【課題】表面形状と内部構造との双方を計測する。
【解決手段】実施形態によれば、計測装置は、電磁波照射手段と検出手段とデータ処理手段と膜構造変換手段と膜構造計測手段とを持つ。電磁波照射手段は電磁波を生成して前記基体へ照射する。検出手段は、前記基体で散乱されまたは反射した電磁波の強度を測定する。データ処理手段は、前記検出手段からの信号を処理して散乱プロファイルを作成して解析し、前記周期構造の表面形状を算出する。膜構造変換手段は、前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出し、参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する。膜構造計測手段は、前記仮想的膜構造から測定条件を設定し、該測定条件に従って前記周期構造について実測による反射率プロファイルを取得して解析し、前記周期構造を構成する各層の膜厚を算出し、算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の形状を、非破壊、非接触にて検査する技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は貫通ビアＷＨ（凹部）が形成されている基板Ｗを検査する。基板検査装置１００は、ポンプ光の照射に応じて、基板Ｗに向けてテラヘルツ波を照射する照射部１２と、プローブ光の照射に応じて、基板Ｗを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部１３と、テラヘルツ波が基板Ｗの貫通ビア形成領域を透過する透過時間と平坦領域を透過する透過時間との時間差を取得する時間差取得部２４と、該時間差に基づいて貫通ビアＷＨの深度を算出するビア深度算出部２６とを備える。また、基板検査装置１００は、ビア深度算出部２６により算出した貫通ビアＷＨの算出深度と、干渉法を利用する深度測定装置１６によって測定した貫通ビアＷＨの実測深度とに基づいて、貫通ビアＷＨの形状を示す形状指標値を取得する形状指標取得部２７を備える。 （もっと読む）

【課題】粒子線又はエネルギー線等の照射精度が向上し、位置あわせも容易になる走査照射装置のステージ位置合わせ方法を提供すること。
【解決手段】ターゲットをステージに置くと共に、粒子線又はエネルギー線を走査状に当該ターゲットに照射する走査照射装置のステージ位置合わせ方法であって、前記ステージの端に平行線を描き、前記位置合わせするもう片方にも同じ幅の平行線を描いておき、前記粒子線やエネルギー線を平行線状に照射してモアレ縞を出し、前記モアレ縞が一致することで前記位置あわせを行うことを特徴とする走査照射装置のステージ位置合わせ方法。 （もっと読む）

【課題】異なるピッチの周期的構造を持つ基板について、高精度かつ効率的な形状計測を可能とする基板計測方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態の基板計測方法によれば、第１のピッチで形成された第１の周期的構造と、第１のピッチより小さい第２のピッチで形成された第２の周期的構造と、を含む計測対象について、シミュレーションにより、第１の周期的構造についての散乱プロファイルと、第２の周期的構造についての散乱プロファイルと、が算出される。第１の周期的構造及び第２の周期的構造から散乱した電磁波の検出により実測した散乱プロファイルから、第１の周期的構造による散乱プロファイルが抽出される。第１の周期的構造及び第２の周期的構造について実測した散乱プロファイルと、第１の周期的構造について抽出された散乱プロファイルとの差分が、第２の周期的構造による散乱プロファイルとして算出される。 （もっと読む）

