説明

Fターム[2F067RR29]の内容

Fターム[2F067RR29]の下位に属するFターム

Fターム[2F067RR29]に分類される特許

1 - 20 / 77


【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第1の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第1の二次信号Is1を取得するステップと、試料Sに第2の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第2の二次信号Is2を取得するステップと、第2の二次信号Is2と第1の二次信号Is1との比Is2/Is1を算出するステップと、比Is2/Is1が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is2/Is1に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t0となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t0に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 (もっと読む)


【課題】スキャン歪や荷電粒子線のランディング角度のばらつきに起因する測長値器差を低減し、荷電粒子線の絶対的な傾斜角度を高精度に測定する。
【解決手段】試料面上に形成されたピラミッドパターン90のSEM画像の撮像する際に、スキャン方向及び/又は試料5の搭載向きを、正および逆向きに変えた像を取得し、それぞれの結果を画像間で平均化することにより荷電粒子線の傾斜角度を高精度に測定する。これによりスキャン歪の影響や荷電粒子線のランディング角度のばらつきに起因する測長値器差を低減する。 (もっと読む)


【課題】連続試料を扱う生産ラインの全面測定装置において、フットプリントをなるべく増大させずに、校正動作を行えるようにして厚さ測定の精度安定性を向上させた放射線検査装置を提供する。
【解決手段】放射線源から放射され、シート状の試料を透過してくる放射線を前記試料の流れ方向に対して直角に配置されたライン状放射線検出器により検出し、坪量の測定を行う放射線検査装置において、前記放射線源またはライン状放射線検出器または試料の少なくとも一つを一時的に移動させ、前記放射線源とライン状放射線検出器の間から前記試料を除去した後、前記放射線源とライン状放射線検出器の少なくとも一つを移動させた場合は元の位置に移動させ、放射線源とライン状放射線検出器間の空気層を測定するように構成した。 (もっと読む)


【課題】
各種のパターンに対応する計測方法については開示されておらず、特に計測対象パターンの両辺が直線乃至は曲線で構成され、両辺が非平行なパターンの計測方法についての開示はない。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成されたパターンを撮像し、撮像画像に基づいてパターン寸法を計測する方法であって、画像上のパターンの両側のエッジ位置を特定するステップと、パターンの第1のエッジ上にある第1の点と、その反対側のエッジである第2のエッジ上にある第2の点において、該第1の点と該第2の点を結ぶ線分と、該第1の点における該第1エッジの第1の接線と、該第2の点における該第2エッジの第2の接線に基づいて計測を行うステップと、該線分の距離を計測するステップを有することを特徴とする半導体パターン計測方法である。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査,測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査,測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、帯電条件の変化を示すフィッティング関数に基づいて、荷電粒子線照射によって得られるパターン寸法を補正する方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査,測定を行うことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】計測対象が電子線照射によってシュリンクする場合であっても、パターン輪郭や寸法を高精度に求めることのできる計測方法を提供する。
【解決手段】下地の上にパターンが形成された試料に電子線を照射して計測する方法において、パターンのSEM画像や輪郭(S201、S202)、試料のパターン部および下地部の材料パラメータ(S203)(S204)、電子線を試料に照射する際のビーム条件(S205)を準備し、これらを用いて、電子線を照射する前のパターン形状、あるいは寸法を算出する(S206)。 (もっと読む)


【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの測定を実現することが可能な荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子源から放出された荷電粒子線を試料に走査することによって、当該試料から放出される荷電粒子の検出に基づいて、前記試料の画像を形成する荷電粒子線装置であって、前記試料の高さと、前記試料に対する予備帯電条件を関連付けて記憶する記憶媒体を備えた制御装置を備え、当該制御装置は、所望の試料高さの指定に基づいて、当該指定された試料高さに対応する予備帯電条件による予備帯電を実施する荷電粒子線装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】低コストでかつ高精度にパターンの断面形状を測定する装置および測定方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態のパターン測定装置は、荷電粒子線照射手段と、検出手段と、信号処理手段と、輪郭検出手段と、演算手段と、測定手段とを持つ。前記荷電粒子線照射手段は、荷電粒子線を生成し、前記荷電粒子線を、パターンが形成された試料に、設定された複数回数照射する。前記検出手段は、前記荷電粒子線の照射により前記試料から発生する荷電粒子を検出する。前記信号処理手段は、前記検出手段からの検出信号を処理して前記試料表面の粒子線像を生成する。前記輪郭検出手段は、前記粒子線像から前記パターンの輪郭位置を検出する。前記演算手段は、各照射回の間でのパターン輪郭位置のズレ量を算出する。前記測定手段は、予め準備された、ズレ量とパターンの裾引き量との関係に関するテーブルを参照することにより、前記算出されたズレ量から前記パターンの裾引き量を算出する。 (もっと読む)


