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Fターム[2F067RR27]の内容

波動性又は粒子性放射線を用いた測長装置 (9,092) | 信号処理、電源関連 (1,540) | 信号の加算、合成 (34)

Fターム[2F067RR27]に分類される特許

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【課題】パターンの線幅を精度よく測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】試料の設計データ30を参照して、設計データ30上のパターンのエッジの段差がない部分に測定領域35を設定するとともに、その設計データ30から特徴部としてエッジ36c、36dを検出する。また、二次電子像40から、設計データ30の特徴部に対応する特徴部としてエッジ46c、46dを検出する。そして、設計データ30のエッジ36c、36dと、二次電子像のエッジ46c、46dとの位置関係に基づいて測定領域35を二次電子像40上に位置合わせして配置する。このようにして配置された測定領域45内のエッジ間の距離に基づいてパターンの幅を測定する。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクのパターン形成面が帯電している場合でもフォトマスクのパターン寸法を高精度に計測することのできるパターン寸法計測方法を提供する。
【解決手段】SEM画像を画像処理してフォトマスクのパターン寸法を計測するに際して、フォトマスクのパターンと共にパターン形成面に形成された補正用パターンをSEM画像から抽出し、抽出された補正用パターンから一次電子の偏向量を算出し、該偏向量を補正量としてパターン寸法の計測値を補正する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、非破壊法かつ簡便にポリシリコン膜の厚さを評価することができるポリシリコン膜の膜厚評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を評価する方法であって、
ポリシリコン膜を有する試験用シリコンウエーハを2枚以上準備し、それぞれの前記試験用シリコンウエーハのポリシリコン膜に対して、膜厚測定とX線回折測定法により回折面からの回折強度測定とを行い、所定の換算係数を用いて前記測定された回折強度を前記測定された膜厚に換算する換算式を求める換算式算出工程と、
その後、前記シリコンウエーハ上の膜厚が未知のポリシリコン膜に対してX線回折測定法により回折面からの回折強度測定を行い、該測定された回折強度に基づいて前記換算式により前記シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を算出する膜厚算出工程とを有することを特徴とするポリシリコン膜の膜厚評価方法。 (もっと読む)


【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターンを撮像した画像から、フォトマスクのOPCパターンの寸法を精度良く且つ容易に測定することができるパターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、フォトマスクのOPCパターンのうち、所望の範囲のパターンを包含する一回り大きい測定対象領域を設定し、測定対象領域のパターンの寸法を微小な領域毎に測定し、寸法の測定値を統計的に処理したものを曲線で近似し、近似曲線で表れるデータ群のうち、所望の範囲のパターン寸法に相当するデータ群の平均値を、所望の範囲のパターン寸法として推定する。 (もっと読む)


【課題】塗膜下における鋼材の腐食部分の体積を非破壊で測定することができるようにする。
【解決手段】周波数が100〔GHz〕〜10〔THz〕の範囲の電磁波を用いて被検査物の塗膜層表面の2次元的な計測位置毎に塗膜層を介在させて電磁波測定を行って反射強度の2次元分布計測値を得て、当該2次元分布計測値における計測位置毎の反射光電界を用いて〔ア〕照射光電界反射係数lを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数kを求めるか若しくは〔イ〕電界減衰率mを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数kを求め(S5)、当該侵入光電界反射係数kを用いて計測位置毎に被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食層の厚さdRを求め(S6)、当該腐食層の厚さdRを用いて被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食部分の体積Vを求める(S7)ようにした。 (もっと読む)


