子を検出する電子検出器３とを備え、回転ステージ１４は、ディスク媒体４にパターン描画するときに当該ディスク媒体を回転動作させるために用いた回転ステージと同一の回転ステージで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 高精度測長校正を実現する校正用標準部材を提供する。
【解決手段】 光学的回折角測定が可能な回折格子パターンに座標位置を表すマークパターンを混在させ、かつ回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることで本標準部材の作製および実現が可能となる。
【効果】 回折格子座標位置を示すマークを回折格子近傍に配置させることにより、校正に用いる回折格子位置の確認が容易になる。また、回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることにより回折格子配列内の近接効果の差異の無い均一な回折格子パターンが実現できる。更に、十字マークを回折格子配列に隣接して配置できるので高精度な回折格子位置決めが実現できる標準部材を用いることにより高精度かつ容易な回折格子位置決め校正が可能となり次世代半導体加工に対応した高精度測長校正が実現できる。 （もっと読む）

【課題】設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】 油圧機器の摺動部の摩耗を十分抑制しながら省エネルギー化を可能とする潤滑膜の選別方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の潤滑膜の選別方法は、鋼材１の表面にリン及び硫黄が含まれる潤滑膜２が形成されている検体１０を準備するステップと、検体１０について潤滑膜２の膜厚Ｔを測定するステップと、検体１０について潤滑膜２中の硫黄元素濃度［Ｍ_Ｓ］（モル％）及びリン元素濃度［Ｍ_Ｐ］（モル％）を測定することにより、潤滑膜の厚さ方向Ｄにおける硫黄元素濃度［Ｍ_Ｓ］（モル％）に対するリン元素濃度［Ｍ_Ｐ］（モル％）の濃度比［Ｍ_ｐ］／［Ｍ_ｓ］の変動幅Ｗを求めるステップと、上記膜厚Ｔが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり且つ上記変動幅Ｗが５以下である潤滑膜を選別するステップと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部１０１２や倍率補正部１０１４、歪曲補正部１０１８、画像合成部１０１５及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部１１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭを用いた半導体パターンの画像の取得に関して、ＳＥＭの撮像に伴う電子線照射による試料へのダメージを抑えつつ、高分解能なＳＥＭ画像を取得することである。
【解決手段】
電子線の照射エネルギーを抑えて撮像した低分解能なＳＥＭ画像から形状が類似するパターンを持つ領域（類似領域）を複数抽出し、複数の前記領域の画像データから画像復元処理により一枚の高分解能な前記パターンの画像を生成することを特徴とする。また、設計データを用いて前記類似領域および画像復元処理が実行可能となるＳＥＭの撮像位置および撮像範囲を決定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複層膜厚の測定のために2つの線源を用いなくても、1つの線源と異なるシンチレータの組み合わせにより高精度にエネルギー弁別が行える安価でコンパクトな装置を用いて複層膜厚の同時独立算出を可能にした放射線測定方法を提供する。
【解決手段】同一線源から照射された放射線を複数の材質からなる被測定物に照射して透過させ、透過した透過線量から被測定物の物理量を測定する放射線測定方法において、透過した放射線を少なくとも２種類の検出器により検出し、それぞれの検出器からの出力を検量線を用いて弁別演算を行う工程と、弁別演算した値を用いて各層の坪量を演算する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクなどに形成されたホールパターンのラフネスを定量化する際に定量化すべき箇所を人為的に指定したりすることなくラフネスを迅速かつ正確に定量化することのできるホールラフネス定量化装置及びホールラフネス定量化方法を提供する。
【解決手段】計測対象パターンとリファレンスパターンの輪郭線から計測対象パターンのラフネスを定量化する際に、計測対象パターンの輪郭線上に位置する複数点の位置座標とリファレンスパターンの輪郭線上に位置する複数点の位置座標との差分距離を算出し、算出された差分距離に基づいて計測対象パターンのラフネス値を算出する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】
パターン寸法計測のスループットを低下させることなくパターンの材料や立体構造に関する情報を得ることができる荷電粒子線顕微鏡を提供する。
【解決手段】
荷電粒子線顕微鏡において、試料の観察視野を走査して得られたフレーム画像を複数枚取得し（Ｓ３０４、Ｓ３０５）、それらの画像を積算し（Ｓ３０７）、試料上に形成されたパターンの寸法を算出（Ｓ３０８）すると共に、フレーム画像を構成する１フレーム画像またはサブフレーム画像等からなる分別画像（Ｓ３０９，Ｓ３１０）を用いてパターン情報を取得する（Ｓ３１４）。 （もっと読む）

【目的】本発明は、画像比較方法および画像比較プログラムに関し、実画像上のパターンと元ＣＡＤデータのパターンとの比較を容易に行うと共に、同じようなパターンの幅のものが複数存在してもその対応関係を実画像上で容易に判別可能にすることを目的とする。
【構成】試料を撮影した実画像からパターンを構成するライン、スペースのエッジを抽出するステップと、抽出したライン、スペースのエッジをもとにライン、スペースの幅、長さのいずれか一方あるいは両者に対応するエッジ間の距離を測定するステップと、測定したライン、スペースのエッジ間の幅および長さのいずれか一方あるいは両方に、実画像のライン、スペースと元のＣＡＤデータから生成したＣＡＤ画像のライン、スペースとのいずれか一方あるいは両者の比からなる補正係数を演算して補正ＣＡＤ画像を生成するステップと、生成した補正ＣＡＤ画像を実画像に重畳して表示するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】デバイス試料の傾斜ズレによる測長誤差を最小化する。
【解決手段】測長前に、試料の単結晶部分から回折パターンを取得し、取得された回折パターンに基づいて荷電粒子線に対する試料の傾斜角を補正する。 （もっと読む）

【課題】微細パターン中の微小なオープン欠陥やショート欠陥を検出する手法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された基板に電子線を照射し、基板から発生する低エネルギーの二次電子および高エネルギーの反射電子を検出してそれぞれの電子から第１および第２のＳＥＭ像を生成する。第２のＳＥＭ像から輪郭を抽出してパターンの輪郭データを取得し、該輪郭データを第１のＳＥＭ像に適用して検査領域を決定し、該検査領域に対して二値化処理を行うことにより、パターンまたは基板の欠陥を検出する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、測定領域検出方法および測定領域検出プログラムに関し、画像上である測定領域を指定すると当該測定領域と幅、長さが同じパターンの複数の測定領域を併せて抽出して測定し測定結果を出力することを目的とする。
【構成】ＣＡＤ画像上で測定場所を指定するステップと、内接する矩形の測定領域（指定）を検出して表示するステップと、検出した測定領域（指定）と幅あるいは長さあるいは両者が同じあるいは所定範囲内で同じ他の測定領域を抽出して測定領域（予測）を生成するステップと、被測定試料からＳＥＭ画像を取得するステップと、測定結果を取得するステップと、取得した測定結果をＳＥＭ画像上の対応する測定領域（指定）および測定領域（予測）にそれぞれ表示するステップとを有する． （もっと読む）