【課題】 リムとタイヤの組付け状態を、タイヤの一周に渡り短時間で連続的に測定できる、リム組付けタイヤの組付け状態測定方法を提供する。
【解決手段】 タイヤ内部構造測定装置１０に、リム３０にタイヤ５６を組み付けたリム組付けタイヤ１２を回転可能に支持し、リム組付けタイヤ１２を、押圧負荷のない無負荷状態で回転させ、Ｘ線照射装置２０からＸ線をリム３０の接線方向に照射し、Ｘ線検知装置２２により、リム３０とタイヤ５６との組付部のＸ線透過情報を所定のタイミングで取り込み、取り込んだＸ線透過情報に基づいて、画像形成処理部２８で接線方向透過画像を形成し、得られた接線方向透過画像を用いて、リム３０とタイヤ５６の特定部位の位置情報を得る。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＥＭ等の走査型荷電粒子顕微鏡を用いた断面形状計測を１回のサンプル作成で複数の断面について行うことができるようにしたパターン寸法計測方法及びそのシステムを提供することにある。
【解決手段】走査型荷電粒子線顕微鏡を用いて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うパターンの計測方法であって、収束荷電粒子線の焦点位置を前記計測対象パターンの所望の断面に合せてｚ方向に対して順次変化させ、それぞれの焦点位置での前記計測対象パターンの透過電子画像若しくは散乱電子画像を取得し、それぞれの焦点位置で取得した透過電子画像若しくは散乱電子画像を処理して、該それぞれの焦点位置での電子画像内での計測対象パターンのエッジ位置を算出し、該算出されたそれぞれの焦点位置での電子画像内の計測対象パターンのエッジ位置とそれぞれの焦点位置との組み合わせに基づいて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

特にコンクリート内の棒鋼に適する、放射線を使用したトモグラフィ決定を改善する方法および配置。この方法には、物体を透過性放射線で照射し、前記物体を通過した前記放射線を記録手段に記録し、高密度の放射線吸収材料ででき独立して識別され個別化された複数の基準要素を備え、この基準要素を規則的に配置し、前述の測定を識別し、照射時間を決定し、測定に使用した記録手段に記録された情報に基づいて物体内の対象物の位置および寸法を決定することが含まれる。 （もっと読む）

【課題】複数の検査対象を検査する際の検査速度を高速化することができなかった。
【解決手段】放射線発生器によって放射線を複数の検査対象に照射し、前記放射線発生器の焦点を通る直線を回転軸とした回転軌道上に設定された複数の撮影位置における放射線検出器の静止と当該回転軌道上における前記放射線検出器の回転とを実施し、前記撮影位置のそれぞれにおいて前記複数の検査対象を逐次前記放射線検出器の視野に移動させ、前記複数の検査対象のそれぞれについて透過放射線の強度を取得する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複数のパターンが理想的に重ね合わせられている設計データを用いて、パターン画像に表れているパターン間のずれを評価する評価方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための本発明の一例として、上層パターンについて、設計データの線分と、荷電粒子線像のエッジ間の第１の距離を測定し、下層パターンについて、設計データの線分と、荷電粒子線像のエッジ間の第２の距離を測定し、前記第１の距離と第２の距離に基づいて、前記上層パターンと下層パターンの重ね合わせずれを検出する。 （もっと読む）

【課題】部品が両面に実装された基板を検査するための検査装置を提供する。
【解決手段】基板の検査装置が実行する処理は、片面のみに電子部品が実装された基板の第１の光学画像とＸ線透過画像との各位置確認マークを一致させて、電子部品の基準画像を生成するステップ（Ｓ８２０）と、両面に電子部品が実装された基板の第２の光学画像と第２のＸ線透過画像との入力を受けるステップ（Ｓ８３０）と、第１の光学画像と第２の光学画像とを比較して位置ずれ量を算出するステップ（Ｓ８４０）と、位置ずれ量を用いて第１の光学画像を補正して第３のＸ線透過画像を作成するステップ（Ｓ８５０）と、第２のＸ線透過画像から第３のＸ線透過画像を差し引いて第４のＸ線透過画像を導出するステップ（Ｓ８６０）と、第４のＸ線透過画像に基づいてはんだ付け部の合否を判定するステップ（Ｓ８７０）とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された形状の欠陥を良好な効率で検出する欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された形状の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、前記基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次１次検査を行って当該複数の領域から２次検査を行う該領域を選択する第１の工程と、前記第１の工程で選択された前記領域に対して、電子線を用いた前記２次検査を行って前記欠陥を検出する第２の工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】特に半導体欠陥レビュー装置において、検索基準となる画像に対する類似画像を、簡単かつ高速に検索し、類似度順に出力する。
【解決手段】画像に付帯する情報、例えば、取得日時、取得条件、画像以外の情報を解析した結果、ユーザによるコメントなどを、テキスト情報として画像と対応させて保存する機能を有し、これら付帯情報のキーワード検索により類似画像候補を限定した後、画像の特徴量に基づき検索基準画像に対する類似度を算出し、類似度順に検索結果を出力する。 （もっと読む）