【目的】本発明は、輪郭線抽出方法、輪郭線抽出プログラムおよび面積測定方法に関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定して出力およびその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線の情報を出力および内部の面積を算出するステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】パターンの高さを非破壊で迅速に測定することができるパターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法を提供する。
【解決手段】試料表面の観察領域を電子ビームを照射で走査し、観察領域の斜め上方に配置された検出器99aによる二次電子の検出信号に基づいて画像(SEM画像)を取得し、その画像に現れるパターン82の影の長さLを検出する。そして、あらかじ求めた検出器99aの試料表面に対する見掛け上の角度θと検出された影の長さLとに基づいて、パターン82の高さHをH=L×tanθにより求める。パターン82の影の長さLは、例えばパターン82のエッジ82a、82bと直交するラインX−X上の二次電子の強度分布を抽出し、その二次電子の強度分布の凹部が所定のしきい値Iと交差する2点間の距離として求める。 (もっと読む)


【課題】パターン変形や欠陥を定量的に評価できる方法を提案する。
【解決手段】電子顕微鏡により、同一形状及び同一サイズを有するように形成された複数の形成済みパターンを観察し、複数の顕微画像を取得する。次に、当該複数の顕微画像を積算し、積算画像を生成する。一方で、当該顕微画像に対応する参照画像を記憶領域から取得する。次に、積算画像に含まれる所定のパターンのパターン幅を一次元方向について多点測定する。一方で、積算画像と同じパターンを対象に、積算画像と同一地点について、参照画像のパターン幅を多点測定する。この後、積算画像について取得された多点測定結果列と、参照画像について取得された多点測定結果列の間で相互相関係数を算出し、その演算結果より積算画像と参照画像の相関度合いを判定する。 (もっと読む)


【課題】電気気抵抗式溶融炉における電極の長さを正確に測定して、少なくとも溶融スラグ層と溶融金属層との界面を正確に検知するとともに、上熱現象や電極の折損事故等の不具合を防ぐ。
【解決手段】炉内に堆積した被溶融物に、炉内に垂下する炭素電極を差し入れ、電極間を通電して被溶融物を溶融する電気抵抗式溶融炉における炭素電極の長さを測定する方法であって、少なくとも1本の炭素電極に、軸線に沿って下端まで延びる空孔を形成して上端にマイクロ波送受信器を装着するか、内部に電極下端に達する金属製パイプを挿通し、上端にマイクロ波送受信器を装着してマイクロ波を送信し、空孔または金属製パイプの下端で反射されたマイクロ波を受信して電極の長さを求める。 (もっと読む)


【課題】本発明は、合成画像を形成する場合に、重複領域のパターンの状態に応じて、適正に合成画像を形成することを目的とする合成画像形成方法、及び合成画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の画像を合成して合成画像を形成する合成画像形成方法、及び装置であって、複数の画像間の重複領域について、当該重複領域中に含まれるパターンの属性情報を作成し、当該パターンの属性情報に基づいて、合成対象となる画像を選択し、当該選択に基づいて画像合成を行う方法、及び装置を提案する。また、他の一態様として、重複領域内の属性情報を用いて、複数段階で画像合成を行う方法、及び装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】直接又は潤滑油等を介して接している2物体の間のごく微小の間隙の大きさやその接触部位付近の両物体の微細な表面形状を計測・観測可能とする。
【解決手段】2物体4A、4Bの接触部位に対して、該接触部位の接平面に対する角度が全反射臨界角以下である入射角度でX線を照射し、その接触部位から反対側に出射してくる通過X線、回折・散乱X線、特性X線等を位置敏感型の2次元X線検出器5で検出する。2次元X線強度分布作成部61はX線検出器5からの検出信号により2次元X線強度分布画像を作成し、解析処理部62は該画像中で例えば接触の種類(点、線等)に応じて設定された検出窓に含まれる複数の画素のみを抽出して、該画素のX線強度を積算する。そして、この積算X線強度に基づいて接触部位に存在する微小間隙の大きさを求めるとともに、2次元X線強度分布画像から求まる強度パターンを解析して表面形状を推定する。 (もっと読む)


【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを1枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 (もっと読む)


