【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第１の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第１の二次信号Is₁を取得するステップと、試料Sに第２の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第２の二次信号Is₂を取得するステップと、第２の二次信号Is₂と第１の二次信号Is₁との比Is₂／Is₁を算出するステップと、比Is₂／Is₁が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is₂／Is₁に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t₀となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t₀に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 （もっと読む）

【課題】表面形状と内部構造との双方を計測する。
【解決手段】実施形態によれば、計測装置は、電磁波照射手段と検出手段とデータ処理手段と膜構造変換手段と膜構造計測手段とを持つ。電磁波照射手段は電磁波を生成して前記基体へ照射する。検出手段は、前記基体で散乱されまたは反射した電磁波の強度を測定する。データ処理手段は、前記検出手段からの信号を処理して散乱プロファイルを作成して解析し、前記周期構造の表面形状を算出する。膜構造変換手段は、前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出し、参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する。膜構造計測手段は、前記仮想的膜構造から測定条件を設定し、該測定条件に従って前記周期構造について実測による反射率プロファイルを取得して解析し、前記周期構造を構成する各層の膜厚を算出し、算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

あるシステム及び方法が、再構築により、基板上のオブジェクトの概略構造を決定する。これは、例えば、リソグラフィ装置のクリティカルディメンション（ＣＤ）又はオーバレイ性能を評価するための微細構造のモデルベースのメトロロジーなどに適用できる。基板上のスタック上の格子などのオブジェクトの概略構造を決定するためにスキャトロメータが使用される。ウェーハ基板は上層と下地層とを有する。基板はスタックオブジェクト上の格子を含む第１のスキャトロメトリターゲット領域を有する。スタック上の格子は上層と下地層とからなる。上層は周期格子のパターンを備える。基板はさらに、上層がない、隣接する第２のスキャトロメトリターゲット領域を有する。第２の領域は、パターン形成されていない下地層のみを有する。 （もっと読む）

【課題】検査対象物の残肉厚を適切に検出することができる非破壊検査方法を提供する。
【解決手段】所定の厚みを有する配管１０Ｂ等の検査対象物にγ線Ｅ_０をその厚さ方向に照射し、コンプトン効果により散乱された散乱γ線Ｅのうち特定のエネルギーを有する単色の散乱γ線Ｅを弁別し、弁別した散乱γ線Ｅに基づき前記配管１０Ｂの散乱γ線Ｅによる二次元の画像Ｃ１´，Ｃ２´を得、この二次元の画像Ｃ１´，Ｃ２´を正常な配管１０Ａの画像Ｃ１，Ｃ２と比較することにより前記配管１０Ｂの状態を検査するようにした。 （もっと読む）

【課題】原子炉構造物での亀裂の検出等、表面形状の解析が、クラッド等で覆われた場合であってもより高い精度で行える放射線検査装置を提供する。
【解決手段】対向する検査部位６からの放射線の強度を検出位置と対応させて検出する二次元放射線検出器２と、この二次元放射線検出器２の出力信号から放射線強度の二次元位置分布を算出する信号処理部３と、この信号処理部３での処理結果を記憶する情報記憶部４と、この情報記憶部４に記憶された情報に基づく解析を行い検査部位６の表面形状についての解析結果を出力する演算解析部５を備えるもので、信号処理部３が、放射線の強度を放射線の個数に換算する演算手段を備えており、演算された放射線個数による放射線強度の二次元位置分布を算出するものである。 （もっと読む）

【課題】試料の構造の局所的な不均一性を評価する。
【解決手段】Ｘ線照射部１０はコヒーレントなＸ線を発生し、照射Ｘ線１１として試料１２の局所的な領域に照射する。そして、散乱Ｘ線検出部１４は試料１２からの散乱Ｘ線１１ａの散乱強度を検出する。この時検出される散乱強度の分布は、試料１２の膜厚、密度および表面・界面のラフネスや結晶方位といった構造が不均一である場合、その不均一性を反映したスペックルとなる。演算部１６は、このスペックルに基づいて、試料１２からの散乱Ｘ線１１ａの散乱強度の不均一さを表すパラメータを算出し、試料１２の構造の不均一性の指標とする。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドのリード素子の素子形状を評価する素子評価方法及び装置に関し、同一の評価試料によってリード幅、コア幅及び素子高さを評価しうる素子評価方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１の材料よりなる第１の部分と第２の材料よりなる第２の部分とが積層された第１の領域に電子線を入射し、第１及び第２の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第１の電子線強度を測定し、第１の材料よりなる第２の領域に電子線を入射し、第１の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第２の電子線強度を測定し、第２の材料よりなる第３の領域に電子線を入射し、第２の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第３の電子線強度を測定し、第１の電子線強度と第１の部分の厚さとの関係を、第２の電子線強度と評価試料の厚さとの関係及び第３の電子線強度と評価試料の厚さとの関係から算出することにより、第１の領域の第１の部分の厚さを算出する。 （もっと読む）

