【課題】表面形状と内部構造との双方を計測する。
【解決手段】実施形態によれば、計測装置は、電磁波照射手段と検出手段とデータ処理手段と膜構造変換手段と膜構造計測手段とを持つ。電磁波照射手段は電磁波を生成して前記基体へ照射する。検出手段は、前記基体で散乱されまたは反射した電磁波の強度を測定する。データ処理手段は、前記検出手段からの信号を処理して散乱プロファイルを作成して解析し、前記周期構造の表面形状を算出する。膜構造変換手段は、前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出し、参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する。膜構造計測手段は、前記仮想的膜構造から測定条件を設定し、該測定条件に従って前記周期構造について実測による反射率プロファイルを取得して解析し、前記周期構造を構成する各層の膜厚を算出し、算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェーハ上のパターン寸法を計測する方法において、ユーザは計測手法を選定する際に、任意のパターン形状を目視しただけではその適用可否を判断することは難しく、自動で計測手法を選択する場合は、測定対象のパターン形状に適した手法が選定されないことがある。
【解決手段】
電子線により撮像された半導体パターン像の寸法を計測する方法において、ユーザによりパターン上の計測対象部を指定し、パターン計測部から形状情報を抽出し、抽出した形状情報を基に予め作成しておいた計測手法ライブラリから適用可能な計測手法を選定し、選定された手法によりパターンの寸法の計測をし、計測された寸法を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】計測対象が電子線照射によってシュリンクする場合であっても、パターン輪郭や寸法を高精度に求めることのできる計測方法を提供する。
【解決手段】下地の上にパターンが形成された試料に電子線を照射して計測する方法において、パターンのＳＥＭ画像や輪郭（Ｓ２０１、Ｓ２０２）、試料のパターン部および下地部の材料パラメータ（Ｓ２０３）（Ｓ２０４）、電子線を試料に照射する際のビーム条件（Ｓ２０５）を準備し、これらを用いて、電子線を照射する前のパターン形状、あるいは寸法を算出する（Ｓ２０６）。 （もっと読む）

【課題】
従来の断面ＳＥＭやＴＥＭで撮像した断面画像とその倍率情報を元にユーザが物差しをあてて配線の寸法を計測したり、分度器をあてて配線の側壁の傾斜角度を計測する方法によっては、ユーザの裁量に依存する部分が大きいという課題があった。
【解決手段】
被検査対象試料の断面形状データに対して複数の形状モデルをフィッティングするフィッティング工程と、前記フィッティング工程にてフィッティングしたフィッティングモデルの精度の指標である誤差関数値に基づいて該複数の形状モデルから少なくとも一の形状モデルを最適モデルとして選択する選択工程とを有する被検査対象試料の断面形状推定方法である。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターンを撮像した画像から、フォトマスクのＯＰＣパターンの寸法を精度良く且つ容易に測定することができるパターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、フォトマスクのＯＰＣパターンのうち、所望の範囲のパターンを包含する一回り大きい測定対象領域を設定し、測定対象領域のパターンの寸法を微小な領域毎に測定し、寸法の測定値を統計的に処理したものを曲線で近似し、近似曲線で表れるデータ群のうち、所望の範囲のパターン寸法に相当するデータ群の平均値を、所望の範囲のパターン寸法として推定する。 （もっと読む）

