【課題】
各種のパターンに対応する計測方法については開示されておらず、特に計測対象パターンの両辺が直線乃至は曲線で構成され、両辺が非平行なパターンの計測方法についての開示はない。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成されたパターンを撮像し、撮像画像に基づいてパターン寸法を計測する方法であって、画像上のパターンの両側のエッジ位置を特定するステップと、パターンの第１のエッジ上にある第１の点と、その反対側のエッジである第２のエッジ上にある第２の点において、該第１の点と該第２の点を結ぶ線分と、該第１の点における該第１エッジの第１の接線と、該第２の点における該第２エッジの第２の接線に基づいて計測を行うステップと、該線分の距離を計測するステップを有することを特徴とする半導体パターン計測方法である。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェーハ上のパターン寸法を計測する方法において、ユーザは計測手法を選定する際に、任意のパターン形状を目視しただけではその適用可否を判断することは難しく、自動で計測手法を選択する場合は、測定対象のパターン形状に適した手法が選定されないことがある。
【解決手段】
電子線により撮像された半導体パターン像の寸法を計測する方法において、ユーザによりパターン上の計測対象部を指定し、パターン計測部から形状情報を抽出し、抽出した形状情報を基に予め作成しておいた計測手法ライブラリから適用可能な計測手法を選定し、選定された手法によりパターンの寸法の計測をし、計測された寸法を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】計測対象が電子線照射によってシュリンクする場合であっても、パターン輪郭や寸法を高精度に求めることのできる計測方法を提供する。
【解決手段】下地の上にパターンが形成された試料に電子線を照射して計測する方法において、パターンのＳＥＭ画像や輪郭（Ｓ２０１、Ｓ２０２）、試料のパターン部および下地部の材料パラメータ（Ｓ２０３）（Ｓ２０４）、電子線を試料に照射する際のビーム条件（Ｓ２０５）を準備し、これらを用いて、電子線を照射する前のパターン形状、あるいは寸法を算出する（Ｓ２０６）。 （もっと読む）

【課題】低コストでかつ高精度にパターンの断面形状を測定する装置および測定方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態のパターン測定装置は、荷電粒子線照射手段と、検出手段と、信号処理手段と、輪郭検出手段と、演算手段と、測定手段とを持つ。前記荷電粒子線照射手段は、荷電粒子線を生成し、前記荷電粒子線を、パターンが形成された試料に、設定された複数回数照射する。前記検出手段は、前記荷電粒子線の照射により前記試料から発生する荷電粒子を検出する。前記信号処理手段は、前記検出手段からの検出信号を処理して前記試料表面の粒子線像を生成する。前記輪郭検出手段は、前記粒子線像から前記パターンの輪郭位置を検出する。前記演算手段は、各照射回の間でのパターン輪郭位置のズレ量を算出する。前記測定手段は、予め準備された、ズレ量とパターンの裾引き量との関係に関するテーブルを参照することにより、前記算出されたズレ量から前記パターンの裾引き量を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＯＰＣ ｍｏｄｅｌ ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎに要する計算時間を削減しつつ、精度を向上させる。
【解決手段】半導体の回路パターンのマスクエッジデータ、および回路パターンを撮像した画像データを記憶する記憶部と、画像データを入力として回路パターンのＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）輪郭線を抽出し、マスクエッジデータと抽出したＳＥＭ輪郭線のデータ（ＳＥＭ輪郭線データ）とに基づいて、露光シミュレーション部に予測ＳＥＭ輪郭線のデータ（予測ＳＥＭ輪郭線データ）を生成させるＳＥＭ輪郭線抽出部と、マスクエッジデータと、ＳＥＭ輪郭線データと、予測輪郭線データとを入力として、ＳＥＭ輪郭線データおよび予測ＳＥＭ輪郭線データを、１次元形状の輪郭線と２次元形状の輪郭線とに分類する形状分類部と、ＳＥＭ輪郭線データと予測ＳＥＭ輪郭線データとを入力とし、１次元形状及び２次元形状の種類に応じて、ＳＥＭ輪郭線データのサンプリングを行うＳＥＭ輪郭線サンプリング部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 電子線照射によってシュリンクするレジストをＣＤ−ＳＥＭで測長する際に、シュリンク前の形状や寸法を高精度に推定する。
【解決手段】 あらかじめ様々なパターンについて、電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群やＣＤ−ＳＥＭ画像データ群と、それらに基づくモデルを含むシュリンクデータベースを準備し、被測定レジストパターンのＣＤ−ＳＥＭ画像を取得し（Ｓ１０２）、ＣＤ−ＳＥＭ画像とシュリンクデータベースとを照合し（Ｓ１０３）、被測定パターンのシュリンク前の形状や寸法を推定し、出力する（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【目的】本発明は、輪郭線抽出方法、輪郭線抽出プログラムおよび面積測定方法に関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定して出力およびその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線の情報を出力および内部の面積を算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト構造であっても、パターン底部の寸法を高精度に計測できる荷電粒子線装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】 アスペクト比の高いパターンが形成された試料のパターン寸法底部を計測する方法において、試料の同一領域に荷電粒子線を第１方向及び第１方向とは逆の第２方向に走査させたときにそれぞれ発生する信号荷電粒子に基づく第１走査像と第２走査像とを比較し、走査像の信号強度が小さい方を真値とし、走査像を再構築し、再構築した走査像を用いて試料に形成されたパターン底部の寸法を計測する。また、その方法を実現する荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】表示パターンのフレームサンプリングから得られた撮像画像（シグナルイメージ）の収縮、膨張等のフレーム間の幅に不均等な部分が生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出し、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出する。
【解決手段】表示パターンを撮像して得られる撮像画像（シグナルイメージ）において、実検出ラインの座標位置を検出した後、次に座標位置を検出する実検出ラインを求める際に、前の実検出ラインの信号強度パターンと比較することによってラインの良・不良の検出、および、不良ラインの収縮又は膨張の判定を行い、次の実検出ラインを求める。ラインの良・不良を検出し、不良ラインの収縮・膨張の判定することによって、ライン幅にばらつきが生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出する。 （もっと読む）

