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Fターム[2F067RR12]の内容

波動性又は粒子性放射線を用いた測長装置 (9,092) | 信号処理、電源関連 (1,540) | 信号の変換をおこなうもの (297) | A/D変換、多値化、2値化 (176)

Fターム[2F067RR12]に分類される特許

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【課題】実製品と同等の被検体に対して衝撃を与え、その被検体の内部構造に掛かる衝撃を観察ないし解析することにある。
【解決手段】X線発生器1から照射されたX線ビーム9内で被検体4に衝撃を与え、当該被検体4から透過してくるX線強度分布であるX線透過像を、高速度カメラ11を備えたX線検出器3で毎秒100フレーム以上の速度で連続撮影し、デジタルの透過像に変換し記録する。この記録されたデジタルの透過像を、表示手段8,13によって毎秒100フレーム以上の速度から所定の低減倍の速度のもとにスローモーションで動画表示し、前記被検体の内部構造の状態を観察する衝撃試験装置である。 (もっと読む)


【課題】
試料上の欠陥を,画像取得手段を用いて短時間に多数の欠陥観察を行う方法において,第1の倍率で撮像した画像から誤検出なく欠陥位置を特定し,第2の倍率での撮像を可能とする。
【解決手段】
試料上の欠陥を観察する方法において,画像取得手段を用いて第1の倍率で前記欠陥を含む欠陥画像を撮像し,欠陥画像から欠陥を含まない参照画像を合成し,取得した欠陥画像と合成した参照画像とを比較して欠陥候補を検出し,該欠陥候補を欠陥と正常部に識別する処理を行い,欠陥と識別された部位のみを第2の倍率で撮像するように装置を構成した。 (もっと読む)


【課題】
パターンの形状や試料特性に応じて,高速・高性能な画質改善処理を行う。
【解決手段】設計データや,設計データ上の各領域に対応する試料特性情報を用いて画質改善処理を行うことにより,画像上の個々の領域に対応する試料特性に応じて適切な画質改善処理を施し,画像上の領域分割を高速に行うといった処理を可能とする。さらに,設計データと対応する画像情報を保存したデータベースを利用することにより,類似した設計データにおいて過去に撮像した画像との差が大きい箇所を自動で強調する等の画質改善処理を可能とする。 (もっと読む)


【課題】
走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた回路パターンの寸法計測において、試料上の任意の評価ポイント(EP)を自動で撮像し,評価ポイントに形成された回路パターンを自動で計測することを可能にする。
【解決手段】
本発明では、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた回路パターンの寸法計測において、EPの座標データと前記EPを含む回路パターンの設計データを入力とし,前記EP座標データと設計データから,前記EP内に存在するパターンを計測するための測長カーソルの生成および測長方法の選択あるいは設定を自動で行うようにしてレシピを自動生成し,このレシピを用いて自動撮像・計測を行うようにした。 (もっと読む)


【課題】対象物の断層像にアーチファクトがあっても、それに伴う誤差を生じることなく、正確にポリゴンデータを作成して対象物の3次元画像を正しく表示することのできる3次元画像化方法を提供する。
【解決手段】CT撮影等により得られた対象物の3次元濃度データを、あらかじめ設定されている一律のしきい値Stを用いてポリゴンデータを生成する前に、以下の修正を加えることで、アーチファクト等の影響をなくす。3次元濃度データから、仮のしきい値を用いて輪郭(境界)を抽出してその輪郭上の画素aを順次選択し、その画素aを通り対象物像の略法線方向の軸に沿い、その軸の周辺所定領域の画素の濃度値を積算して得られるプロファイルを作成して微分することによって当該プロファイルのピーク値を求め、そのピーク位置の濃度値Spと上記しきい値Stとの差を算出し、選択された画素aと周辺の画素の濃度値を、しきい値Stに近づくように修正する。 (もっと読む)


【課題】CD-SEMによる半導体パターンの寸法計測において,パターンの断面形状に依存して寸法計測値と実際のパターンの寸法との誤差が変動することにより、計測精度が悪くなる問題があった。
【解決手段】
予め形状の異なる複数パターンのAFM計測結果と,同一形状のパターンをCD-SEMで計測したときの前記AFM計測結果との寸法計測誤差とを対応付けてデータベースに保存しておき,実際の寸法計測時には,計測対象パターンの少数箇所から得たAFM計測結果を前記データベースに照合し,最も形状が類似した側壁形状に対応したCD-SEM計測の寸法計測誤差を呼び出し,次に計測対象パターンのCD-SEM計測結果を前記呼び出した寸法計測誤差に基づき補正することにより,パターンの断面形状に依存した寸法誤差を低減した補正寸法値を算出する。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は,試料の実際のパターンエッジ端に即した輪郭線情報を出力する電子顕微鏡システムを提供することにある。
【解決手段】
電子顕微鏡像のパターンエッジの各点において,パターンエッジに対して接線方向に該電子顕微鏡像を投影して局所投影波形を生成し,各点で生成した局所投影波形を,予め作成しておいた,試料の断面形状と電子線信号波形とを関連づけるライブラリに当てはめることによって,試料上に転写されたパターンの断面形状を推定し,断面形状に則したエッジ端の位置座標を求め,この位置座標の連なりとしてパターンの輪郭線を出力する。 (もっと読む)


