【課題】表面形状と内部構造との双方を計測する。
【解決手段】実施形態によれば、計測装置は、電磁波照射手段と検出手段とデータ処理手段と膜構造変換手段と膜構造計測手段とを持つ。電磁波照射手段は電磁波を生成して前記基体へ照射する。検出手段は、前記基体で散乱されまたは反射した電磁波の強度を測定する。データ処理手段は、前記検出手段からの信号を処理して散乱プロファイルを作成して解析し、前記周期構造の表面形状を算出する。膜構造変換手段は、前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出し、参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する。膜構造計測手段は、前記仮想的膜構造から測定条件を設定し、該測定条件に従って前記周期構造について実測による反射率プロファイルを取得して解析し、前記周期構造を構成する各層の膜厚を算出し、算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、非破壊法かつ簡便にポリシリコン膜の厚さを評価することができるポリシリコン膜の膜厚評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を評価する方法であって、
ポリシリコン膜を有する試験用シリコンウエーハを２枚以上準備し、それぞれの前記試験用シリコンウエーハのポリシリコン膜に対して、膜厚測定とＸ線回折測定法により回折面からの回折強度測定とを行い、所定の換算係数を用いて前記測定された回折強度を前記測定された膜厚に換算する換算式を求める換算式算出工程と、
その後、前記シリコンウエーハ上の膜厚が未知のポリシリコン膜に対してＸ線回折測定法により回折面からの回折強度測定を行い、該測定された回折強度に基づいて前記換算式により前記シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を算出する膜厚算出工程とを有することを特徴とするポリシリコン膜の膜厚評価方法。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】直接又は潤滑油等を介して接している２物体の間のごく微小の間隙の大きさやその接触部位付近の両物体の微細な表面形状を計測・観測可能とする。
【解決手段】２物体４Ａ、４Ｂの接触部位に対して、該接触部位の接平面に対する角度が全反射臨界角以下である入射角度でＸ線を照射し、その接触部位から反対側に出射してくる通過Ｘ線、回折・散乱Ｘ線、特性Ｘ線等を位置敏感型の２次元Ｘ線検出器５で検出する。２次元Ｘ線強度分布作成部６１はＸ線検出器５からの検出信号により２次元Ｘ線強度分布画像を作成し、解析処理部６２は該画像中で例えば接触の種類（点、線等）に応じて設定された検出窓に含まれる複数の画素のみを抽出して、該画素のＸ線強度を積算する。そして、この積算Ｘ線強度に基づいて接触部位に存在する微小間隙の大きさを求めるとともに、２次元Ｘ線強度分布画像から求まる強度パターンを解析して表面形状を推定する。 （もっと読む）

【課題】
モデルベース計測法は、予め作成した種々の断面形状に対するＳＥＭ信号波形のライブラリとのマッチングにより断面形状を推定することが可能であるが、従来のモデルベース計測法では、断面形状のモデル化が適切か否かを判断するための機能、あるいは、推定結果の確からしさを確認する機能が供されていなかった。
【解決手段】
モデルベース計測にて実パターンの計測を行うのに先立ち、ライブラリ波形間のマッチングにより解空間（予測解空間）を求め提示する。また、モデルベース計測による実パターンの計測後に、実波形とライブラリ波形とのマッチングにより解空間（実解空間）を求め提示する。 （もっと読む）

【課題】異なるピッチの周期的構造を持つ基板について、高精度かつ効率的な形状計測を可能とする基板計測方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態の基板計測方法によれば、第１のピッチで形成された第１の周期的構造と、第１のピッチより小さい第２のピッチで形成された第２の周期的構造と、を含む計測対象について、シミュレーションにより、第１の周期的構造についての散乱プロファイルと、第２の周期的構造についての散乱プロファイルと、が算出される。第１の周期的構造及び第２の周期的構造から散乱した電磁波の検出により実測した散乱プロファイルから、第１の周期的構造による散乱プロファイルが抽出される。第１の周期的構造及び第２の周期的構造について実測した散乱プロファイルと、第１の周期的構造について抽出された散乱プロファイルとの差分が、第２の周期的構造による散乱プロファイルとして算出される。 （もっと読む）

