【課題】
各種のパターンに対応する計測方法については開示されておらず、特に計測対象パターンの両辺が直線乃至は曲線で構成され、両辺が非平行なパターンの計測方法についての開示はない。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成されたパターンを撮像し、撮像画像に基づいてパターン寸法を計測する方法であって、画像上のパターンの両側のエッジ位置を特定するステップと、パターンの第１のエッジ上にある第１の点と、その反対側のエッジである第２のエッジ上にある第２の点において、該第１の点と該第２の点を結ぶ線分と、該第１の点における該第１エッジの第１の接線と、該第２の点における該第２エッジの第２の接線に基づいて計測を行うステップと、該線分の距離を計測するステップを有することを特徴とする半導体パターン計測方法である。 （もっと読む）

【課題】パターンの線幅を精度よく測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】試料の設計データ３０を参照して、設計データ３０上のパターンのエッジの段差がない部分に測定領域３５を設定するとともに、その設計データ３０から特徴部としてエッジ３６ｃ、３６ｄを検出する。また、二次電子像４０から、設計データ３０の特徴部に対応する特徴部としてエッジ４６ｃ、４６ｄを検出する。そして、設計データ３０のエッジ３６ｃ、３６ｄと、二次電子像のエッジ４６ｃ、４６ｄとの位置関係に基づいて測定領域３５を二次電子像４０上に位置合わせして配置する。このようにして配置された測定領域４５内のエッジ間の距離に基づいてパターンの幅を測定する。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェーハ上のパターン寸法を計測する方法において、ユーザは計測手法を選定する際に、任意のパターン形状を目視しただけではその適用可否を判断することは難しく、自動で計測手法を選択する場合は、測定対象のパターン形状に適した手法が選定されないことがある。
【解決手段】
電子線により撮像された半導体パターン像の寸法を計測する方法において、ユーザによりパターン上の計測対象部を指定し、パターン計測部から形状情報を抽出し、抽出した形状情報を基に予め作成しておいた計測手法ライブラリから適用可能な計測手法を選定し、選定された手法によりパターンの寸法の計測をし、計測された寸法を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】パターンの高さを非破壊で迅速に測定することができるパターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法を提供する。
【解決手段】試料表面の観察領域を電子ビームを照射で走査し、観察領域の斜め上方に配置された検出器９９ａによる二次電子の検出信号に基づいて画像（ＳＥＭ画像）を取得し、その画像に現れるパターン８２の影の長さＬを検出する。そして、あらかじ求めた検出器９９ａの試料表面に対する見掛け上の角度θと検出された影の長さＬとに基づいて、パターン８２の高さＨをＨ＝Ｌ×ｔａｎθにより求める。パターン８２の影の長さＬは、例えばパターン８２のエッジ８２ａ、８２ｂと直交するラインＸ−Ｘ上の二次電子の強度分布を抽出し、その二次電子の強度分布の凹部が所定のしきい値Ｉと交差する２点間の距離として求める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、合成画像を形成する場合に、重複領域のパターンの状態に応じて、適正に合成画像を形成することを目的とする合成画像形成方法、及び合成画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の画像を合成して合成画像を形成する合成画像形成方法、及び装置であって、複数の画像間の重複領域について、当該重複領域中に含まれるパターンの属性情報を作成し、当該パターンの属性情報に基づいて、合成対象となる画像を選択し、当該選択に基づいて画像合成を行う方法、及び装置を提案する。また、他の一態様として、重複領域内の属性情報を用いて、複数段階で画像合成を行う方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高感度で微小欠陥を検出する。
【解決手段】実施形態のパターン欠陥検査装置は、検査対象パターンに関する第１のデータに基づいて、前記検査対象パターンに対する電子ビームの照射点の軌道に関するデータを含み前記電子ビームの走査を制御するためのデータである電子ビーム照射点軌道データを生成する電子ビーム照射点軌道データ生成手段と、前記電子ビーム照射点軌道データに従って前記検査対象パターンに電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記電子ビームの照射により前記検査対象パターンから発生する二次電子を検出する二次電子検出手段と、前記二次電子検出手段の出力信号から前記二次電子の信号強度に関する第２のデータを取得する信号強度取得手段と、前記第２のデータから異常点を検出して前記検査対象パターンの欠陥として出力する欠陥検出手段と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置を用いたパターンの寸法計測または、形状観察において、高スループット化を可能にする。
【解決手段】試料の表面に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の収束させた電子ビームを照射し走査して試料から発生する二次電子または反射電子を検出して試料のＳＥＭ画像を取得し、取得したＳＥＭ画像を処理して画像取得条件を設定し、設定した画像取得条件に基づいて走査電子顕微鏡で試料のＳＥＭ画像を取得し、設定した画像取得条件に基づいて取得したＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて試料を撮像して得たＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡装置及びその画像取得方法において、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件と、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件を変えてＳＥＭ画像を取得するようにした。 （もっと読む）