【課題】製品の３次元的内外面形状を測定し、測定したデータから設計、製造に必要なＣＡＤデータを作成し、製品を再現化する３次元形状測定方法および３次元形状測定装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る３次元形状測定方法は、対象物の表面形状および内部形状のそれぞれを撮像し（Ｓｔ−１、Ｓｔ−２）、撮像した内部形状を点群データに変換し、変換した点群データを基準マーカを基点に重ね合わせて合成する内部形状合成工程（Ｓｔ−３）と、撮像した表面形状を点群データに変換し、変換した点群データを基準マーカを基点に重ね合わせて合成する表面形状合成工程（Ｓｔ−４）と、前記内部形状合成工程（Ｓｔ−３）で作成した内部形状合成点群データと前記表面形状合成工程（Ｓｔ−４）で作成した表面形状合成点群データとを合成して一体化する内部表面データ合成工程（Ｓｔ−５）と、この内部表面データ合成工程（Ｓｔ−５）で作成したデータをＣＡＤデータに変換する３次元形状変換工程（Ｓｔ−６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】レシピ作成及び欠陥確認の使い勝手がよく、かつ明確に行うことのできる回路パターンの検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】レシピ作成及び欠陥確認において、対話形式の操作機能を搭載する。レシピ作成の各項目（コントラスト、キャリブレーション等）で必要な入力及び入力目的を明確にする。あわせて、欠陥確認での各項目（クラスタリング、フィルタリング等）で必要な入力及び入力目的を明確にする。これら入力されて得られた結果はレシピに登録する。 （もっと読む）

【課題】測長ＳＥＭの装置特性を電子線シミュレーションに反映させることで、電子線シミュレーションを用いた計測手法の安定化、高速化、高精度化をはかる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、予め、装置特性と画像取得条件とを反映した電子線シミュレーションを様々な対象パターン形状について行ってＳＥＭ模擬波形を生成し、該生成されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報との組合せをライブラリとして記憶しておくライブラリ作成過程と、取得した実電子顕微鏡画像と前記ＳＥＭ模擬波形とを比較して前記実電子顕微鏡画像と最も一致度の高い前記ＳＥＭ模擬波形を選択し、該選択されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報から計測対象パターンの形状を推定する計測過程とを有する測長ＳＥＭを用いた計測対象パターンの計測方法。 （もっと読む）

【課題】再計測に際して電子線照射による影響を最小限にし、計測対象パターンの形状を正確に計測する。
【解決手段】既に電子線を照射した領域外へ計測位置を自動的に移動させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、顕微鏡像の像分解能を客観的判断のもとに評価できる像評価方法の提供にある。
【解決手段】画像の部分領域の分解能を、前記画像全体或いは前記画像の一部領域に亘って求め、前記画像全体或いは前記一部領域に亘って平均化し、前記画像全体、或いは一部領域の分解能評価値とすることを特徴とする像評価方法を提供する。このような構成によれば、顕微鏡の像分解能の評価において、評価者の主観が入り込まないので、像分解能の評価値に対して高い精度と良い再現性を達成できる。 （もっと読む）

