【目的】高精度なビーム分解能を測定する方法、および方法を具現化する描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のビーム分解能測定方法は、マーク上を荷電粒子ビームで照射しながら走査する走査工程（Ｓ１０２）と、マークからの反射信号を計測する計測工程（Ｓ１０４）と、所定のマーク形状関数と誤差関数とを用いて定義された近似式を用いて反射信号に基づく波形をフィッティングして、ビーム分解能を測定するビーム分解能測定工程（Ｓ１０８）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、高精度なビーム分解能を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高炉内にセンサを挿入することなく、炉外から、コークスと焼結鉱との層境界を連続的かつ安定的に、精度よく検出し、各層の厚みと降下速度を測定する。
【解決手段】 炉外上下方向に一定距離だけ離して２台の境界検出器１及び４を設置し、それぞれの検出器はマイクロ波送信機１０を有し、炉を構成する耐火物に向かってマイクロ波を送信し、挿入物２３の表面で反射或いは散乱したマイクロ波を、結像系１３を通じて結像させ、結像面内に並列に配置或いは面内を走査する機構を有するマイクロ波検出器アレイ１４及び距離識別・画像生成処理部１５で検出して画像化し、該画像を画像信号処理手段２で処理することによって層状の装入物境界を検出し、２台の検出結果の時系列データから装入物の降下速度と各層厚を測定することを特徴とする高炉炉内装入物の挙動検出装置である。 （もっと読む）

【課題】外観検査において、全体の欠陥捕捉率を高く維持しながら虚報を抑制することにより実質感度を向上する技術を提供することにある。
【解決手段】外観検査において、予備検査を行って、欠陥候補の検出と同時に少なくとも１ダイ分の画像情報（背景情報）を取得し、該取得した画像情報と検出された欠陥候補のダイ内座標位置情報を重ねて表示し、それらの情報（背景の類似と欠陥候補の密集状態）を基に虚報のグループを推定して非検査領域あるいは感度低下領域を設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被測定物の厚さプロファイル測定装置において、測定空間に置かれる窓の厚さムラの影響を補正して、窓厚さムラの影響をなくした厚さプロファイル測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 被測定物１１を挟んで対向する一方のＣフレーム５腕部に設けられるＸ線発生器１と、他方の前記Ｃフレーム腕部に設けられ、被測定物を透過した透過Ｘ線を検出する多チャンネルＸ線検出器２と、Ｘ線発生器及び多チャンネル検出器を予め所定の被測定物の端部位置に設定する検出器設定手段（３、７、８）と、被測定物の公称厚さに相当する校正サンプル板を有しる厚さ校正サンプル板設定手段（４、６、８）と、予め所定の校正サンプル板を幅方向の測定端部位置に設定して、Ｃフレームの幅方向の窓厚さを予め求め、測定した前記被測定物の厚さプロファイルから窓厚さを補正する測定部９とを備える。 （もっと読む）

【課題】特に半導体欠陥レビュー装置において、検索基準となる画像に対する類似画像を、簡単かつ高速に検索し、類似度順に出力する。
【解決手段】画像に付帯する情報、例えば、取得日時、取得条件、画像以外の情報を解析した結果、ユーザによるコメントなどを、テキスト情報として画像と対応させて保存する機能を有し、これら付帯情報のキーワード検索により類似画像候補を限定した後、画像の特徴量に基づき検索基準画像に対する類似度を算出し、類似度順に検索結果を出力する。 （もっと読む）

【課題】物品の質量検査と形状検査とを同一装置内で実現可能なＸ線検査装置を得る。
【解決手段】質量推定部４０は、Ｘ線検出部８によって検出された透過Ｘ線のＸ線量に基づいて検査対象物１２の質量を推定する。質量判定部４１は、質量推定部４０から入力されたデータＳ１に基づいて検査対象物１２の質量の正常／異常を判定する。画像作成部４２は、Ｘ線検出部８によって検出された透過Ｘ線のＸ線量に基づいてＸ線透過画像を作成する。形状判定部４３は、検査対象物１２の形状の正常／異常を判定する。不良判定部４４は、質量判定部４１及び形状判定部４３による各判定結果の少なくとも一方が異常である場合に、検査対象物１２が不良品であると判定する。 （もっと読む）