【課題】X線CT装置を用いることなく、X線透視を行うことにより、アルミダイキャスト部品のボイド等の欠陥をはじめとして、透視対象物内部の特異部位の3次元位置情報を正確に知ることができ、加えて3次元の概略形状を知ることのできるX線透視を用いた3次元観測方法と、その方法を用いたX線透視装置を提供する。
【解決手段】X線源1とX線検出器2の対と透視対象物Wとの相対位置を変化させ張ることにより、透視方向を少なくとも3方向に相違させた透視対象物Wの透視像を取得し、その各透視像上で特異部位の像を抽出し、各透視方向の透視像上で抽出された特異部位の像対応付けした後、各透視方向の透視像上の特異部位の像と、これらの各透視像を得たときのX線源1とX線検出器2の透視対象物Wに対する相対的な3次元位置情報を用いて、特異部位の3次元位置および/または3次元形状を算出し、表示する。 (もっと読む)


【課題】帯状の食品生地を生産ラインに流した場合であっても、不良品を特定するのに要する作業時間を縮減し、作業効率を向上させることができる生産ラインの質量検査システムを提供すること。
【解決手段】製品を帯状に整形する圧延装置8と、食品生地Wの一部である製品部分の質量を測定するX線質量測定装置2と、製品部分毎に食品生地Wを切断する切断装置3と、食品生地Wから切断された切断片Waを焼成する焼成装置4と、焼成後の切断片Waの質量を測定する質量選別装置5と、焼成装置4を制御する制御装置6とを備え、制御装置6が、製品部分の質量データと焼成済の切断片Waの質量データとを蓄積し、測定タイミングに基づいて、蓄積された製品部分の質量データと調理済の切断片Waの質量データとから相関度を判定するための判定値を算出して、製品部分の質量と調理済の切断片Waの質量との相関関係を判定する。 (もっと読む)


【課題】
設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】
本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを1枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 (もっと読む)


【課題】測定物が連続体であっても、製品になる前の連続体の物理量を算出でき、製品となったときの質量などの物理量の過不足を事前に発見でき、連続体の製造工程にフィードバックでき、作業効率を向上させることができるX線質量測定装置を提供する。
【解決手段】連続体10を延在方向に搬送する搬送部2と、搬送部2により搬送中の連続体10に対しX線を照射するX線発生源3と、連続体10を透過したX線の透過量を検出するX線検出器4と、連続体の一部を単位ブロックとして設定する単位ブロック設定手段と、X線検出器4で検出された透過量に基づいて、連続体10の単位ブロックの領域において吸収されたX線の吸収量を単位X線吸収量として算出するX線吸収量算出手段82aと、連続体10の搬送方向における一定区間の単位X線吸収量の移動平均を算出するX線吸収量移動平均算出手段84aと、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】短時間に組立品を構成する各部品間の3次元的位置関係を求めて、被検査体である組立品の内部状態の検査を行う検査システムを提供する。
【解決手段】設計データを格納し、計算投影図を作成・編集するデータ編集処理部2と、前記計算投影図に基づいて抽出すべき部品の境界近傍の輝度を算出する輝度算出部3と、前記算出した輝度に基づいて当該境界近傍の投影像が鮮明になるように撮影装置5の感度を設定する感度設定部4と、搬送された前記組立品に対して複数の方向の投影像を取得する撮影装置5と、前記投影像を電気信号に変換して実投影図として画像処理を行う画像処理部6と、前記実投影図における部品が、前記データ編集処理部より取得した前記計算投影図の部品の許容範囲内に存在するか否かにより、前記組立品の合否を判定する判定部8とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】焼入れ硬化層の深さ等を高精度に評価できて、高度な焼入れ品質が要求される焼入れ部品でも好適に使用可能な焼入れ硬化層の評価方法及びその装置を提供する。
【解決手段】焼入れ部品の硬化層形成部分を誘導加熱して硬化層を形成した後に、前記硬化層の画像を撮像すると共に硬化層の電気的特性値を測定し、該画像データと電気的特性値とに基づいて硬化層の深さ等を評価することを特徴とする。また、前記画像が、X線による透過画像もしくは光CT、磁気共鳴による断層画像であり、前記電流的特性値が、電流値と周波数の少なくとも一つであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】連続体を被測定物として生産ラインに流した場合であっても、早期に連続体の一部である製品部分の質量の過不足を発見し作業効率の低下を防止することができるX線質量測定装置を提供すること。
【解決手段】搬送中の連続体に対しX線を照射するX線照射手段3と、連続体を透過したX線の透過量を検出するX線検出手段4と、検出されたX線の透過量に基づいて、所望の領域に対応する連続体に吸収されたX線吸収量を算出するX線吸収量算出手段34と、連続体に吸収されたX線吸収量から連続体の質量に換算するための質量換算係数を予め記憶する質量換算係数記憶手段42と、連続体の延在方向を分割するための分割領域22を設定する分割領域設定手段33と、連続体の分割領域22のX線吸収量と質量換算係数とに基づいて、連続体の分割領域22の質量を測定する質量測定手段35とを備えた。 (もっと読む)