【課題】収束電子回折を用いた、物性の新規な測定方法を提供する。
【解決手段】物性の測定方法は、透過型電子顕微鏡により、試料の収束電子回折実験像を取得する工程と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度を計算する工程と、試料に関し物性を変化させて計算された収束電子回折計算像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度とを比較する強度比較工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】より迅速にチップの反りを測定できる手法を提供する。
【解決手段】単結晶基板の反り測定方法であって、角度広がりを持つＸ線を発生させる発生ステップと、前記角度広がりを持つＸ線を単結晶基板に照射する照射ステップと、前記単結晶基板からの回折Ｘ線を検出して、前記単結晶基板の反りを測定する検出・測定ステップと、を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】周期的構造パターンに電磁波を照射してパターン形状を計測する場合に、計測時間を増大させることなく、高精度に計測することが可能なパターン計測方法およびパターン計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数のパターンが周期的に配列して構成され、かつ、各パターンが部分的に重なる周期的構造パターンに対して、異なる複数の入射方向から電磁波を照射する照射工程と、周期的構造パターンにより散乱される電磁波を検出して、その散乱プロファイルを検出する検出工程と、検出された散乱プロファイルから周期的構造パターンのパターン形状を計測する計測工程と、を含み、照射工程では、異なる複数の入射方向は、周期的構造パターンを構成する各パターンが部分的に重ならない入射方向である。 （もっと読む）

【課題】デバイス試料の傾斜ズレによる測長誤差を最小化する。
【解決手段】測長前に、試料の単結晶部分から回折パターンを取得し、取得された回折パターンに基づいて荷電粒子線に対する試料の傾斜角を補正する。 （もっと読む）

あるシステム及び方法が、再構築により、基板上のオブジェクトの概略構造を決定する。これは、例えば、リソグラフィ装置のクリティカルディメンション（ＣＤ）又はオーバレイ性能を評価するための微細構造のモデルベースのメトロロジーなどに適用できる。基板上のスタック上の格子などのオブジェクトの概略構造を決定するためにスキャトロメータが使用される。ウェーハ基板は上層と下地層とを有する。基板はスタックオブジェクト上の格子を含む第１のスキャトロメトリターゲット領域を有する。スタック上の格子は上層と下地層とからなる。上層は周期格子のパターンを備える。基板はさらに、上層がない、隣接する第２のスキャトロメトリターゲット領域を有する。第２の領域は、パターン形成されていない下地層のみを有する。 （もっと読む）

【課題】プロファイル及びそのバリエーションをユーザが設定するのを手助けするシステムを提供する。
【解決手段】既知のオブジェクトのイメージ４２を取り込むこと、及び、このイメージ上に、手動又は自動によって推定プロファイル２０を重畳すること、を含む。推定プロファイルは数学的に定義され、かつ、上記イメージと一致するようにセグメント毎に調節される４０ことによって、調節された推定プロファイルが、上記イメージに関連する当該回折スペクトルとともに記憶される。あるいは又はこれに加えて、ユーザは、既知のイメージのプロファイルをトレース（又は自由描写）し、その後、多項式、スプライン、又はベクトル等の数学関数の形状定義物を推定プロファイル上に描くことにより、未知のオブジェクトのプロファイルをその回折パターンから再構成する際に使用し得る。 （もっと読む）

【課題】 互いに積層されてパッケージに収容された複数の単結晶基板の夫々について、パッケージを破壊することなく反りを測定する。
【解決手段】
パッケージにＸ線を照射するステップと、受光スリットの調節及びパッケージの高さ方向の位置調節を行うことにより、パッケージに収容された複数の単結晶基板により回折された複数の回折Ｘ線のなかから、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線だけを選択的に検出するステップと、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線のロッキング曲線を測定するステップと、パッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを含み、ロッキング曲線測定を行うステップとパッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】 膜の評価方法及び強誘電体メモリの製造方法に関し、表面に凹凸の多い薄膜の膜厚等をＸ線反射率法により精度良く測定する。
【解決手段】 膜を構成する結晶粒の平均粒径が２００ｎｍ以上、或いは、平均粒径が２００ｎｍ以上の結晶粒同士の一部が融合した融合結晶粒を含む被膜を被測定膜の表面に成膜する工程と、前記被膜及び前記被測定膜にＸ線を照射する工程と、前記被膜及び前記被測定膜から反射したＸ線の強度を測定してＸ線反射率法によって前記被測定膜の少なくとも膜厚を測定する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】パッケージ材料で封止した部品中の単結晶基板の反りを、部品を破壊することなくパッケージ材料越しに回折Ｘ線を用いて測定する。
【解決手段】Ｘ線検出器１を固定したまま、入射Ｘ線４の波数ベクトル８の方向から測定した試料ステージ６の回転角ωを変化させると、ブラッグ条件が満たされるとき、すなわち試料３０内のＳｉチップの照射領域の表面と入射Ｘ線４の波数ベクトル８とのなす角αがある特定の値をとるとき、Ｘ線の結晶回折が生じＸ線検出器１で回折Ｘ線９が検出される。ここで、試料３０は、プリント基板上にＳｉチップが搭載され、それらがモールドにより封止した構造である。Ｘ線検出器１は、モールド越しに回折Ｘ線９を検出し、ロッキング曲線を取得することができる。このロッキング曲線に基づいて、Ｓｉチップの反り測定ができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、高精度かつ短時間の薄膜の膜厚測定と異常値検出を可能とする薄膜の膜厚測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｘ線回折装置を用いて、評価試料の最上層の膜厚を測定する方法であって、Ｘ線回折装置以外の膜厚測定方法を用いて、標準試料の膜厚基準値を測定する基準値測定ステップと、前記標準試料のＸ線回折強度分布から検出された特徴量と、前記膜厚基準値とを対応付けた校正情報１０をあらかじめ生成する校正情報生成ステップと、評価試料のＸ線回折強度分布を取得する分布取得ステップＳ１００と、前記分布取得ステップＳ１００で取得されたＸ線回折強度分布から特徴量を検出する特徴量検出ステップＳ１０１と、前記特徴量検出ステップＳ１０１で検出された特徴量と、前記校正情報１０とから前記評価試料の最上層の膜厚を算出する膜厚算出ステップＳ１０６とを備えたことを特徴とする膜厚測定方法である。 （もっと読む）

