【課題】スキャン歪や荷電粒子線のランディング角度のばらつきに起因する測長値器差を低減し、荷電粒子線の絶対的な傾斜角度を高精度に測定する。
【解決手段】試料面上に形成されたピラミッドパターン９０のＳＥＭ画像の撮像する際に、スキャン方向及び／又は試料５の搭載向きを、正および逆向きに変えた像を取得し、それぞれの結果を画像間で平均化することにより荷電粒子線の傾斜角度を高精度に測定する。これによりスキャン歪の影響や荷電粒子線のランディング角度のばらつきに起因する測長値器差を低減する。 （もっと読む）

【課題】ラインセンサを用いた全幅測定において、中央部及び周端部のリアルタイム補正ならびに中長期の補正を可能とする放射線測定装置を実現する。
【解決手段】放射線源から所定の幅を有する被測定物に放射線を照射し、前記被測定物を透過した放射線の強度をラインセンサにより前記幅方向に測定し、前記被測定物と同一材質で厚さが既知の複数の参照物体の測定で予め求められた透過放射線強度特性を参照して前記被測定物の厚さ若しくは坪量を測定する放射線測定装置において、
前記放射線源と前記被測定物間に介在させた坪量若しくは厚さが予め別の測定により既知の校正サンプルを、前記ラインセンサの検出部に沿って移動させる校正サンプル移動手段と、
前記校正サンプルの移動位置における前記ラインセンサによる透過放射線強度信号に基づいて補正値を演算し、前記透過放射線強度特性を補正する校正処理手段と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】
各種のパターンに対応する計測方法については開示されておらず、特に計測対象パターンの両辺が直線乃至は曲線で構成され、両辺が非平行なパターンの計測方法についての開示はない。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成されたパターンを撮像し、撮像画像に基づいてパターン寸法を計測する方法であって、画像上のパターンの両側のエッジ位置を特定するステップと、パターンの第１のエッジ上にある第１の点と、その反対側のエッジである第２のエッジ上にある第２の点において、該第１の点と該第２の点を結ぶ線分と、該第１の点における該第１エッジの第１の接線と、該第２の点における該第２エッジの第２の接線に基づいて計測を行うステップと、該線分の距離を計測するステップを有することを特徴とする半導体パターン計測方法である。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェーハ上のパターン寸法を計測する方法において、ユーザは計測手法を選定する際に、任意のパターン形状を目視しただけではその適用可否を判断することは難しく、自動で計測手法を選択する場合は、測定対象のパターン形状に適した手法が選定されないことがある。
【解決手段】
電子線により撮像された半導体パターン像の寸法を計測する方法において、ユーザによりパターン上の計測対象部を指定し、パターン計測部から形状情報を抽出し、抽出した形状情報を基に予め作成しておいた計測手法ライブラリから適用可能な計測手法を選定し、選定された手法によりパターンの寸法の計測をし、計測された寸法を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】計測対象が電子線照射によってシュリンクする場合であっても、パターン輪郭や寸法を高精度に求めることのできる計測方法を提供する。
【解決手段】下地の上にパターンが形成された試料に電子線を照射して計測する方法において、パターンのＳＥＭ画像や輪郭（Ｓ２０１、Ｓ２０２）、試料のパターン部および下地部の材料パラメータ（Ｓ２０３）（Ｓ２０４）、電子線を試料に照射する際のビーム条件（Ｓ２０５）を準備し、これらを用いて、電子線を照射する前のパターン形状、あるいは寸法を算出する（Ｓ２０６）。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターンを撮像した画像から、フォトマスクのＯＰＣパターンの寸法を精度良く且つ容易に測定することができるパターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、フォトマスクのＯＰＣパターンのうち、所望の範囲のパターンを包含する一回り大きい測定対象領域を設定し、測定対象領域のパターンの寸法を微小な領域毎に測定し、寸法の測定値を統計的に処理したものを曲線で近似し、近似曲線で表れるデータ群のうち、所望の範囲のパターン寸法に相当するデータ群の平均値を、所望の範囲のパターン寸法として推定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な，高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし，膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて表面にレジストパターンが形成された試料の画像を取得する電子線画像取得手段と、該取得した画像を処理して前記レジストパターンの所望の領域の画像の明るさのばらつきの特徴を定量化する定量化手段と、該定量化手段で定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出する指標値算出手段と、該指標値算出手段で算出した指標値の情報を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする電子顕微鏡システムである。 （もっと読む）

