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Fターム[2F067JJ05]の内容

Fターム[2F067JJ05]に分類される特許

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【課題】真空中で、移動する薄膜の堆積量を高精度に計測する装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜堆積量の製造装置は、基板4上に形成された薄膜20の堆積量を計測する装置であって、基板4にβ線を照射するβ線源21と、β線源21から照射されたβ線の基板4からの後方散乱量を測定する第1放射線検出器としての後方散乱β線用放射線検出器22と、を含む測定プローブ10と、β線源21から照射されたβ線の基板4からの後方散乱のうち、前記第1放射線検出器に入射せずに、測定プローブ10と基板4との隙間を経由して測定プローブ10外に到達する漏洩β線量を測定する第2放射線検出器としての漏洩β線用放射線検出器23と、を備える。 (もっと読む)


【課題】温度、湿度、気圧などの大気変動を由来として生じる測定信号の変動を補償する事により、厚さ測定の精度安定性を向上させることを目的とする。
【解決手段】放射線源から放射され、試料を透過してくる放射線を放射線検出器により検出し、坪量の測定を行う放射線検査装置において、
前記検査装置の近傍に温度センサと気圧センサとを配置し、前記温度センサで検出した温度と前記気圧センサで検出した気圧に基づいて大気重量を計算する大気重量演算手段を備え、この大気重量演算手段で計算した大気重量に基づいて前記坪量を補正するように構成した。 (もっと読む)


【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第1の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第1の二次信号Is1を取得するステップと、試料Sに第2の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第2の二次信号Is2を取得するステップと、第2の二次信号Is2と第1の二次信号Is1との比Is2/Is1を算出するステップと、比Is2/Is1が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is2/Is1に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t0となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t0に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 (もっと読む)


【課題】連続試料を扱う生産ラインの全面測定装置において、フットプリントをなるべく増大させずに、校正動作を行えるようにして厚さ測定の精度安定性を向上させた放射線検査装置を提供する。
【解決手段】放射線源から放射され、シート状の試料を透過してくる放射線を前記試料の流れ方向に対して直角に配置されたライン状放射線検出器により検出し、坪量の測定を行う放射線検査装置において、前記放射線源またはライン状放射線検出器または試料の少なくとも一つを一時的に移動させ、前記放射線源とライン状放射線検出器の間から前記試料を除去した後、前記放射線源とライン状放射線検出器の少なくとも一つを移動させた場合は元の位置に移動させ、放射線源とライン状放射線検出器間の空気層を測定するように構成した。 (もっと読む)


【課題】スキャン歪や荷電粒子線のランディング角度のばらつきに起因する測長値器差を低減し、荷電粒子線の絶対的な傾斜角度を高精度に測定する。
【解決手段】試料面上に形成されたピラミッドパターン90のSEM画像の撮像する際に、スキャン方向及び/又は試料5の搭載向きを、正および逆向きに変えた像を取得し、それぞれの結果を画像間で平均化することにより荷電粒子線の傾斜角度を高精度に測定する。これによりスキャン歪の影響や荷電粒子線のランディング角度のばらつきに起因する測長値器差を低減する。 (もっと読む)


【課題】
一次電子による帯電を抑制し、観察標体から明瞭なエッジコントラストを得て、試料の表面形状を高精度に計測する。
【解決手段】
試料上のイオン液体を含む液状媒体が薄膜状または網膜状である観察標体を用いる。また、この観察標体を用いる電子顕微法において、試料上のイオン液体を含む液状媒体の膜厚を計測する工程と、前記イオン液体を含む液状媒体の膜厚に基づき一次電子の照射条件を制御する工程と、前記一次電子の照射条件で一次電子を照射し前記試料の形態を画像化する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】
各種のパターンに対応する計測方法については開示されておらず、特に計測対象パターンの両辺が直線乃至は曲線で構成され、両辺が非平行なパターンの計測方法についての開示はない。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成されたパターンを撮像し、撮像画像に基づいてパターン寸法を計測する方法であって、画像上のパターンの両側のエッジ位置を特定するステップと、パターンの第1のエッジ上にある第1の点と、その反対側のエッジである第2のエッジ上にある第2の点において、該第1の点と該第2の点を結ぶ線分と、該第1の点における該第1エッジの第1の接線と、該第2の点における該第2エッジの第2の接線に基づいて計測を行うステップと、該線分の距離を計測するステップを有することを特徴とする半導体パターン計測方法である。 (もっと読む)