【課題】 ケーブルの沿線方向の形状状態をより正確に測定するための形状状態測定方法、及びこれに用いるケーブルの形状状態測定システム、ケーブルの形状状態測定プログラム、ケーブル状態評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るケーブルの形状状態測定方法は、直交３方向をＸ，Ｙ，Ｚとするとき、沿線方向がＸ−Ｙ平面と交差するように配置された芯線における、Ｘ−Ｙ平面と平行かつＺ方向に所定間隔で並ぶ複数の芯線断面の断面形状を、Ｘ−Ｙ平面の２次元データとして取得する断面形状取得工程と、前記断面形状取得工程により取得される複数の前記断面形状の２次元データから、当該芯線の断面中心を前記複数の芯線断面それぞれについて特定し、前記ピッチ間隔に基づいて、前記複数の芯線断面における前記断面中心を３次元座標値として取得する断面中心座標値取得工程と、前記断面中心座標値取得工程により得られる断面中心の３次元座標値に基づいて、沿線方向の形状状態を数値として出力する形状状態出力工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】試料上にレジスト材料が形成されていても、その表面形状を、ミラー電子プロジェクション式検査装置によって検出可能にするパターン検査技術を提供する。
【解決手段】試料７のレジスト材料表面に照射することでその表面の電気伝導度を上げることのできる波長（１６０〜２５０ｎｍ）の紫外光を、紫外光源３０より試料表面に対して全反射する角度（試料水平方向に対して約１０度以下）以下で入射させることにより、試料表面のみを導電性にするよう構成する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、検出対象のパターンのパターン画像を取得するパターン画像取得方法およびパターン画像取得装置に関し、マスクなどの検出対象のパターンに対して回転させて平行とならないようにしてビームを走査しそのときの信号を検出してエッジ検出してパターン画像を取得し、迅速かつ安定かつ高精度にパターン画像を取得することを目的とする。
【構成】 検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向あるいは検出対象のパターンを回転させるステップと、検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向が回転された状態で、パターンを異なる位置で横切る複数本の走査を行ってラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルをもとにパターンのエッジ位置を検出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】サンプルと基準点との間の距離を測定する方法および装置を提供する。
【解決手段】検査されるサンプル（１２）と少なくとも基準点（１９，２１）との間の距離（Ｚ）を測定する方法は、信号をサンプル（１２）の第１の電位に変調し、一次粒子ビームをサンプル（１２）に供給し、二次粒子ビーム、および二次粒子ビームの粒子の第２の電位に変調信号を検出し、検出された変調信号を、基準信号と比較するという工程を有する。装置は、信号をサンプル（１２）の第１の電位に変調する変調ユニット（２２）と、サンプル（１２）に当たる一次粒子ビームを発生させるビーム発生器（２）と、二次粒子ビームの粒子と二次粒子ビームの粒子の第２の電位に変調された変調信号を検出する検出器（１９，２０，２１）と、検出された変調信号を基準信号と比較する評価ユニット（２５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】オートフォーカスの失敗による影響を除去でき、試料の特徴構造の寸法を正確に測定し得る電子顕微鏡を用いた試料の寸法の測定方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡は電子ビームの焦点を試料上に結ぶための対物レンズ151bと、対物レンズ151bに供給される励磁電流を供給するレンズ制御部150bと、特徴構造を測定するホストコンピュータ102を有している。ホストコンピュータ102は、対物レンズ151bに供給される励磁電流を変化させ、対物レンズ151bに供給される各励磁電流における前記試料の特徴構造の寸法データを測定し、この測定により得られる寸法データの変化を示す変動量が所定値以下となる寸法データを、試料の特徴構造の寸法として決定する。 （もっと読む）

【課題】 画像をモニタに表示して診断を行う際に、計測位置を利用者が指定する操作に応じて幾何学的に計測することができる情報処理装置及びその方法、プログラムを提供する。
【解決手段】 処理対象の画像を表示部に表示する。入力部から入力された、オブジェクトを描画するための入力情報に基づいて、表示部に表示された画像上にオブジェクトを描画する。描画されたオブジェクト間の幾何学的な関係を示す値を算出する。算出された値を前記表示部に出力する。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において，被評価パターンの断面形状，あるいは被評価パターンのプロセス条件，あるいは被評価パターンのデバイス特性を，パターンを非破壊で計測可能にする。
【解決手段】
露光プロセス，あるいはエッチングプロセスにおいて，被評価パターンのSEM像から，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を推定するのに有効な画像特徴量を算出し，前記画像特徴量を予めデータベースに保存しておいたパターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前期パターンのデバイス特性とSEM像から算出した前記画像特徴量とを関連づける学習データに照合することにより，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を算出する。 （もっと読む）