三次元目標物体の領域の画像を構築する画像データを提供する方法及び装置が開示される。本方法は、入射放射線を提供するステップと、少なくとも１つの検出器を介して、目標物体で散乱した放射線の強度を検出するステップと、目標物体に対して入射放射線を再位置決めするステップと、続けて、目標物体で散乱した放射線の強度を検出するステップと、３Ｄ物体の１つ又は複数の深さにおいて、入射放射線の少なくとも１つの特性の推定値を示すプローブ関数を求めるステップと、物体の１つ又は複数の領域の画像を、プローブ関数を使用して反復プロセスを介して構築することができる画像データを提供するステップとを含む。
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【課題】検査対象物内の液体の流れを停止させないで保温材内の水の存在位置を精度良く測定できる水分検出装置を提供する。
【解決手段】配管検査装置１５の中性子発生管１及び中性子検出器を有する。中性子発生管２は単一エネルギーを有するパルス状の高速中性子２０を発生し、保温材１２に照射する。高速中性子２０は保温材１２内に存在する水１４及び配管１１内を流れる液体１０によって減速されて熱中性子２１となる。高速中性子２０の照射方向とは逆方向に進行する熱中性子２１は^３Ｈｅ比例計数管２で検出される。この計数管２からの出力信号は多チャンネル波高分析器８を経てデータ処理装置９に達する。データ処理装置９は高速中性子の発生時刻を基準とする熱中性子検出率の分布情報を算出し、さらに、この分布情報を用いて、保温材１２内に水１４が存在する場合の水１４の位置及び水１４の量を求める。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＥＭ等の走査型荷電粒子顕微鏡を用いた断面形状計測を１回のサンプル作成で複数の断面について行うことができるようにしたパターン寸法計測方法及びそのシステムを提供することにある。
【解決手段】走査型荷電粒子線顕微鏡を用いて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うパターンの計測方法であって、収束荷電粒子線の焦点位置を前記計測対象パターンの所望の断面に合せてｚ方向に対して順次変化させ、それぞれの焦点位置での前記計測対象パターンの透過電子画像若しくは散乱電子画像を取得し、それぞれの焦点位置で取得した透過電子画像若しくは散乱電子画像を処理して、該それぞれの焦点位置での電子画像内での計測対象パターンのエッジ位置を算出し、該算出されたそれぞれの焦点位置での電子画像内の計測対象パターンのエッジ位置とそれぞれの焦点位置との組み合わせに基づいて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発錆部位の検出と共に、発錆部位の補修の要否を判定できる表面が被覆された円筒部材の錆検査方法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、表面が外被部材２被覆された円筒部材（１）の錆検査方法として、外被部材２の上から円筒部材（１）の表面の発錆部位を検出し、その後、外被部材２の上から発錆部位における円筒部材（１）の減肉量を測定するようにしたのである。
このように、発錆部位を検出した後、発錆部位における円筒部材（１）の減肉量を測定することで、発錆部位の補修の要否を判断することができ、外被部材を不用意に撤去する無駄な作業を無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】
従来の中性子トモグラフィ技術では、金属製容器内の水を直接観察でき、且つその３次元計測も可能であるが、この計測は時間に関する平均量についてのものであるので、対象物質の時間変化が分からず、又そのため時間変化量である速度やその時間変化等の時間変化量が計測できない。
【解決手段】
本発明は、時間平均値である３次元計測データに時間変化を加えた４次元計測データを得るための方法及び装置に関するものであり、前記４次元計測とは、３次元の瞬時値の時間差分から速度等時間変化量を計測するものである。この４次元データを得るために、本発明においては、（１）中性子ビームの散乱現象に着目してビームを複数化し、更に高速中性子を有効利用して熱中性子を増幅する、（２）ビデオカメラで複数の中性子ラジオグラフィ投影像の同時記録をすることが行なわれる。 （もっと読む）

