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Fターム[2F067RR20]の内容

Fターム[2F067RR20]に分類される特許

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【課題】
各種のパターンに対応する計測方法については開示されておらず、特に計測対象パターンの両辺が直線乃至は曲線で構成され、両辺が非平行なパターンの計測方法についての開示はない。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成されたパターンを撮像し、撮像画像に基づいてパターン寸法を計測する方法であって、画像上のパターンの両側のエッジ位置を特定するステップと、パターンの第1のエッジ上にある第1の点と、その反対側のエッジである第2のエッジ上にある第2の点において、該第1の点と該第2の点を結ぶ線分と、該第1の点における該第1エッジの第1の接線と、該第2の点における該第2エッジの第2の接線に基づいて計測を行うステップと、該線分の距離を計測するステップを有することを特徴とする半導体パターン計測方法である。 (もっと読む)


【課題】パターンの線幅を精度よく測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】試料の設計データ30を参照して、設計データ30上のパターンのエッジの段差がない部分に測定領域35を設定するとともに、その設計データ30から特徴部としてエッジ36c、36dを検出する。また、二次電子像40から、設計データ30の特徴部に対応する特徴部としてエッジ46c、46dを検出する。そして、設計データ30のエッジ36c、36dと、二次電子像のエッジ46c、46dとの位置関係に基づいて測定領域35を二次電子像40上に位置合わせして配置する。このようにして配置された測定領域45内のエッジ間の距離に基づいてパターンの幅を測定する。 (もっと読む)


【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターンを撮像した画像から、フォトマスクのOPCパターンの寸法を精度良く且つ容易に測定することができるパターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、フォトマスクのOPCパターンのうち、所望の範囲のパターンを包含する一回り大きい測定対象領域を設定し、測定対象領域のパターンの寸法を微小な領域毎に測定し、寸法の測定値を統計的に処理したものを曲線で近似し、近似曲線で表れるデータ群のうち、所望の範囲のパターン寸法に相当するデータ群の平均値を、所望の範囲のパターン寸法として推定する。 (もっと読む)


【課題】光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが100[μm]以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価すること。
【解決手段】金属板表面に形成された皮膜の膜厚均一性を評価する膜厚均一性評価方法は、グロー放電発光分光法を利用して金属板の構成元素の深さ方向のプロファイルを測定する測定ステップと、測定ステップにおいて測定されたプロファイルを微分することによって微分プロファイルDPを算出し、算出された微分プロファイルの主ピークの半値幅FWHMを算出する算出ステップと、算出ステップにおいて算出された主ピークの半値幅FWHMを用いて皮膜の膜厚均一性を評価する評価ステップと、を含む。これにより、光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが100[μm]以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価することができる。 (もっと読む)


【課題】光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが100[μm]以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価すること。
【解決手段】金属板表面に形成された皮膜の膜厚均一性を評価する膜厚均一性評価方法は、グロー放電発光分光法を利用して金属板の構成元素の深さ方向のプロファイルPを測定する測定ステップと、測定ステップにおいて測定されたプロファイルPの形状を近似する関数Fを算出する算出ステップと、算出ステップにおいて算出された関数Fを用いて皮膜の膜厚均一性を評価する評価ステップと、を含む。これにより、光を透過しない皮膜および基材であって、膜厚分布の広がりが100[μm]以下の目視できない範囲内にある皮膜の膜厚均一性を簡便、且つ、迅速に評価することができる。 (もっと読む)


【目的】本発明は、輪郭線抽出方法、輪郭線抽出プログラムおよび面積測定方法に関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定して出力およびその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線の情報を出力および内部の面積を算出するステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】パターンのエッジの幅及び傾斜角を高精度に測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを試料表面の観察領域で走査させ、電子ビームの照射によって試料の表面から放出された二次電子を、電子ビームの光軸の周りに配置された複数の電子検出器で検出するパターン測定装置において、パターン61の延在方向に直交し、かつ光軸を挟んで対向する2方向からの画像を取得する。そして、それらの画像から、エッジと直交するライン上のプロファイルL6,L7を抽出し、それらの差分を取った差分プロファイルL8を求める。その差分プロファイルL8の立下り部分R2,R3に基づいてエッジ61a、61bの上端を検出し、ラインプロファイルL6、L7の立ち上がり部分R1又は立下り部分R4に基づいてエッジ61a、61bの下端の位置を検出する。 (もっと読む)


【課題】パターンの高さを非破壊で迅速に測定することができるパターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法を提供する。
【解決手段】試料表面の観察領域を電子ビームを照射で走査し、観察領域の斜め上方に配置された検出器99aによる二次電子の検出信号に基づいて画像(SEM画像)を取得し、その画像に現れるパターン82の影の長さLを検出する。そして、あらかじ求めた検出器99aの試料表面に対する見掛け上の角度θと検出された影の長さLとに基づいて、パターン82の高さHをH=L×tanθにより求める。パターン82の影の長さLは、例えばパターン82のエッジ82a、82bと直交するラインX−X上の二次電子の強度分布を抽出し、その二次電子の強度分布の凹部が所定のしきい値Iと交差する2点間の距離として求める。 (もっと読む)


【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と1回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と2回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、1回目の露光の工程で形成されたパターンと2回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 (もっと読む)