【課題】塗膜下における鋼材の腐食部分の体積を非破壊で測定することができるようにする。
【解決手段】周波数が100〔GHz〕〜10〔THz〕の範囲の電磁波を用いて被検査物の塗膜層表面の2次元的な計測位置毎に塗膜層を介在させて電磁波測定を行って反射強度の2次元分布計測値を得て、当該2次元分布計測値における計測位置毎の反射光電界を用いて〔ア〕照射光電界反射係数lを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数kを求めるか若しくは〔イ〕電界減衰率mを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数kを求め(S5)、当該侵入光電界反射係数kを用いて計測位置毎に被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食層の厚さdRを求め(S6)、当該腐食層の厚さdRを用いて被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食部分の体積Vを求める(S7)ようにした。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な,高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし,膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて表面にレジストパターンが形成された試料の画像を取得する電子線画像取得手段と、該取得した画像を処理して前記レジストパターンの所望の領域の画像の明るさのばらつきの特徴を定量化する定量化手段と、該定量化手段で定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出する指標値算出手段と、該指標値算出手段で算出した指標値の情報を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする電子顕微鏡システムである。 (もっと読む)


【課題】無線装置に電波を放射した際に、より大きい発熱量を急峻に得られるようにする。
【解決手段】ICタグ100において、比較器136は、受信電力が所定の大きさ以上であると判定すると、アンテナ101とコンデンサ121とを接続するようにスイッチ102を制御する。この状態において、アンテナ101がICタグリーダから送信される電波を受信することで、アンテナ101が発熱する。この状態では、RF回路111がアンテナ101から切り離されているので、ICタグリーダが強い電波を送信してアンテナ101の発熱量を大きくすることができ、より大きい発熱量を急峻に得られる。 (もっと読む)


【課題】物体から放射される電磁波を利用して路面上にある凹凸を検出することのできる路面凹凸検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の路面凹凸検出装置1は、物体から放射される電磁波を検知するアンテナ2と、電磁波の受信電力の変化が所定値以内となる領域を路面領域として検出し、路面領域の受信電力に基づいて基準レベルを設定する基準レベル設定部3と、電磁波の受信電力が基準レベルから所定値以上まで増加してから基準レベルまで減少する領域を増減領域として検出する増減領域検出部4と、受信電力の振幅に基づいて凹凸の高さを検出する凹凸高検出部5と、増減領域における水平方向の幅に基づいて凹凸の幅を検出する凹凸幅検出部6と、路面領域の間に増減領域が存在している場合に増減領域を路面上の凹凸として検出する凹凸検出部7とを備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法を提供すること。
【解決手段】例えばメモリ・アレイまたは類似の構造内の個々のビット・セルの欠陥を特徴づけまたは補正するために、本発明の好ましい実施形態を使用して、メモリ・アレイまたは類似の構造内の単一のビット・セルへ迅速にナビゲートすることができる。アレイの(X軸またはY軸に沿った)1つのエッジのセルの「ストリップ」を走査するために高解像度走査を使用して、所望のセルを含む列の位置を特定し、続いて、位置が特定された列に沿って(もう一方の方向に)、所望のセル位置に到達するまで同様に高速走査する。これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。 (もっと読む)