【課題】パターンの輝度の影響を受けることなく、ラインパターンとスペースパターンを容易に識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。
【解決手段】パターン測定装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、電子ビームの光軸を挟んで設置された第1の電子検出手段及び第2の電子検出手段と、パターンの画像データを生成する画像処理手段と、パターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成手段と、第1の電子検出手段で検出された信号と第2の電子検出手段で検出された信号との差分に対応する電子量を基に画像処理手段にパターンの画像データを生成させる制御手段を有する。制御手段は、第1の電子検出手段で検出された信号と第2の電子検出手段で検出された信号との差分を基に作成されたラインプロファイルによりパターンの立下り又は立上りを判定し、ラインの線幅を測定するようにしてもよい。 (もっと読む)


【課題】異なるピッチの周期的構造を持つ基板について、高精度かつ効率的な形状計測を可能とする基板計測方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態の基板計測方法によれば、第1のピッチで形成された第1の周期的構造と、第1のピッチより小さい第2のピッチで形成された第2の周期的構造と、を含む計測対象について、シミュレーションにより、第1の周期的構造についての散乱プロファイルと、第2の周期的構造についての散乱プロファイルと、が算出される。第1の周期的構造及び第2の周期的構造から散乱した電磁波の検出により実測した散乱プロファイルから、第1の周期的構造による散乱プロファイルが抽出される。第1の周期的構造及び第2の周期的構造について実測した散乱プロファイルと、第1の周期的構造について抽出された散乱プロファイルとの差分が、第2の周期的構造による散乱プロファイルとして算出される。 (もっと読む)


【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部1012や倍率補正部1014、歪曲補正部1018、画像合成部1015及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部1111を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、CD−SEMが用いられているが、CD−SEMの自動測定機能は1次元対応で、2次元形状は、CD−SEMや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部11と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置7と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部12と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部13とを備えた。 (もっと読む)


【課題】
パターン寸法計測のスループットを低下させることなくパターンの材料や立体構造に関する情報を得ることができる荷電粒子線顕微鏡を提供する。
【解決手段】
荷電粒子線顕微鏡において、試料の観察視野を走査して得られたフレーム画像を複数枚取得し(S304、S305)、それらの画像を積算し(S307)、試料上に形成されたパターンの寸法を算出(S308)すると共に、フレーム画像を構成する1フレーム画像またはサブフレーム画像等からなる分別画像(S309,S310)を用いてパターン情報を取得する(S314)。 (もっと読む)


【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定,検査条件の設定を可能とする測定,検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 (もっと読む)


【課題】環境が悪くても、走行金属面上の突起物を確実に検出する。
【解決手段】突起物検出装置100は、電磁波を放射する送信用アンテナ23と、反射された電磁波を受信する受信用アンテナ24と、送信信号及び受信信号を処理する送受信信号処理部200と、を備える。前記送信用アンテナ及び前記受信用アンテナは単方向指向性を有し、前記受信用アンテナは、前記送信用アンテナから放射され前記金属面300に反射された電磁波を捉えることがなく、前記送信用アンテナから放射され前記金属面上の突起物305に反射された電磁波のみを捉えるように設置されている。 (もっと読む)


【課題】
半導体パターンの広範囲の撮像領域(EP)を複数の撮像領域(SEP)に分割し,SEPをSEMを用いて撮像した画像群を画像処理により繋ぎ合せるパノラマ画像合成技術において,繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが少なくても全画像が繋がるSEPを決定すること,およびそのようなSEPを決定できなくてもユーザの要求項目をなるべく満たすSEPを決定することである。
【解決手段】
一部のSEP間の重複領域に繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが含まれなくても全画像が繋がるケースがあることに着目し,SEP配置の最適化により前記ケースを抽出することで全画像が繋がるSEPを決定できるケースが増える。また,そのようなSEPを決定できなくても,複数のSEP配置の候補とユーザの要求項目を可視化した情報を表示・SEPを選択させることでユーザの要求項目をなるべく満たすSEPを容易に決定できる。 (もっと読む)


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