【目的】本発明は、輪郭線抽出方法、輪郭線抽出プログラムおよび面積測定方法に関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定して出力およびその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線の情報を出力および内部の面積を算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線放射に対して僅かなコントラストしか生じない対象の測定を、十分な精度で迅速に行う、コンパクトな装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１０及びＸ線を検出する少なくとも１個のＸ線センサ７からなる第１の感知装置としてのＸ線感知装置及び測定物に対して座標測定装置のｘ、ｙ及びｚ方向に位置決めすることができる第２の感知装置、例えば触覚式及び／又は光学式感知装置８、１１、９を有する、測定物３の測定のための座標測定装置に関する。大きなサイズの測定物も問題なく測定できるように、Ｘ線感知装置７、１０が第２の感知装置８，１１、９に対応して座標測定装置１０に位置決めされることを提案する。 （もっと読む）

【課題】パターンの高さを非破壊で迅速に測定することができるパターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法を提供する。
【解決手段】試料表面の観察領域を電子ビームを照射で走査し、観察領域の斜め上方に配置された検出器９９ａによる二次電子の検出信号に基づいて画像（ＳＥＭ画像）を取得し、その画像に現れるパターン８２の影の長さＬを検出する。そして、あらかじ求めた検出器９９ａの試料表面に対する見掛け上の角度θと検出された影の長さＬとに基づいて、パターン８２の高さＨをＨ＝Ｌ×ｔａｎθにより求める。パターン８２の影の長さＬは、例えばパターン８２のエッジ８２ａ、８２ｂと直交するラインＸ−Ｘ上の二次電子の強度分布を抽出し、その二次電子の強度分布の凹部が所定のしきい値Ｉと交差する２点間の距離として求める。 （もっと読む）

【課題】生成される曲率分布の精度を向上させる。
【解決手段】ケーブルの曲率分布を生成するシステムであって、ケーブルの長手方向における複数の点それぞれの位置情報を取得する取得部３１と、前記複数の点の前記位置情報に基づいて前記複数の点の曲率を算出することで、前記ケーブルの長手方向における曲率分布を生成する曲率分布生成部３２と、を備えている。システムは、さらに、前記曲率分布、及び／又は、前記複数の点の前記位置情報の平滑化処理を行う平滑化処理部を備えており、各点の検出誤差によるノイズを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と１回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と２回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、１回目の露光の工程で形成されたパターンと２回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 （もっと読む）

【課題】パターンの輝度の影響を受けることなく、ラインパターンとスペースパターンを容易に識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。
【解決手段】パターン測定装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、電子ビームの光軸を挟んで設置された第１の電子検出手段及び第２の電子検出手段と、パターンの画像データを生成する画像処理手段と、パターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成手段と、第１の電子検出手段で検出された信号と第２の電子検出手段で検出された信号との差分に対応する電子量を基に画像処理手段にパターンの画像データを生成させる制御手段を有する。制御手段は、第１の電子検出手段で検出された信号と第２の電子検出手段で検出された信号との差分を基に作成されたラインプロファイルによりパターンの立下り又は立上りを判定し、ラインの線幅を測定するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】高感度でかつ測定誤差の小さい側壁角度を非破壊で算出可能な荷電ビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明の荷電ビーム装置は、荷電ビームを試料に対して斜め入射させて得られたＳＥＭ画像により得られる生のＳＥＭ輝度値プロファイルを移動平均フィルタを用いて生のＳＥＭ輝度値プロファイル信号に含まれているノイズを除去した後、ノイズが除去されたＳＥＭ輝度値プロファイル信号を微分してその微分波形Ｐｗの最大値Ｐｗｍａｘと最小値Ｐｗｍｉｎとを取得し、最大値に対応する電子線の走査方向のピクセルの座標点と微分波形の最小値に対応する電子ビームの走査方向のピクセルの座標点との差に基づきピーク幅ｗ４を求め、実際に測定により求めた側壁部の傾斜角度とピーク幅との関係に基づき得られた換算係数と、ピーク幅ｗ４とに基づき側壁部の傾斜角度を求める。 （もっと読む）

【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部１０１２や倍率補正部１０１４、歪曲補正部１０１８、画像合成部１０１５及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部１１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）

パターン化された構造の少なくとも１つのパラメータの測定で使用するための方法およびシステムが提供される。方法は：構造の異なる位置上の測定に対応する複数の測定された信号を含む測定されたデータと、理論的信号と測定された信号との間の関係は、構造の少なくとも１つのパラメータを示す理論的信号を示すデータとを含む入力データを提供する過程と；構造の少なくとも１つの性質を特徴付ける少なくとも１つの選択されたグローバルパラメータに基づきペナルティ関数を提供する過程と；フィッティングプロシージャの前記実行は、理論的信号と測定された信号との間の最適化された関係を決定するために前記ペナルティ関数を使用することと、構造の前記少なくとも１つのパラメータを決定するために最適化された関係を使用することとを含む、理論的信号と測定された信号との間のフィッティングプロシージャを実行する過程と；からなる。
（もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）