【課題】フットプリント(空きスペース)の削減を図った放射線検査装置を提供する。
【解決手段】放射線源から放射され、シート状の試料を透過してくる放射線を前記試料の流れ方向に対して直角に配置されたライン状放射線検出器により検出し、坪量の測定を行う放射線検査装置において、前記放射線源と放射線センサの位置関係を測定状態に維持したまま試料の幅に対して直角方向に空気層を測定できる程度に僅かに退避させ、退避させた状態で放射線源と放射線センサの間の空気層を測定して校正用データを作成し、記憶手段に保存するように構成した。 (もっと読む)


【課題】ラインセンサを用いた全幅測定において、中央部及び周端部のリアルタイム補正ならびに中長期の補正を可能とする放射線測定装置を実現する。
【解決手段】放射線源から所定の幅を有する被測定物に放射線を照射し、前記被測定物を透過した放射線の強度をラインセンサにより前記幅方向に測定し、前記被測定物と同一材質で厚さが既知の複数の参照物体の測定で予め求められた透過放射線強度特性を参照して前記被測定物の厚さ若しくは坪量を測定する放射線測定装置において、
前記放射線源と前記被測定物間に介在させた坪量若しくは厚さが予め別の測定により既知の校正サンプルを、前記ラインセンサの検出部に沿って移動させる校正サンプル移動手段と、
前記校正サンプルの移動位置における前記ラインセンサによる透過放射線強度信号に基づいて補正値を演算し、前記透過放射線強度特性を補正する校正処理手段と、
を備える。 (もっと読む)


【課題】パターンの線幅を精度よく測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】試料の設計データ30を参照して、設計データ30上のパターンのエッジの段差がない部分に測定領域35を設定するとともに、その設計データ30から特徴部としてエッジ36c、36dを検出する。また、二次電子像40から、設計データ30の特徴部に対応する特徴部としてエッジ46c、46dを検出する。そして、設計データ30のエッジ36c、36dと、二次電子像のエッジ46c、46dとの位置関係に基づいて測定領域35を二次電子像40上に位置合わせして配置する。このようにして配置された測定領域45内のエッジ間の距離に基づいてパターンの幅を測定する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査,測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査,測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、帯電条件の変化を示すフィッティング関数に基づいて、荷電粒子線照射によって得られるパターン寸法を補正する方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査,測定を行うことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】
半導体ウェーハ上のパターン寸法を計測する方法において、ユーザは計測手法を選定する際に、任意のパターン形状を目視しただけではその適用可否を判断することは難しく、自動で計測手法を選択する場合は、測定対象のパターン形状に適した手法が選定されないことがある。
【解決手段】
電子線により撮像された半導体パターン像の寸法を計測する方法において、ユーザによりパターン上の計測対象部を指定し、パターン計測部から形状情報を抽出し、抽出した形状情報を基に予め作成しておいた計測手法ライブラリから適用可能な計測手法を選定し、選定された手法によりパターンの寸法の計測をし、計測された寸法を出力するようにした。 (もっと読む)


【課題】計測対象が電子線照射によってシュリンクする場合であっても、パターン輪郭や寸法を高精度に求めることのできる計測方法を提供する。
【解決手段】下地の上にパターンが形成された試料に電子線を照射して計測する方法において、パターンのSEM画像や輪郭(S201、S202)、試料のパターン部および下地部の材料パラメータ(S203)(S204)、電子線を試料に照射する際のビーム条件(S205)を準備し、これらを用いて、電子線を照射する前のパターン形状、あるいは寸法を算出する(S206)。 (もっと読む)