【課題】膜厚に起因するピークシフトの影響を除去することである。
【解決手段】薄膜試料Wに向かって電子線を照射する電子線照射部と、前記電子線の照射によって薄膜試料Wから発生する光)Lを分光し、検出する光検出部と、前記光検出部からの出力信号を受信して光)Lのスペクトルのピーク波長である測定ピーク波長を算出するピーク波長算出部41と、膜厚既知の標準試料により得られた膜厚とその膜厚におけるピーク波長である基準ピーク波長との関係を示す基準データを格納する基準データ格納部D1と、前記基準データから前記薄膜試料Wの膜厚に対する基準ピーク波長を算出する基準ピーク波長設定部42と、前記測定ピーク波長及び前記基準ピーク波長をパラメータとして、前記薄膜試料Wの状態を分析する分析部43と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクやウエハ上に形成されたパターンを、設計データとの比較により、回路パターンの欠陥を精度良く、かつ高速に検出する手段の提供。
【解決手段】半導体パターンを撮影した画像からパターンの輪郭データ0107を抽出する手段と、前記半導体の設計データ0102から、パターンの方向に関するデータを生成する手段と、前記輪郭データからパターンの方向のデータを求め、前記輪郭データのパターン位置に対応する前記設計データから生成したパターンの方向に関するデータとの比較により、パターンの欠陥を検出する手段を備えた評価方法、及び検査システムを構築する。 (もっと読む)


【課題】ウェハに打ち込んだイオンの影響や、パターン接続の有無、パターンエッジの形状などの影響による検出画像誤差を生じることなく画像を検出する。
【解決手段】パターン検査方は、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて予め座標データで登録した領域、又は予め登録したパターンと一致するパターンをマスクして欠陥を検出し、この検出した欠陥を表示するようにした。又本発明によるパターン検査方法においては、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて欠陥を検出し、この検出した欠陥のうち登録した特徴に一致する欠陥の表示非表示を切替えるか他と識別可能なように表示するようにした。 (もっと読む)


【課題】装置毎、或いは日々の変動に合わせて設定する必要のあった画像取得対象個所を自動で設定することができる、試料の管理機能を提供する。
【解決手段】機差測定を行う為にウェハ上に当該ウェハ上で測定済みのパターンの箇所及び当該測定済みの箇所を測定した装置の情報をマーキングするための領域(レプリカ領域等)を設け、当該マーキングを参照することにより、試料を管理する。マーキングの方法としては、電子線照射によるコンタミネーション付着を挙げられる。この場合、コンタミが付き易いように電子線照射密度を上げる。このために、倍率を上げる、プローブ電流の増加、積算フレーム枚数の増加などを実施することができる。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、半導体パターンやコンタクトホールの変形や側壁の傾斜のできばえを判定することができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成された回路パターンの画像をあらかじめ設定された条件で撮像する撮像手段、該撮像手段で撮像された画像と予め記憶された基準画像とを比較して撮像された画像の特徴量を算出する算出手段,該算出手段で算出された特徴量に基づいて、半導体ウェーハのできばえ評価を実行するコンピュータを備え、特徴量の算出は、2次電子画像,反射電子画像に関して独立に行われる。 (もっと読む)


【課題】入力画像の画像幅が変化しても、高い精度にて欠陥検出処理を行うことができる画像処理装置を備えた外観検査装置を提供する。
【解決手段】画像処理装置は、入力画像を、各々、入力画像の画像幅と同一の画像幅を有し、且つ、所定の画像長さを有する、複数の画像ブロックに分割する。この画像ブロックを、隣接する2つの繰返しパターン毎に比較し、両者の差から欠陥を検出する。画像処理装置は、入力画像の画像幅と画像ブロックの画像長さに関するデータを有しており、入力画像の画像幅が変化しても、画像ブロックの各々を格納することができる画像メモリを有する。 (もっと読む)


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