【課題】本発明は、設計データと輪郭線、或いは輪郭線間のマッチングを行うに当たり、両者の対応点を正確に特定する画像処理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、第１の線分によって形成される第１のパターンと、第２の線分によって形成される第２のパターン間の位置合わせを行うときに、第１の線分と第２の線分上にそれぞれ第１の対応点と、第２の対応点を設定し、第１の対応点と第２の対応点間の距離に基づいて、第１のパターンと第２のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、第１の線分と第２の線分の形状差に応じて、第１の対応点、及び／又は第２の対応点の位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の２本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の２本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、２本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 （もっと読む）

【課題】パイプの放射線透視像のうちのパイプを横断する方向の輝度プロファイルを使用してパイプの外径点及び内径点を精度よく推定し、パイプ厚みを正確に計測可能にする。
【解決手段】計測対象のパイプの放射線透視像のうちのパイプを横断する方向の輝度プロファイルを取得し、この輝度プロファイルに基づいてパイプの外径点を推定する（ステップＳ１０〜Ｓ４０）。その後、推定された２つの外径点の内側の領域を設定して輝度プロファイルをセクター分割し、このセクター分割された輝度プロファイルに基づいてパイプの内径点を推定する（ステップＳ５２〜Ｓ６０）。特に、内径点推定時に、パイプの２つの外径点の内側の所定の領域に対応する輝度プロファイル（即ち、内径点の推定に関係しない情報が排除された輝度プロファイル）に基づいて内径点を検出するようにしたため、内径点推定を精度よく行うことができるようにしている。 （もっと読む）

【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部１０１２や倍率補正部１０１４、歪曲補正部１０１８、画像合成部１０１５及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部１１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭを用いた半導体パターンの画像の取得に関して、ＳＥＭの撮像に伴う電子線照射による試料へのダメージを抑えつつ、高分解能なＳＥＭ画像を取得することである。
【解決手段】
電子線の照射エネルギーを抑えて撮像した低分解能なＳＥＭ画像から形状が類似するパターンを持つ領域（類似領域）を複数抽出し、複数の前記領域の画像データから画像復元処理により一枚の高分解能な前記パターンの画像を生成することを特徴とする。また、設計データを用いて前記類似領域および画像復元処理が実行可能となるＳＥＭの撮像位置および撮像範囲を決定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
パターン寸法計測のスループットを低下させることなくパターンの材料や立体構造に関する情報を得ることができる荷電粒子線顕微鏡を提供する。
【解決手段】
荷電粒子線顕微鏡において、試料の観察視野を走査して得られたフレーム画像を複数枚取得し（Ｓ３０４、Ｓ３０５）、それらの画像を積算し（Ｓ３０７）、試料上に形成されたパターンの寸法を算出（Ｓ３０８）すると共に、フレーム画像を構成する１フレーム画像またはサブフレーム画像等からなる分別画像（Ｓ３０９，Ｓ３１０）を用いてパターン情報を取得する（Ｓ３１４）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】微細パターン中の微小なオープン欠陥やショート欠陥を検出する手法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された基板に電子線を照射し、基板から発生する低エネルギーの二次電子および高エネルギーの反射電子を検出してそれぞれの電子から第１および第２のＳＥＭ像を生成する。第２のＳＥＭ像から輪郭を抽出してパターンの輪郭データを取得し、該輪郭データを第１のＳＥＭ像に適用して検査領域を決定し、該検査領域に対して二値化処理を行うことにより、パターンまたは基板の欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】放射線を用いた検査装置の撮像系を簡便に補正する手段を提供する。
【解決手段】保持部は、治具と一体に構成されている、被検査体を固定する。検出部は、前記被検査体または前記治具を透過した放射線を検出して透過画像を生成する。ずれ量特定部３６は、前記治具の透過画像を取得してその透過画像に映し出された治具の特徴点を特定し、当該透過画像に映し出された治具の特徴点と前記透過画像全体の中心とのずれ量を算出する。撮像制御部４０は、前記ずれ量に基づいて前記被検査体と透過画像を取得する放射線検出器との位置関係を補正する。 （もっと読む）

【課題】評価対象パターンの画像を高速で処理するとともに、コンピュータ資源の効率を向上させる。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ３００により撮像された評価対象パターンの一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｉの時間で取り込む画像取込装置１０と、一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｐの時間で処理して評価対象パターンの評価結果を出力するクラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭと、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭが接続されてこれらを制御するメインノードＭＮを備える分散コンピューティングシステム１において、時間ＴｉおよびＴｐを測定して一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎの取得時間とその処理時間とが一致するように、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮｍ（ｍ≦Ｍ）を推定して一連の画像処理に割り当てる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で高精度かつ迅速にパターン形状を評価する。
【解決手段】被評価パターンＰ２の輪郭を検出し、許容値Ｌが予め与えられた基準パターンであってパターンＰ２の評価基準となる基準パターンＲＰ２の輪郭を検出し、基準パターンＲＰ２の輪郭と許容値Ｌに基づいてパターンＰ２の許容範囲ＡＳ２を生成し、検出されたパターンＰ２の輪郭と許容範囲ＡＳ２との相対位置関係を求めることによりパターンＰ２の輪郭と前記許容範囲との包含関係を判定し、さらに、その判定結果に基づいてパターンＰ２の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークが複数のショットに跨って形成されている場合、完成形であるアライメントマークをＣＡＤデータから作成するためにはユーザ自身の手作業が求められる。
【解決手段】１つのアライメントマークが複数のショットに跨って作成される場合に、各アライメントマークに関連する複数のショットのＣＡＤデータを相互の位置関係に応じて合成し、アライメントマークの完成形を含む合成ＣＡＤデータを自動的に作成する。 （もっと読む）

【課題】従来の技術においては、設計データを用いることにより、ウェーハ上の配線等の構成物との相対関係を考慮し、欠陥の重要度の判定は可能であるが、設計データが無い場合は、判定ができなかったので、設計データが入手できない場合についても欠陥検出の実施を可能とする方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスにおいて、製造するための設計データの代わりに、実際のウェーハ上の画像を取得することにより、半導体デバイス上の構成物との相対位置を検出し、欠陥の重要度を判定することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】被測定木材の表面凹凸の分布のみではなく、密度や含水率に起因する誘電率を含む分布を測定することを第１の課題とし、その誘電率のみの分布を測定することを第２の課題とする。
【解決手段】被測定木材２０に対して導波管１１ａから電磁波を照射し、反射した電磁波を用いて反射強度分布を生成する。また、電磁波の振動方向（電界振動面）が異なる向きで走査して得られた２つの反射強度分布の差分を求める。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微細化されたデバイスの特性評価のために、プローブ相互間及び試料とプローブとの位置関係を把握して、信頼性の高い検査装置及び検査方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、電子源と、前記電子源から放出される電子線を試料に照射し、試料から放出される信号を検出する検出器と、試料を搭載するステージと、前記試料に触針する探針と、を有する検査装置において、前記試料の形状及び前記探針の形状及び配置の情報に基づいて、前記試料と前記探針の三次元画像を構成する演算部を備え、当該三次元画像を表示する表示装置を備えたことを特徴とする検査装置を提供する。前記三次元画像は、任意の方向からの画像を表示することができることを特徴とする。 （もっと読む）