【課題】測定対象のラインとスペースがほぼ等間隔に形成されているときに、ラインとスペースを識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。
【解決手段】パターン測定装置は、荷電粒子ビームを走査して、試料上に形成されたパターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成部と、ラインプロファイルを２次微分して２次微分プロファイルを作成する微分プロファイル作成部と、２次微分プロファイルから得られるパターンのエッジ位置の近傍に出現する２つのピーク位置とピーク値からパターンのエッジが立ち上がりか立下りかを判定するエッジ検出部とを備える。エッジ検出部は、２次微分プロファイルから得られるパターンのエッジ位置の近傍に出現する２つのピーク位置をＸ１，Ｘ２（＞Ｘ１）としたとき、ピーク位置Ｘ１の信号量がピーク位置Ｘ２の信号量よりも大きいとき、パターンのエッジは立ち上がると判定する。 （もっと読む）

【課題】外乱が現れているＸ線撮影画像においても、被測定物に生じている亀裂の位置やその深さを精度良く検出することを目的とする。
【解決手段】本発明は、被測定物のＸ線撮影画像から注目部位を抽出する注目部位抽出部１１と、注目部位の輝度およびその近傍領域の輝度に基づいて、注目部位の特徴量を決定する特徴量決定部１２と、特徴量に応じて、注目部位の亀裂深さを決定する亀裂深さ決定部１３とを具備する検査装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】倍率、走査方向や測定装置を変更しても、測定結果の変動が生じない線幅測定調整方法及び走査型電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】線幅測定調整方法は、第１の倍率において走査される電子ビームの第１の電子ビーム強度分布と、第２の倍率において走査される電子ビームの第２の電子ビーム強度分布とが同等になるように前記第２の電子ビーム強度分布を調整することを含む。前記第２の電子ビーム強度分布の調整は、電子ビーム強度分布を作成するときに、前記第２の照射距離を増減して行うようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク又はウェハのホール及びドットパターン形状のラフネスを計測する際に、測定者が計測する箇所を指定する必要がなく、迅速かつ高精度なラフネス計測が可能となるパターン形状計測装置及びパターン形状計測方法を提供する。
【解決手段】計測対象パターンを入力する計測対象パターン入力部１１と、計測対象パターンの輪郭線を抽出する輪郭線抽出部１２と、輪郭線の重心を算出する重心算出部１３を有する。また、輪郭線と重心との距離を算出する距離算出部１４と、計測対象パターンと比較するためのリファレンスパターンの輪郭線とそのリファレンスパターンの輪郭線の重心との距離を算出する距離算出部１５と、距離算出部１４が算出した距離と距離算出部１５が算出した距離との差分を算出する差分算出部１６と、差分からラフネス値を算出するラフネス値算出部１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、設計データ内の凹凸情報を特定するのに好適な方法，プログラム及び装置の提供に係り、一例として同じような部分が羅列するようなパターンであっても、設計データと、画像形成装置等で取得された画像との間のパターンマッチングを高精度に行い得る方法，プログラム及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために、設計データ上のパターンの凹部及び／又は凸部、或いはパターン部及び／又は非パターン部に関する情報を用いて、設計データ上のパターンと、前記画像上のパターンとのパターンマッチングを行うことを特徴とするパターンマッチング方法、及びそのためのプログラムを提供する。 （もっと読む）

【課題】レシピ作成及び欠陥確認の使い勝手がよく、かつ明確に行うことのできる回路パターンの検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】レシピ作成及び欠陥確認において、対話形式の操作機能を搭載する。レシピ作成の各項目（コントラスト、キャリブレーション等）で必要な入力及び入力目的を明確にする。あわせて、欠陥確認での各項目（クラスタリング、フィルタリング等）で必要な入力及び入力目的を明確にする。これら入力されて得られた結果はレシピに登録する。 （もっと読む）

【課題】光学式異物検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡で詳細に観察する方法およびその装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ、装置規模を小さくできる方法およびその装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡５において、欠陥を再検出する光学式顕微鏡６を搭載し、この光学式顕微鏡６の焦点合わせを行う時に、試料１に対して光学式顕微鏡６の照明位置と検出位置を変化させない構成とする。 （もっと読む）

【課題】
欠陥の特徴を的確に提示することが可能な欠陥画像表示画面を提供する。
【解決手段】
欠陥のサムネイル表示画面において、検査情報や欠陥種類等から、欠陥毎にその欠陥の特徴を最も顕著に表すような画像を決定し、表示する。また、欠陥の詳細表示画面において、検査情報や欠陥種類等を基に、その欠陥の特徴を顕著に表すように表示する画像やその画像の表示順序を定め、表示する。さらに、欠陥画像撮像中または欠陥画像撮像後に、予め指定した規則に基づいて別の欠陥画像取得装置や別の撮像条件により表示用の画像を撮像するためのステップを撮像シーケンスに追加する。 （もっと読む）