【課題】数〜数十原子層の膜厚からなる絶縁体層の膜厚に関して汎用性を損なうことなく測定精度を向上させた膜厚測定方法、及びその膜厚測定方法を用いて絶縁障壁層の膜厚を制御する磁気デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】測定対象層１１と、測定対象層１１と異なる電子密度を有するスペーサ層１２とが基板Ｓの上に交互に積層された測定試料１０に対してＸ線を照射して小角度のスキャンを行うことにより測定試料１０のＸ線回折スペクトルを測定する。そして、Ｘ線の波長をλ、Ｘ線回折スペクトルに基づくｎ次の回折角をθ_ｎ、Ｘ線回折スペクトルに基づくｍ次の回折角をθ_ｍ、スペーサ層１２の膜厚をスペーサ膜厚Ｔ_ｒとするとき、測定対象層１１の対象膜厚Ｔ_ｐを式（１）に基づいて測定する。 （もっと読む）

三次元目標物体の領域の画像を構築する画像データを提供する方法及び装置が開示される。本方法は、入射放射線を提供するステップと、少なくとも１つの検出器を介して、目標物体で散乱した放射線の強度を検出するステップと、目標物体に対して入射放射線を再位置決めするステップと、続けて、目標物体で散乱した放射線の強度を検出するステップと、３Ｄ物体の１つ又は複数の深さにおいて、入射放射線の少なくとも１つの特性の推定値を示すプローブ関数を求めるステップと、物体の１つ又は複数の領域の画像を、プローブ関数を使用して反復プロセスを介して構築することができる画像データを提供するステップとを含む。
（もっと読む）

【課題】
パッケージに封入された結晶試料の形状を非破壊で評価できる技術を提供する。
【解決手段】
結晶試料の形状評価方法は、（ａ）仮想ｘｙｚ直交座標系を有する空間の、ｘｙ面上に結晶試料を配置し、ｘｚ面に平行にＸ線を結晶試料上に照射し、結晶試料の所定結晶面からｘｚ面に平行に回折されるＸ線を検出するように、Ｘ線ソース、Ｘ線検出器を配置し、ｙ軸回りのωスキャンを行なって回折Ｘ線強度が最大となる角度ωを、結晶試料面内の位置の関数として検出する工程と、（ｂ）回折Ｘ線強度が最大となる角度ωを結晶試料のｘ軸方向に積分し、結晶試料のｘ軸方向の形状を評価する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ノッチ形状誤差等によるノッチ位置決め誤差が補正でき、半径方向結晶方位の測定の精度が高い結晶方位測定装置を提供する。
【解決手段】円筒状結晶２をその円筒軸に対し回転させる回転部１１と、円筒状結晶２を回転し、円筒状結晶２の周側面に設けられたノッチ２ａを基準に円筒状結晶２を位置決めする位置決め部１２と、円筒状結晶２が位置決めされると、回転軸に対するノッチ２の位置を測定するノッチ測定部１２と、周側面にＸ線を照射して半径方向の結晶方位を測定する結晶方位測定部１３と、結晶方位測定部１３で測定した結晶方位をノッチ測定部１２で測定したノッチの位置で補正して半径方向の結晶方位を求める補正部１４２とを備える。 （もっと読む）