【課題】バックリング検査装置に対して適切な校正を行うべく、信頼性の高い性能評価を行うことができるバックリング検査装置の評価装置及びバックリング検査装置の評価方法を提供する。
【解決手段】架台22を回転させることで、アンテナ11及び12を検査時の相対位置関係を保ったままプロセスライン外に移動する。このとき、移動後のアンテナ11及び12と校正板40との相対位置関係を、検査時におけるアンテナ11及び12と金属鋼板1との相対位置関係と同じにする。また、校正板40には、検査対象のバックリング2を模した校正用突起物40aを形成しておく。この状態で、校正装置30は、校正板40に対して検査時と同様の処理を行って、校正用突起物40aを適切に検査できているか否かを確認することで、バックリング検査装置10の検査性能を評価する。 (もっと読む)


【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 (もっと読む)


【課題】
パターン直上から撮像されたSEM画像を用いる計測で、レジスト膜減りなどのパターン高さ変化が発生しても、その断面形状を正確に計測できるようにする。
【解決手段】
荷電粒子線装置を用いて試料上に形成されたパターンの形状を計測する方法において、収束させた荷電粒子線を試料上に照射して走査することにより試料から発生する二次荷電粒子を検出して試料表面に形成されたパターンの荷電粒子線画像を取得し、予め求めておいたパターンの高さとこのパターンの荷電粒子線画像の情報との関係に基づいて取得したパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの高さ情報を求め、この求めたパターンの高さ情報を用いてパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの寸法を算出するようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、合成画像を形成する場合に、重複領域のパターンの状態に応じて、適正に合成画像を形成することを目的とする合成画像形成方法、及び合成画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の画像を合成して合成画像を形成する合成画像形成方法、及び装置であって、複数の画像間の重複領域について、当該重複領域中に含まれるパターンの属性情報を作成し、当該パターンの属性情報に基づいて、合成対象となる画像を選択し、当該選択に基づいて画像合成を行う方法、及び装置を提案する。また、他の一態様として、重複領域内の属性情報を用いて、複数段階で画像合成を行う方法、及び装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された凹部の深さを、加工方法の制約を受けず、かつ、任意の時間に、非破壊、非接触で測定する技術を提供する。
【解決手段】基板9に形成された貫通ビア9H(凹部)の深度を検査する基板検査装置100であって、基板9に向けて電磁波パルスを照射する電磁波パルス照射部13と、電磁波パルスを検出する電磁波パルス検出部15とを備える。また、基板検査装置100は、貫通ビア9Hが形成されているビア形成領域92Rを透過した電磁波パルスの時間波形と、ビア形成領域92Rとは異なる参照領域を透過した電磁波パルスの時間波形とを比較して、その位相差を取得する位相差取得部25と、前記位相差に基づいて、前記ビア形成領域に形成された貫通ビアの深度を取得するビア深度取得部27とを備える。 (もっと読む)


【課題】 電子顕微鏡で用いられる倍率校正を自動で安定かつ高精度で行う標準部材を提供する。
【解決手段】 夫々異なる材料を交互に積層させた多層膜断面と、第一のシリコン層を挟み、前記多層膜断面と平行に配置される、複数の第一のマークパターンと、前記多層膜断面に対して、前記第一のマークパターンとは反対側に前記第一のシリコン層よりも厚さの厚い第二のシリコン層を挟んで、前記多層膜断面と平行に少なくとも一対の第二のマークパターンと、前記多層膜断面に対して第一のマークパターンおよび前記第二のマークパターンの外側にシリコン層とを同一面に有する。 (もっと読む)


【課題】画素毎に、検出素子の個体差を考慮した校正を施す。
【解決手段】格子状に等間隔に配列された複数の検出素子61を有し、各検出素子61が検出した被写体としてのプリント基板Wの画像を画素毎に分解して出力する撮像ユニット20、40を備えている装置に適用される。個々の画素の個体差を表す個体差ファクタα、βを記憶し、記憶された個体差ファクタα、βに基づいて、当該検出素子61毎に線形な校正値を出力し、前記検出値校正処理部225が演算した校正値Iχcに基づいて、画素毎に目標物理量としての輝度値Bや材料厚さχを演算する。 (もっと読む)


1 - 20 / 77