【課題】 高アスペクト構造であっても、パターン底部の寸法を高精度に計測できる荷電粒子線装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】 アスペクト比の高いパターンが形成された試料のパターン寸法底部を計測する方法において、試料の同一領域に荷電粒子線を第１方向及び第１方向とは逆の第２方向に走査させたときにそれぞれ発生する信号荷電粒子に基づく第１走査像と第２走査像とを比較し、走査像の信号強度が小さい方を真値とし、走査像を再構築し、再構築した走査像を用いて試料に形成されたパターン底部の寸法を計測する。また、その方法を実現する荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【目的】本発明は、定データの判定方法および測定データの判定プログラムに関し、複合的に判定する機能を実現することを目的とする。
【構成】取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上の測定対象のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準をそれぞれ作成して判定基準テーブルに登録するステップと、取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準に対応する測定データをそれぞれ算出するステップと、算出した複数の測定データについて、前記判定基準テーブルから取り出した複数の判定基準をもとにそれぞれ良否を判定するステップと、判定した判定結果を出力するステップとを有する。 （もっと読む）

あるシステム及び方法が、再構築により、基板上のオブジェクトの概略構造を決定する。これは、例えば、リソグラフィ装置のクリティカルディメンション（ＣＤ）又はオーバレイ性能を評価するための微細構造のモデルベースのメトロロジーなどに適用できる。基板上のスタック上の格子などのオブジェクトの概略構造を決定するためにスキャトロメータが使用される。ウェーハ基板は上層と下地層とを有する。基板はスタックオブジェクト上の格子を含む第１のスキャトロメトリターゲット領域を有する。スタック上の格子は上層と下地層とからなる。上層は周期格子のパターンを備える。基板はさらに、上層がない、隣接する第２のスキャトロメトリターゲット領域を有する。第２の領域は、パターン形成されていない下地層のみを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造過程にあるウェハ上の半導体装置の同一設計パターンの欠陥，異物，残渣等を電子線により検査する回路パターン検査装置において、条件設定の効率、検査時間の短縮及び検査の信頼性を向上する。
【解決手段】欠陥の存在を検出する為の大電流高速画像形成用の検出信号処理回路と、この欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位の画像形成用の検出信号処理回路とを独立に設ける。または、欠陥検出検査の為の第１の電子光学系と欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の電子光学系とを同一の真空容器内に並べて収容する。または欠陥検出検査の為の第１の検出器とこの欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の検出器とを設ける。 （もっと読む）