【課題】低コストでかつ高精度にパターンの断面形状を測定する装置および測定方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態のパターン測定装置は、荷電粒子線照射手段と、検出手段と、信号処理手段と、輪郭検出手段と、演算手段と、測定手段とを持つ。前記荷電粒子線照射手段は、荷電粒子線を生成し、前記荷電粒子線を、パターンが形成された試料に、設定された複数回数照射する。前記検出手段は、前記荷電粒子線の照射により前記試料から発生する荷電粒子を検出する。前記信号処理手段は、前記検出手段からの検出信号を処理して前記試料表面の粒子線像を生成する。前記輪郭検出手段は、前記粒子線像から前記パターンの輪郭位置を検出する。前記演算手段は、各照射回の間でのパターン輪郭位置のズレ量を算出する。前記測定手段は、予め準備された、ズレ量とパターンの裾引き量との関係に関するテーブルを参照することにより、前記算出されたズレ量から前記パターンの裾引き量を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＯＰＣ ｍｏｄｅｌ ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎに要する計算時間を削減しつつ、精度を向上させる。
【解決手段】半導体の回路パターンのマスクエッジデータ、および回路パターンを撮像した画像データを記憶する記憶部と、画像データを入力として回路パターンのＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）輪郭線を抽出し、マスクエッジデータと抽出したＳＥＭ輪郭線のデータ（ＳＥＭ輪郭線データ）とに基づいて、露光シミュレーション部に予測ＳＥＭ輪郭線のデータ（予測ＳＥＭ輪郭線データ）を生成させるＳＥＭ輪郭線抽出部と、マスクエッジデータと、ＳＥＭ輪郭線データと、予測輪郭線データとを入力として、ＳＥＭ輪郭線データおよび予測ＳＥＭ輪郭線データを、１次元形状の輪郭線と２次元形状の輪郭線とに分類する形状分類部と、ＳＥＭ輪郭線データと予測ＳＥＭ輪郭線データとを入力とし、１次元形状及び２次元形状の種類に応じて、ＳＥＭ輪郭線データのサンプリングを行うＳＥＭ輪郭線サンプリング部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な，高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし，膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて表面にレジストパターンが形成された試料の画像を取得する電子線画像取得手段と、該取得した画像を処理して前記レジストパターンの所望の領域の画像の明るさのばらつきの特徴を定量化する定量化手段と、該定量化手段で定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出する指標値算出手段と、該指標値算出手段で算出した指標値の情報を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする電子顕微鏡システムである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法を提供すること。
【解決手段】例えばメモリ・アレイまたは類似の構造内の個々のビット・セルの欠陥を特徴づけまたは補正するために、本発明の好ましい実施形態を使用して、メモリ・アレイまたは類似の構造内の単一のビット・セルへ迅速にナビゲートすることができる。アレイの（Ｘ軸またはＹ軸に沿った）１つのエッジのセルの「ストリップ」を走査するために高解像度走査を使用して、所望のセルを含む列の位置を特定し、続いて、位置が特定された列に沿って（もう一方の方向に）、所望のセル位置に到達するまで同様に高速走査する。これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】 曲面を有する膜厚を正確に計測する。
【解決手段】 膜厚の検査装置は、テラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生器１５と、前記テラヘルツ波を、膜が形成された試料に照射させる照射光学系１６、１７と、前記試料において反射したテラヘルツ波を検出し、検出信号を出力するテラヘルツ波検出器２２と、前記試料の反射面の形状情報に基づき、当該反射面から前記テラヘルツ波検出器に至るまでの反射波の電場強度を参照信号として算出し、前記参照信号を用いて前記検出信号を補正する制御装置５を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データ、或いはシミュレーション画像に基づいて、実画像に近いパターンを形成する画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体素子の設計データに基づいて、荷電粒子線装置の動作条件を設定する画像処理部を備えた画像処理装置であって、荷電粒子線装置の装置条件情報，パターンの種類、及びパターンの部位毎のパターン情報の複数の組み合わせを記憶するライブラリにアクセスし、装置条件、及びパターンの種類の選択に基づいて、パターンの部位毎のパターン情報を用いた各部位の合成画像を形成する画像処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
パターン直上から撮像されたＳＥＭ画像を用いる計測で、レジスト膜減りなどのパターン高さ変化が発生しても、その断面形状を正確に計測できるようにする。
【解決手段】
荷電粒子線装置を用いて試料上に形成されたパターンの形状を計測する方法において、収束させた荷電粒子線を試料上に照射して走査することにより試料から発生する二次荷電粒子を検出して試料表面に形成されたパターンの荷電粒子線画像を取得し、予め求めておいたパターンの高さとこのパターンの荷電粒子線画像の情報との関係に基づいて取得したパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの高さ情報を求め、この求めたパターンの高さ情報を用いてパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの寸法を算出するようにした。 （もっと読む）

【課題】コークス炉や精錬炉などにおける高温のレンガの厚みを簡便で精度よく測定することができるレンガ厚み測定方法を提供する。
【解決手段】レンガ１３にアンテナ１２から電磁波を放射して、屈折率の異なる材質１４の境界面での電磁波の反射をアンテナ１２で受信して、電磁波がレンガ１３の背面で反射して受信アンテナ１２に戻ってくるまでの時間ｔとレンガ１３の電磁波伝播速度ｖから熱間でレンガ厚みを測定する方法において、アンテナ１２とレンガ１３の間に４〜３００ｍｍの厚さの断熱層１６を充填させることを特徴とするレンガ厚み測定方法。 （もっと読む）

【課題】検査準備時間が短く、１ダイの画像検出のみで欠陥判定のできる高速な回路パターン検査方式とその装置を提供する。
【解決手段】設計情報を参照して該当座標と同一のパターンが期待できる座標と位置合わせ用の座標を選定する。位置合わせ座標で検出画像と設計情報の位置合わせを行いずれ量を補正し、同一なパターンが期待できる座標のパターンと比較することにより、１ダイのみの画像検出であってもパターン比較を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、合成画像を形成する場合に、重複領域のパターンの状態に応じて、適正に合成画像を形成することを目的とする合成画像形成方法、及び合成画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の画像を合成して合成画像を形成する合成画像形成方法、及び装置であって、複数の画像間の重複領域について、当該重複領域中に含まれるパターンの属性情報を作成し、当該パターンの属性情報に基づいて、合成対象となる画像を選択し、当該選択に基づいて画像合成を行う方法、及び装置を提案する。また、他の一態様として、重複領域内の属性情報を用いて、複数段階で画像合成を行う方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】生成される曲率分布の精度を向上させる。
【解決手段】ケーブルの曲率分布を生成するシステムであって、ケーブルの長手方向における複数の点それぞれの位置情報を取得する取得部３１と、前記複数の点の前記位置情報に基づいて前記複数の点の曲率を算出することで、前記ケーブルの長手方向における曲率分布を生成する曲率分布生成部３２と、を備えている。システムは、さらに、前記曲率分布、及び／又は、前記複数の点の前記位置情報の平滑化処理を行う平滑化処理部を備えており、各点の検出誤差によるノイズを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と１回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と２回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、１回目の露光の工程で形成されたパターンと２回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭにおいて、同心円状パターンの異常、欠損等を自動で検出することができる。
【解決手段】同心円状のパターンを有する試料のＳＥＭ画像を撮像する画像撮像部と、前記画像からドット状パターンの重心点または線状パターンの中心線を求め、求めた重心点または中心線から所定の値を算出し、該所定の値と理論値との差分値を求め、該差分値と所定の閾値とを比較する位置測定部と、前記比較結果を表示装置に出力する出力部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）