【課題】
いかなるタイプのパターンであっても、その断面形状を順テーパから逆テーパまで、非破壊的に、正確かつ定量的に計測し得るパターン測定技術を提供する。
【解決手段】
走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から反射電子ないしは２次電子強度の分布を処理し、エッジ近傍を表わす領域の形状を数値化しそれらの結果からテーパ傾向を算出する。走査型顕微鏡で得られた上空写真の画像データから、パターンエッジ近傍の領域の形状を数値化することによって断面形状のテーパ傾向を評価する。上空観察結果のみから逆テーパ、垂直、順テーパなどのエッジの傾向を評価することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 ケーブルの沿線方向の形状状態をより正確に測定するための形状状態測定方法、及びこれに用いるケーブルの形状状態測定システム、ケーブルの形状状態測定プログラム、ケーブル状態評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るケーブルの形状状態測定方法は、直交３方向をＸ，Ｙ，Ｚとするとき、沿線方向がＸ−Ｙ平面と交差するように配置された芯線における、Ｘ−Ｙ平面と平行かつＺ方向に所定間隔で並ぶ複数の芯線断面の断面形状を、Ｘ−Ｙ平面の２次元データとして取得する断面形状取得工程と、前記断面形状取得工程により取得される複数の前記断面形状の２次元データから、当該芯線の断面中心を前記複数の芯線断面それぞれについて特定し、前記ピッチ間隔に基づいて、前記複数の芯線断面における前記断面中心を３次元座標値として取得する断面中心座標値取得工程と、前記断面中心座標値取得工程により得られる断面中心の３次元座標値に基づいて、沿線方向の形状状態を数値として出力する形状状態出力工程と、を備えている。 （もっと読む）

【目的】本発明は、検出対象のパターンの画像を取得する画像取得方法および画像取得装置に関し、パターンの測長精度を大幅に向上させることを目的とする。
【構成】 細く絞った電子線ビームで測長対象のパターンを走査したときに放出あるいは反射された電子を検出器で検出するステップと、測長対象のパターンを走査したときに検出された信号と、設計データ上で当該パターンが存在する領域よりも若干広いに範囲を持つマスクパターンとを演算し、パターンおよびその近傍の領域の信号を抽出およびそれ以外の領域の信号を抑圧するステップとを有し、抽出および抑止した信号をもとにパターンのエッジを抽出し、エッジをもとに当該パターンの寸法を測長する。 （もっと読む）

【課題】 検査対象を撮像した検査画像と、この検査画像と本来同一であるべき参照画像とを比較して、お互いに異なる部分を欠陥として検出する画像欠陥検査において、検査画像に生じる色ムラにより生じる疑似欠陥を低減する。
【解決手段】 画像欠陥検査装置を、検査対象上の所定の大きさの領域毎にこれら各領域を撮像した画像に含まれる画素の画素値に応じて参照値をそれぞれ決定する参照値決定部２１と、この所定の大きさの領域を複数含んで構成されるマクロ領域について、マクロ領域に含まれる上記所定の大きさの領域毎に決定された参照値の分布情報を決定する分布情報決定部２２と、を備えて構成し、マクロ領域において算出された分布情報に応じて欠陥検出条件を変えて欠陥検出を行う。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において，被評価パターンの断面形状，あるいは被評価パターンのプロセス条件，あるいは被評価パターンのデバイス特性を，パターンを非破壊で計測可能にする。
【解決手段】
露光プロセス，あるいはエッチングプロセスにおいて，被評価パターンのSEM像から，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を推定するのに有効な画像特徴量を算出し，前記画像特徴量を予めデータベースに保存しておいたパターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前期パターンのデバイス特性とSEM像から算出した前記画像特徴量とを関連づける学習データに照合することにより，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦ露光用のフォトレジスト等、低Ｓ／Ｎの信号波形による寸法計測が必要な試料においても、精度の高い寸法計測を実現する電子線式寸法計測装置及びそれを用いた寸法計測方法を提供する。
【解決手段】電子線式寸法計測装置（測長ＳＥＭ装置）において、予め、寸法計測対象試料と同種のサンプル試料から得たサンプル信号波形（あるいは画像）の部分波形（あるいは部分画像）を登録しておき、寸法計測対象試料から得られた計測対象信号波形（あるいは画像）と前記サンプル登録波形の波形照合を行い、照合結果に基づき寸法計測対象パターンの寸法値を算出する。 （もっと読む）