【課題】 曲面を有する膜厚を正確に計測する。
【解決手段】 膜厚の検査装置は、テラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生器１５と、前記テラヘルツ波を、膜が形成された試料に照射させる照射光学系１６、１７と、前記試料において反射したテラヘルツ波を検出し、検出信号を出力するテラヘルツ波検出器２２と、前記試料の反射面の形状情報に基づき、当該反射面から前記テラヘルツ波検出器に至るまでの反射波の電場強度を参照信号として算出し、前記参照信号を用いて前記検出信号を補正する制御装置５を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データ、或いはシミュレーション画像に基づいて、実画像に近いパターンを形成する画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体素子の設計データに基づいて、荷電粒子線装置の動作条件を設定する画像処理部を備えた画像処理装置であって、荷電粒子線装置の装置条件情報，パターンの種類、及びパターンの部位毎のパターン情報の複数の組み合わせを記憶するライブラリにアクセスし、装置条件、及びパターンの種類の選択に基づいて、パターンの部位毎のパターン情報を用いた各部位の合成画像を形成する画像処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シュリンクするパターンのシュリンク量、シュリンク前のもとの寸法値を正確に測定するパターン寸法測定方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、パターンの第１の部分に対するビーム走査を実施した後、前記パターンを含む試料に対し、薄膜を形成し、当該薄膜が形成された前記第１の部分に相当する領域にビームを走査して第１の測定値を取得し、前記第１の部分と設計データ上、同じ寸法を持つ第２の部分に対し、ビームを走査して第２の測定値を取得し、当該第２の測定値から前記第１の測定値を減算する減算処理に基づいて、前記パターンのシュリンク量を求めることを特徴とするパターン寸法測定方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】パターン変形や欠陥を定量的に評価できる方法を提案する。
【解決手段】電子顕微鏡により、同一形状及び同一サイズを有するように形成された複数の形成済みパターンを観察し、複数の顕微画像を取得する。次に、当該複数の顕微画像を積算し、積算画像を生成する。一方で、当該顕微画像に対応する参照画像を記憶領域から取得する。次に、積算画像に含まれる所定のパターンのパターン幅を一次元方向について多点測定する。一方で、積算画像と同じパターンを対象に、積算画像と同一地点について、参照画像のパターン幅を多点測定する。この後、積算画像について取得された多点測定結果列と、参照画像について取得された多点測定結果列の間で相互相関係数を算出し、その演算結果より積算画像と参照画像の相関度合いを判定する。 （もっと読む）

【課題】検査準備時間が短く、１ダイの画像検出のみで欠陥判定のできる高速な回路パターン検査方式とその装置を提供する。
【解決手段】設計情報を参照して該当座標と同一のパターンが期待できる座標と位置合わせ用の座標を選定する。位置合わせ座標で検出画像と設計情報の位置合わせを行いずれ量を補正し、同一なパターンが期待できる座標のパターンと比較することにより、１ダイのみの画像検出であってもパターン比較を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、合成画像を形成する場合に、重複領域のパターンの状態に応じて、適正に合成画像を形成することを目的とする合成画像形成方法、及び合成画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の画像を合成して合成画像を形成する合成画像形成方法、及び装置であって、複数の画像間の重複領域について、当該重複領域中に含まれるパターンの属性情報を作成し、当該パターンの属性情報に基づいて、合成対象となる画像を選択し、当該選択に基づいて画像合成を行う方法、及び装置を提案する。また、他の一態様として、重複領域内の属性情報を用いて、複数段階で画像合成を行う方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】 描画精度とスループットとの両立の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線でパターンを基板にショット領域ごとに描画する描画装置は、基板を保持し移動可能なステージと、複数の荷電粒子線を前記基板に投影する投影系と、前記基板に形成されたマークに前記投影系を介して入射した荷電粒子線により飛来する荷電粒子を検出して前記マークの位置を計測する計測器と、制御部とを備える。前記制御部は、あるショット領域に対する描画動作の開始から当該ショット領域に対する描画動作の終了までの間に、前記複数の荷電粒子線の中の少なくとも１つの荷電粒子線を用いて前記計測器により前記マークの位置を計測し、前記計測器の計測結果から前記複数の荷電粒子線の前記基板上における入射位置を補正するように前記ステージ及び前記投影系の少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と１回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と２回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、１回目の露光の工程で形成されたパターンと２回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭにおいて、同心円状パターンの異常、欠損等を自動で検出することができる。
【解決手段】同心円状のパターンを有する試料のＳＥＭ画像を撮像する画像撮像部と、前記画像からドット状パターンの重心点または線状パターンの中心線を求め、求めた重心点または中心線から所定の値を算出し、該所定の値と理論値との差分値を求め、該差分値と所定の閾値とを比較する位置測定部と、前記比較結果を表示装置に出力する出力部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の２本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の２本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、２本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 （もっと読む）