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Fターム[2F067JJ05]の内容

Fターム[2F067JJ05]に分類される特許

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【課題】レーザ光源の光出力の時間変化を測定することにより、感光体に形成された静電潜像を評価し、レーザ光源などの性能ないしは特性を評価する画像評価装置、画像評価方法を得る。
【解決手段】感光体139上に形成される静電潜像を評価する。レーザ光源131と、レーザ光源を所定の変調信号で駆動することによりレーザ光を射出させる駆動装置と、レーザ光源131からのレーザ光を感光体139上で走査して感光体上に静電潜像を形成する走査装置と、感光体139上の静電潜像の測定装置と、を有し、測定装置は、静電潜像の形成開始時と形成完了時の形状の変化を測定することができ、この形状の変化からレーザ光源の光出力の時間変化特性を評価する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、微細化されたデバイスの特性評価のために、プローブ相互間及び試料とプローブとの位置関係を把握して、信頼性の高い検査装置及び検査方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、電子源と、前記電子源から放出される電子線を試料に照射し、試料から放出される信号を検出する検出器と、試料を搭載するステージと、前記試料に触針する探針と、を有する検査装置において、前記試料の形状及び前記探針の形状及び配置の情報に基づいて、前記試料と前記探針の三次元画像を構成する演算部を備え、当該三次元画像を表示する表示装置を備えたことを特徴とする検査装置を提供する。前記三次元画像は、任意の方向からの画像を表示することができることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、試料を変えることなく、スケールレベルが異なる歪みを一貫して計測できる歪み計測手段を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、歪み計測用パターンは、歪み計測方法にて試料の歪みを可視化する為に試料表面に形成され、異なるスケールレベルの歪みに適合した複数のパターンを同一試料面に重ねて形成してあること、また、前記各パターンは、相互にその規則性、形状又は大きさが異ならせてあることを特徴とする手段を用いた。
また、前記歪み計測用パターンにおいて、モアレ法用のグリッドパターンと画像相関法用のドットパターンとが重ねられてなること、ミリスケール用パターンと、ナノスケール用パターンとにより構成されていることを特徴とする手段を採用した。 (もっと読む)


【課題】従来の荷電粒子線装置では、格子状に反復して配列された複数の素子を観察又は測定することを前提とする。このため、回転軸対称に配置されたパターンに対しては、それらが規則的に反復するパターンであったとしても、観察点又は測定点毎にテンプレートを登録する必要がある。
【解決手段】試料上に回転軸対称に配置されたパターンを、予め定めた手順に従って自動的に観察又は計測する際、テンプレート画像、観察点若しくは計測点の画像又は荷電粒子線の走査範囲である視野領域を、試料上の座標から算出した角度だけ自動的に回転させる。 (もっと読む)


【課題】凹パターンと凸パターンを有する絶縁膜における凹パターンの底面を明瞭に観察する。
【解決手段】絶縁膜に形成された、ラインパターン2とスペースパターン3を有するパターン1を観察するパターン観察方法であって、パターン1に電子ビームを照射してパターン1の仮画像を取得し、この仮画像を用いてラインパターン領域4とスペースパターン領域5を算出し、ラインパターン領域4に対して正帯電条件で電子ビームを照射し、かつ、スペースパターン領域5に対して負帯電条件で電子ビームを照射することにより、ラインパターン2の上面とスペースパターン3の底面との間に、スペースパターン3の底面から放出される二次電子をパターン1の外側に引き出すための電界を形成し、その後、パターン1に電子ビームを照射して、スペースパターン3の底面の情報を有するパターン1の画像を取得する。 (もっと読む)