【課題】高精度かつ短時間で結晶格子像と相似のモアレパターンを得ることを可能にする。
【解決手段】走査型顕微鏡を用いて、結晶構造の結晶格子モアレパターンを取得する方法であって、前記結晶構造の走査面において、前記結晶構造と方位に対応して、複数の仮想格子点を周期的に配置する工程と、入射プローブを用いて複数の前記仮想格子点からの信号を検出する工程と、検出した前記信号に基づいて、前記結晶構造の結晶格子モアレパターンを生成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線反射率法を用いて積層体の層構造を正確に解析することのできる方法、装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】このＸ線反射率法を用いた積層体の層構造解析方法は、例えば多層膜である試料にＸ線源からＸ線を照射する照射工程と、該試料から反射されるＸ線を検出器で検出する検出工程と、この検出されたＸ線の前記照射されたＸ線に対する割合であるＸ線反射率を測定器で測定する測定工程と、解析器で、前記試料に表面粗さ又は界面粗さがある場合において該試料の表面又は界面において該表面又は界面の凹凸により鏡面反射方向以外の方向にＸ線が散乱する、散漫散乱に伴う該表面又は界面での反射Ｘ線と透過Ｘ線の干渉成分の減少を加味して、前記測定されたＸ線反射率を解析する解析工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】試料の構造の局所的な不均一性を評価する。
【解決手段】Ｘ線照射部１０はコヒーレントなＸ線を発生し、照射Ｘ線１１として試料１２の局所的な領域に照射する。そして、散乱Ｘ線検出部１４は試料１２からの散乱Ｘ線１１ａの散乱強度を検出する。この時検出される散乱強度の分布は、試料１２の膜厚、密度および表面・界面のラフネスや結晶方位といった構造が不均一である場合、その不均一性を反映したスペックルとなる。演算部１６は、このスペックルに基づいて、試料１２からの散乱Ｘ線１１ａの散乱強度の不均一さを表すパラメータを算出し、試料１２の構造の不均一性の指標とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜結晶についても容易に表面形状や結晶性を評価可能な技術を提供する。
【解決手段】Ｘ線波面センサは、入射されるＸ線を複数の光束に分割する波面分割素子と、各光束を試料の異なる領域に照射し、それぞれの反射光を干渉させて検出する計測器とを備える。例えば、Ｘ線発生装置１０から入射されるＸ線をＸ線プリズム１２によって波面分割し、一方の光束はそのまま試料１４に当て反射光を検出器１６で検出する。もう一方の光束は、Ｘ線プリズム１５によって偏向して試料１４に当て反射光を検出器１６で検出する。検出器１６に現れる干渉縞の向きや間隔から、試料結晶１４の表面形状や結晶性の評価が可能となる。 （もっと読む）

【課題】規則的な配列パターンのピッチがより微細化するフォトニック結晶やピクセルアレーなどの材料やディバイスなどにおける配列の乱れをより簡便に、正確に、短い時間で、所望の範囲にわたって検出、測定することができる、微小な規則的パターンの配列の乱れを検出測定する方法を提供する。
【解決手段】微小な規則的パターンを有する被検出対象物上に、エネルギー線を所定の走査パターンで照射し、エネルギー線を照射したときに生ずる二次電子発生量、反射粒子量、二次イオン発生量あるいはＸ線量の違いによりモアレ縞を形成させて、そのモアレ縞に基づいて被検出対象物が有する規則的パターンの変形の様子を一度に所定範囲で観察し、局部的な配列の乱れを検出または測定する。 （もっと読む）

【課題】２段電子線バイプリズム干渉計は１段での電子線バイプリズム干渉計に、飛躍的な自由度の増加を与える光学系であるが、フィラメント電極によって作られる電子線ホログラムの形状の１次元性、さらに干渉領域幅の方向と干渉縞の方位に関しては、１段電子線バイプリズム光学系と同じであった。すなわち、干渉領域幅はフィラメント電極の方向に一致してその長方向が定まり、干渉縞の方位は、干渉領域幅の長方向に一致かつ平行するのみであった。
【解決手段】上、中、下３段電子線バイプリズムを持った構造とするとともに、これら３段電子線バイプリズムのフィラメント電極間のアジムス角Φを操作することにより、干渉領域とその中に形成される干渉縞の方位角θを任意にコントロール可能とすることに加えて、フレネル縞発生の抑制と干渉縞間隔ｓと干渉縞の方位角θの独立したコントロールを可能とする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線光学素子の位置決め精度を緩和でき、可干渉性の低いＸ線源でもＸ線干渉を実現でき、一般用途への実用化が図られるＸ線シアリング干渉計を提供する。
【解決手段】Ｘ線シアリング干渉計は、Ｘ線を分割するＸ線分割光学系１０と、Ｘ線分割光学系１０によって分割されたＸ線を干渉させるＸ線干渉光学系２０などで構成され、Ｘ線分割光学系１０とＸ線干渉光学系２０との間には物体Ｗが配置され、Ｘ線分割光学系１０は、間隔Ｄ１で配置された一対の人工格子１１，１２と、人工格子１２からの回折Ｘ線のうち所望の回折Ｘ線だけをブラッグ回折によって選択する結晶格子１３を含み、Ｘ線干渉光学系２０は、間隔Ｄ２で配置された一対の人工格子２１，２２と、人工格子２２からの回折Ｘ線のうち所望の回折Ｘ線だけをブラッグ回折によって選択する結晶格子２３を含む。 （もっと読む）