【課題】高速かつ高感度で微小欠陥を検出する。
【解決手段】実施形態のパターン欠陥検査装置は、検査対象パターンに関する第1のデータに基づいて、前記検査対象パターンに対する電子ビームの照射点の軌道に関するデータを含み前記電子ビームの走査を制御するためのデータである電子ビーム照射点軌道データを生成する電子ビーム照射点軌道データ生成手段と、前記電子ビーム照射点軌道データに従って前記検査対象パターンに電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記電子ビームの照射により前記検査対象パターンから発生する二次電子を検出する二次電子検出手段と、前記二次電子検出手段の出力信号から前記二次電子の信号強度に関する第2のデータを取得する信号強度取得手段と、前記第2のデータから異常点を検出して前記検査対象パターンの欠陥として出力する欠陥検出手段と、を持つ。 (もっと読む)


【課題】本発明は、設計データと輪郭線、或いは輪郭線間のマッチングを行うに当たり、両者の対応点を正確に特定する画像処理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、第1の線分によって形成される第1のパターンと、第2の線分によって形成される第2のパターン間の位置合わせを行うときに、第1の線分と第2の線分上にそれぞれ第1の対応点と、第2の対応点を設定し、第1の対応点と第2の対応点間の距離に基づいて、第1のパターンと第2のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、第1の線分と第2の線分の形状差に応じて、第1の対応点、及び/又は第2の対応点の位置を変化させる。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の2本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の2本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、2本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 (もっと読む)


【課題】パイプの放射線透視像のうちのパイプを横断する方向の輝度プロファイルを使用してパイプの外径点及び内径点を精度よく推定し、パイプ厚みを正確に計測可能にする。
【解決手段】計測対象のパイプの放射線透視像のうちのパイプを横断する方向の輝度プロファイルを取得し、この輝度プロファイルに基づいてパイプの外径点を推定する(ステップS10〜S40)。その後、推定された2つの外径点の内側の領域を設定して輝度プロファイルをセクター分割し、このセクター分割された輝度プロファイルに基づいてパイプの内径点を推定する(ステップS52〜S60)。特に、内径点推定時に、パイプの2つの外径点の内側の所定の領域に対応する輝度プロファイル(即ち、内径点の推定に関係しない情報が排除された輝度プロファイル)に基づいて内径点を検出するようにしたため、内径点推定を精度よく行うことができるようにしている。 (もっと読む)


【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを1枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 (もっと読む)


【課題】パターンの輝度の影響を受けることなく、ラインパターンとスペースパターンを容易に識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。
【解決手段】パターン測定装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、電子ビームの光軸を挟んで設置された第1の電子検出手段及び第2の電子検出手段と、パターンの画像データを生成する画像処理手段と、パターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成手段と、第1の電子検出手段で検出された信号と第2の電子検出手段で検出された信号との差分に対応する電子量を基に画像処理手段にパターンの画像データを生成させる制御手段を有する。制御手段は、第1の電子検出手段で検出された信号と第2の電子検出手段で検出された信号との差分を基に作成されたラインプロファイルによりパターンの立下り又は立上りを判定し、ラインの線幅を測定するようにしてもよい。 (もっと読む)


【課題】高感度でかつ測定誤差の小さい側壁角度を非破壊で算出可能な荷電ビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明の荷電ビーム装置は、荷電ビームを試料に対して斜め入射させて得られたSEM画像により得られる生のSEM輝度値プロファイルを移動平均フィルタを用いて生のSEM輝度値プロファイル信号に含まれているノイズを除去した後、ノイズが除去されたSEM輝度値プロファイル信号を微分してその微分波形Pwの最大値Pwmaxと最小値Pwminとを取得し、最大値に対応する電子線の走査方向のピクセルの座標点と微分波形の最小値に対応する電子ビームの走査方向のピクセルの座標点との差に基づきピーク幅w4を求め、実際に測定により求めた側壁部の傾斜角度とピーク幅との関係に基づき得られた換算係数と、ピーク幅w4とに基づき側壁部の傾斜角度を求める。 (もっと読む)


【課題】タービンや発電機等の回転体軸の軸伸び量を非接触でかつ遠方での測定が可能であり、かつ装置の信頼性と安全性が高く高精度の測定が可能となる回転体軸の軸伸び量測定装置を提供する。
【解決手段】回転体軸に放射線源を設けこれと放射線検出器を対向させて配置し、放射線検出器の検出信号に基づいて回転体軸の軸伸び量を測定する回転体軸の軸伸び量測定装置において、回転体軸1の軸長方向に沿って設けられ、回転体軸の半径方向に放射線を放射するように配置された放射線源3と、回転体軸の半径方向に放射線源と離間して対向配置され、放射線を検出する放射線検出器5と、放射線源と放射線検出器との間に配置され、回転体軸の軸伸び量がゼロの状態において放射線の放射線検出器への入射を遮蔽する遮蔽部材6とを備え、回転体軸の軸伸びに伴って放射線検出器で検出される放射線の線量率の変化に基づき、回転体軸の軸伸び量を測定する。 (もっと読む)


【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部1012や倍率補正部1014、歪曲補正部1018、画像合成部1015及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部1111を備える。 (もっと読む)


【課題】SEM画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、CD−SEMが用いられているが、CD−SEMの自動測定機能は1次元対応で、2次元形状は、CD−SEMや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部11と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置7と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部12と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部13とを備えた。 (もっと読む)


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