【課題】
従来の断面SEMやTEMで撮像した断面画像とその倍率情報を元にユーザが物差しをあてて配線の寸法を計測したり、分度器をあてて配線の側壁の傾斜角度を計測する方法によっては、ユーザの裁量に依存する部分が大きいという課題があった。
【解決手段】
被検査対象試料の断面形状データに対して複数の形状モデルをフィッティングするフィッティング工程と、前記フィッティング工程にてフィッティングしたフィッティングモデルの精度の指標である誤差関数値に基づいて該複数の形状モデルから少なくとも一の形状モデルを最適モデルとして選択する選択工程とを有する被検査対象試料の断面形状推定方法である。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクのパターン形成面が帯電している場合でもフォトマスクのパターン寸法を高精度に計測することのできるパターン寸法計測方法を提供する。
【解決手段】SEM画像を画像処理してフォトマスクのパターン寸法を計測するに際して、フォトマスクのパターンと共にパターン形成面に形成された補正用パターンをSEM画像から抽出し、抽出された補正用パターンから一次電子の偏向量を算出し、該偏向量を補正量としてパターン寸法の計測値を補正する。 (もっと読む)


【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターンを撮像した画像から、フォトマスクのOPCパターンの寸法を精度良く且つ容易に測定することができるパターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、フォトマスクのOPCパターンのうち、所望の範囲のパターンを包含する一回り大きい測定対象領域を設定し、測定対象領域のパターンの寸法を微小な領域毎に測定し、寸法の測定値を統計的に処理したものを曲線で近似し、近似曲線で表れるデータ群のうち、所望の範囲のパターン寸法に相当するデータ群の平均値を、所望の範囲のパターン寸法として推定する。 (もっと読む)


【課題】低コストでかつ高精度にパターンの断面形状を測定する装置および測定方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態のパターン測定装置は、荷電粒子線照射手段と、検出手段と、信号処理手段と、輪郭検出手段と、演算手段と、測定手段とを持つ。前記荷電粒子線照射手段は、荷電粒子線を生成し、前記荷電粒子線を、パターンが形成された試料に、設定された複数回数照射する。前記検出手段は、前記荷電粒子線の照射により前記試料から発生する荷電粒子を検出する。前記信号処理手段は、前記検出手段からの検出信号を処理して前記試料表面の粒子線像を生成する。前記輪郭検出手段は、前記粒子線像から前記パターンの輪郭位置を検出する。前記演算手段は、各照射回の間でのパターン輪郭位置のズレ量を算出する。前記測定手段は、予め準備された、ズレ量とパターンの裾引き量との関係に関するテーブルを参照することにより、前記算出されたズレ量から前記パターンの裾引き量を算出する。 (もっと読む)


【課題】OPC model calibrationに要する計算時間を削減しつつ、精度を向上させる。
【解決手段】半導体の回路パターンのマスクエッジデータ、および回路パターンを撮像した画像データを記憶する記憶部と、画像データを入力として回路パターンのSEM(Scanning Electron Microscope)輪郭線を抽出し、マスクエッジデータと抽出したSEM輪郭線のデータ(SEM輪郭線データ)とに基づいて、露光シミュレーション部に予測SEM輪郭線のデータ(予測SEM輪郭線データ)を生成させるSEM輪郭線抽出部と、マスクエッジデータと、SEM輪郭線データと、予測輪郭線データとを入力として、SEM輪郭線データおよび予測SEM輪郭線データを、1次元形状の輪郭線と2次元形状の輪郭線とに分類する形状分類部と、SEM輪郭線データと予測SEM輪郭線データとを入力とし、1次元形状及び2次元形状の種類に応じて、SEM輪郭線データのサンプリングを行うSEM輪郭線サンプリング部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 電子線照射によってシュリンクするレジストをCD−SEMで測長する際に、シュリンク前の形状や寸法を高精度に推定する。
【解決手段】 あらかじめ様々なパターンについて、電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群やCD−SEM画像データ群と、それらに基づくモデルを含むシュリンクデータベースを準備し、被測定レジストパターンのCD−SEM画像を取得し(S102)、CD−SEM画像とシュリンクデータベースとを照合し(S103)、被測定パターンのシュリンク前の形状や寸法を推定し、出力する(S104)。 (もっと読む)


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