【課題】
半導体パターンの広範囲の撮像領域(EP)を複数の撮像領域(SEP)に分割し,SEPをSEMを用いて撮像した画像群を画像処理により繋ぎ合せるパノラマ画像合成技術において,繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが少なくても全画像が繋がるSEPを決定すること,およびそのようなSEPを決定できなくてもユーザの要求項目をなるべく満たすSEPを決定することである。
【解決手段】
一部のSEP間の重複領域に繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが含まれなくても全画像が繋がるケースがあることに着目し,SEP配置の最適化により前記ケースを抽出することで全画像が繋がるSEPを決定できるケースが増える。また,そのようなSEPを決定できなくても,複数のSEP配置の候補とユーザの要求項目を可視化した情報を表示・SEPを選択させることでユーザの要求項目をなるべく満たすSEPを容易に決定できる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、観察対象である試料の伸縮の変化を抑えることにより、観察対象の位置ずれを解消し、大幅なスループット向上を図った荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】本発明は、試料を保持する試料保持手段と、前記試料の温度の調整が可能な温度調節手段と、各種条件に基づき前記温度調節手段の制御が可能な温度調整手段制御手段を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】リターディング電圧印加方式によってナノインプリント用フォトマスク上のパターン寸法を正確に測定することができる微小寸法測定走査電子顕微鏡(CD-SEM)等の荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】ナノインプリント用フォトマスクをホールダに装着するためのアタッチメントを用いる。倍率ずれを求め、それを用いて、ナノインプリント用フォトマスク上のパターンの寸法の測定結果を修正する。倍率ずれは、ホールダの寸法校正用試料とナノインプリント用フォトマスクの寸法校正用試料を用いて求める。更に、倍率ずれは、ナノインプリント用フォトマスクの帯電電圧から求めてもよい。 (もっと読む)


【課題】正確かつ高速なパターンの形状評価を実現できるパターン形状評価方法および装置を提供する。
【解決手段】ダブルパターンニング用の設計パターンを用いて製造した回路パターンの接合部の画像を読み出し、その上に、目標境界線と評価領域とを設定する。評価領域において、目標境界線の方向に沿って画像処理を行ない、更に、二値化処理を行なう。こうして、得られた画像に基づいてパターンの欠陥の有無を判定する。 (もっと読む)


【課題】多くの測定点数が存在するホトマスクのCD検査において、再検査を実行するための再検査用レシピを的確かつ自動で生成する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料の位置座標、測定条件を含むレシピに基づいて、前記試料の自動測長を行う荷電粒子線装置であって、前記試料にUVまたはイオン照射のうち少なくとも1つを実行する試料前処理部と、アドレッシング、オートフォーカス、オートスティグマ、オートブライトネス、オートコントラストのうち少なくとも1つを実行する測定前処理部と、前記試料のSEM画像取得を行う検査実行部と、n回目の測長に用いる前記レシピを複写し、該複写レシピから前記画像取得に成功した前記位置座標を消去し、n+1回目の検査レシピを生成するレシピ生成部と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】撮像ポイントに対応する撮像領域間が重なった場合、評価ポイントについて撮像される画像の品質が低下する。
【解決手段】荷電粒子線装置における撮像範囲間の重なりの有無を、コンピュータによる演算処理を通じて判定する。この際、重なりの有無の判定は、判定対象に対応する撮像範囲を構成する4つの頂角のうち隣り合う関係にある4組の2つの頂角と、他の1つの撮像範囲を構成する4つの頂角のうちの1つの頂角とによって形成される4つの三角形の面積の総和が、判定対象に対応する撮像範囲の面積と一致する否かによって実行する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、走査電子顕微鏡等の寸法測定装置を用いて、半導体デバイスのパターンのラフネスを評価する際に要する相関距離や分散といったようなパラメータを、正確に決定することが可能な寸法解析プログラム、寸法計測装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、構造物の寸法を所定の方向に沿って複数回測定した結果を元に得られたスペクトルと同測定条件の下で計算により求めたスペクトルとが合致するように寸法の標準偏差もしくは分散もしくは相関距離もしくは基本となるスペクトルからの変形を特徴付ける変数の内の少なくとも一つに対して適切な値を選択することによりその値を決定するプログラム、及び寸法測定装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】多孔質体、特に固体高分子形燃料電池の触媒層またはガス拡散層の細孔を簡便かつ定量的に測定する方法及び装置を提供する。
【解決手段】多孔質試料の表面または断面の電子顕微鏡画像を取得する工程と、該電子顕微鏡画像の細孔領域と細孔以外の領域を分離する工程とを含む細孔測定方法において、前記電子顕微鏡画像から前記試料の形状または組成分布あるいは前記試料と電子顕微鏡の組み合わせに起因する輝度ムラを除去する工程を含む細孔測定方法とすることで、高精度に細孔を測定できる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、プロセス変動等に依らず、高いマッチング精度を安定して確保することが可能なテンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、予め記憶されたテンプレートと、顕微鏡によって取得された画像を比較することによって、所望の位置を特定するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置において、テンプレートマッチングによって、特定された個所の画像を複数取得し、当該複数画像を加算平均することによって、新たなテンプレートを作成するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】検査対象パターンに関する情報を用いることなく検査対象パターンの輪郭を検出する。
【解決手段】検査対象パターンの画像からパターンの輪郭点を検出し、グルーピング処理により前記輪郭点から複数の輪郭線を生成し、前記検査対象パターンの外側エッジおよび内側エッジのいずれか一方およびいずれか他方の候補となる第1および第2の輪郭線グループの組合せでそれぞれ構成され、生成された複数の輪郭線を互いに異なる態様でそれぞれ二分する複数の輪郭線グループペアを生成し、前記輪郭線グループペア毎に第1および第2の輪郭線グループ間で形状のマッチングを行って得られたマッチングスコアのうち、最良のマッチングスコアを与える輪郭線グループペアを構成する第1および第2の輪郭線グループのいずれか一方を前記検査対象パターンの輪郭として特定する。 (もっと読む)