【課題】高さ方向で構造が変化するようなパターンであっても、走査型顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）を用いて取得した画像データを用いて所望のパターンエッジが再現性よく決定できる画像処理条件（閾値等）を、簡便に得ることのできる画像データ解析装置を提供する。
【解決手段】記録装置５０４と処理部５０３と表示部５０２とを有する画像データ解析装置であって、処理部５０３は、記録装置５０４に記録された画像データを用いてノイズ及びノイズを除去したエッジラフネスと閾値との関係を表すグラフや、それから求めたエッジを決定するための閾値を表示部５０２に表示する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターンサイズに応じてシュリンクの程度が異なる場合であっても、適正に寸法測定、或いはパターンエッジの輪郭線抽出を行うことを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料に電子ビームを走査することによって得られる信号に基づいて、試料上に形成されたパターンの寸法を測定するパターン寸法測定装置において、パターンの寸法値に、パターンの寸法に応じた補正量を加算することによって、パターン寸法値を補正する演算装置を備えたパターン寸法測定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】被測定対象物上のパターンの線幅あるいは線間隔などを測定した測定値の良否を判定する測定値の判定方法に関し、画像撮影時の焦点合わせの不良による画像の不明瞭、更にチャージによる画像ドリフトによる画像の不明瞭などによる、パターンの線幅などの測定不良を自動判定する。
【解決手段】被測定対象物上のパターンの信号強度分布を取得するステップと、取得した信号強度分布からパターンのエッジ位置を検出するステップと、エッジ位置の検出に用いたと同一の信号強度分布からパターンのエッジ部分のスロープ値を検出するステップと、検出したスロープ値が予め設定した所定範囲内のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が正しいと判定し、一方、所定範囲外のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が不良と判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高いスループットにて実現することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する特徴量を抽出し、当該２つの特徴量の比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置、及びコンピュータープログラムを提案する。 （もっと読む）

【課題】ドリフトが生じやすい試料であっても、輪郭の明瞭さが安定した試料像を得ることができる画像形成方法及びその方法を用いる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】画像形成方法は、試料Ｓをラインスキャンによって撮像し、第１の画像データを得る第１の撮像工程と、第１の画像データの輪郭の明瞭さを数値化する第１の数値化工程と、第１の数値化工程で得られた第１の画像データの輪郭の明瞭さを表す数値Ｍ１から、明瞭さの閾値Ｍｓを設定する閾値設定工程と、試料Ｓをエリアスキャンによって撮像し、第２の画像データを得る第２の撮像工程と、第２の画像データの輪郭の明瞭さを数値化する第２の数値化工程と、第２の画像データの輪郭の明瞭さを表す数値Ｍ２が閾値Ｍｓを満たしているか判定する判定工程と、判定工程の結果に基づいて、画像を選択して記憶する記憶工程とを備えるものとした。 （もっと読む）

【課題】膜厚に起因するピークシフトの影響を除去することである。
【解決手段】薄膜試料Ｗに向かって電子線を照射する電子線照射部と、前記電子線の照射によって薄膜試料Ｗから発生する光）Ｌを分光し、検出する光検出部と、前記光検出部からの出力信号を受信して光）Ｌのスペクトルのピーク波長である測定ピーク波長を算出するピーク波長算出部４１と、膜厚既知の標準試料により得られた膜厚とその膜厚におけるピーク波長である基準ピーク波長との関係を示す基準データを格納する基準データ格納部Ｄ１と、前記基準データから前記薄膜試料Ｗの膜厚に対する基準ピーク波長を算出する基準ピーク波長設定部４２と、前記測定ピーク波長及び前記基準ピーク波長をパラメータとして、前記薄膜試料Ｗの状態を分析する分析部４３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】
荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】測定対象のラインとスペースがほぼ等間隔に形成されているときに、ラインとスペースを識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。
【解決手段】パターン測定装置は、荷電粒子ビームを走査して、試料上に形成されたパターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成部と、ラインプロファイルを２次微分して２次微分プロファイルを作成する微分プロファイル作成部と、２次微分プロファイルから得られるパターンのエッジ位置の近傍に出現する２つのピーク位置とピーク値からパターンのエッジが立ち上がりか立下りかを判定するエッジ検出部とを備える。エッジ検出部は、２次微分プロファイルから得られるパターンのエッジ位置の近傍に出現する２つのピーク位置をＸ１，Ｘ２（＞Ｘ１）としたとき、ピーク位置Ｘ１の信号量がピーク位置Ｘ２の信号量よりも大きいとき、パターンのエッジは立ち上がると判定する。 （もっと読む）

本発明は、被検対象物（１）の材料界面を決定するための方法及び装置に関し、透過放射線を用いて、画像データの画像値を取得することによって被検対象物（１）の三次元画像データを生成するか、或いは取得して置いた画像データの画像値によって被検対象物（１）の三次元画像データを取得し、被検対象物（１）に対して相対的に、画像データを評価するための評価線（１７）を決定し、評価線（１７）の方向における画像値の第１の部分導関数の絶対値が材料界面の位置に極大値を有するように、この評価線に沿って存在する画像値を評価することによって、被検対象物（１）の材料界面の位置を決定するものである。
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電子ビームを照射して、所望のパターンが形成された試料の表面を観察する試料観察装置であって、電子ビームを試料の表面に照射する電子銃と、電子ビームが試料の表面に照射されることにより、試料から生じる電子を検出する電子検出部と、電子検出部が検出した電子に基づいて、試料の表面上の位置と、当該位置に対応して電子検出部が検出した電子量との関係を示す信号プロファイルを生成する状態取得部と、試料の表面上のそれぞれの位置における、信号プロファイルの２階微分値を算出する微分器と、信号プロファイルの２階微分値に基づいて、試料の表面に設けられたパターンのエッジの位置を算出するエッジ位置算出部とを備える試料観察装置を提供する。
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