【課題】強度としては弱いものの、物質透過性が高い水平ミュオンを用いて精度よく構造物の内部構造情報を得る方法を提供する。
【解決手段】位置敏感検出手段１は、第１および第２前方位置敏感検出器複合体２，３と鉄等の金属部材４と後方位置敏感検出器複合体５とを具え、前記ミュオンのうち、天頂角50〜90°の範囲で地表に降り注ぐ水平ミュオンを用い、前記構造物の測定対象部を貫通して第１前方位置敏感検出器複合体２に到達する前方水平ミュオンによって、前方水平ミュオンが貫通する前記測定対象部内の経路を特定し、金属部材４を透過して後方位置敏感検出器複合体５に到達した前方水平ミュオンのうち、低エネルギー前方水平ミュオンだけをデータとして収集し、後方水平ミュオンの強度を測定した上で、前記低エネルギー前方水平ミュオンの強度と前記後方水平ミュオンの強度の比から、構造物の内部構造情報を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線によって高い空間分解能で被検体の表面形状を検査できるようにする。
【解決手段】Ｘ線検査装置に、真空容器５に収められたリング状の電子エミッタ６およびリング状のＸ線ターゲット７を備える。リング状のＸ線ターゲット７から放出されたＸ線は、すべて所定のＸ線照射領域１１に向かう。このＸ線は、被検体に照射され、被検体から放たれる散乱または蛍光Ｘ線１２は、反射Ｘ線コリメータ２を通って、Ｘ線二次検出器３によって検出される。リング状のＸ線ターゲット７から放出されるＸ線９は、すべて所定のＸ線照射領域１１に向かうため、Ｘ線ターゲット７の熱衝撃を大きくすることなく、Ｘ線強度を増加させ、検査精度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】複数のＣＤ計測ツール間の一貫した測定結果を検証する方法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭの据付基部全体にわたる一貫した測定結果を保証するためにＣＤ−ＳＥＭをマッチする方法が開示され、フィールドごとの変動並びにレチクル及び露光ツールの非画一性がマッチング結果において効率よく抑制されるように、基板上の少なくとも２つの位置でレジストのフィーチャのフィーチャ・サイズを複数の走査電子顕微鏡のそれぞれを用いて測定する。 （もっと読む）

【課題】ＢＥＴ法のように液体窒素を使用せず、被測定物の冷却および加熱操作を伴わない迅速かつ簡便な方法で、複合材料中の粉体についても比表面積を測定できるようにする。
【解決手段】小角Ｘ線散乱法によって得られる小角Ｘ線散乱曲線の始点から終点までの散乱角度についての積分値であるＸ線散乱積分強度と、比表面積とがほぼ直線関係にあることに基づき、被測定物についてＸ線散乱積分強度を求め、既知のＸ線散乱積分強度と比表面積の関係から比表面積を求める。 （もっと読む）

【課題】 スペクトルの半値幅を用いずに，スペクトルの面積に基づいて被解析層の厚さを解析することにより，解析処理の迅速化，解析処理にかかる時間の短縮化，解析精度の向上を図ること。
【解決手段】 単層或いは複数層からなる試料にイオンビームが照射されることによって上記試料で散乱した散乱粒子のエネルギースペクトルに基づいて，上記試料の深さ方向の組成分布の解析を行うよう構成されており，被解析層に相当するエネルギースペクトルが単独で出現するときの散乱角度（特定散乱角度）へ散乱した散乱粒子のエネルギーを実測し，この実測により得られた実測エネルギースペクトルに単独で出現する上記被解析層の単独エネルギースペクトルを抽出し，そして抽出された上記単独エネルギースペクトルの波形で囲まれたスペクトル面積に基づいて上記被解析層の厚さを算出する。 （もっと読む）

パターンを走査する為の装置および方法。方法は、（ｉ）第１走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、（ｉｉ）第２走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、を含む。ビームとの相互作用の結果、パターンは、その特性の一つを変える。第１走査路と第２走査路間の距離は、荷電粒子径より大きくてもよい。第１走査路と第２走査路の各々は、複数の連続したサンプルを含み、第１走査路と第２走査路との間の距離は、隣接したサンプル間の距離より大きくてもよい。走査路の位置は、測定間、特に、測定セッション間で変更してもよい。荷電粒子ビームの横断面は、楕円面でもよい。
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