【課題】回路動作上要求される仕上がり精度検証のため、電気特性をもつデバイスを包含するFOV(即ち、評価ポイント(EP))の配置すべき位置を容易に決定する。
【解決手段】CADデータが有しているデバイス形状情報(回路設計データとレイアウト設計データを含む)から、電気特性測定に必要な構成領域を全てFOV内に収まるように、デバイス形状に沿ってFOVを重ならないように配置するための画像取得条件を決定する。なお、デバイスの配線部分については、配線部分の形状によっては複数の基本構成図形の組み合わせで表わされるので、各構成図形に対してFOVを配置する処理が実行される。セル部分については、セル外形枠と頂点を基準にFOVが配置される。その際、何れかの頂点がFOV配置処理の開始点となり、別の頂点が同処理の終点となる。 (もっと読む)


【課題】
コンタミネーションの付着を低減する、微細な基準寸法を有する、電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材を提供する。
【解決手段】
少なくともシリコンを含み、予めピッチ寸法が求められている回折格子の配列よりなる電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材において、寸法校正用標準部材の溝パターンの表面に1nmから5nmのシリコン酸化膜を形成することによって、電子ビーム照射によって付着するコンタミネーション量を低減する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高いスループットにて実現することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する特徴量を抽出し、当該2つの特徴量の比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置、及びコンピュータープログラムを提案する。 (もっと読む)


【課題】被測定物に放射線を照射して板厚を測定する放射線板厚測定装置において、フレーム体の熱膨張を防止して、板厚の測定誤差を防止することを目的とする。
【解決手段】放射線板厚測定装置1は、上部フレーム2aと下部フレーム2bと側部フレーム2cとから構成されたフレーム体2と、前記上部フレーム2a及び前記下部フレーム2bの一方の先端に配設した放射線発生部3と、前記上部フレーム2a及び前記下部フレーム2bの他方の先端に前記放射線発生部3と対向するように配設した放射線検出部4と、前記放射線発生部3及び前記放射線検出部4の内部に形成した冷却配管3a、4aと、を備えている。そして、表面温度が25±10℃の範囲内となるように、前記フレーム体2を断熱材2dで被覆することで、被測定物5による熱放射から前記フレーム体2を断熱して熱膨張を防止する。 (もっと読む)


【課題】輪郭線の任意の局所的な位置や特定の部位におけるパターン寸法の算出が容易にでき、また、輪郭線パターンの代表寸法値を精度良く求めることができる画像データ解析を実現する。
【解決手段】検査対象パターンの画像データから得られる輪郭データから、検査対象パターンの対象寸法値を求めるパターン寸法算出方法を開示する。このパターン寸法算出方法では、画像処理部が、対象検査パターンの輪郭データと測長用矩形データとの重なり領域を算出し、重なり領域の面積から対象寸法値を算出する。算出された対象寸法値は画像データ及び輪郭データの少なくとも1つと共に表示部に表示されるようにしても良い。 (もっと読む)


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