説明

Fターム[2F067RR31]の内容

Fターム[2F067RR31]の下位に属するFターム

補間 (9)
最小2乗法 (55)

Fターム[2F067RR31]に分類される特許

101 - 120 / 122


【課題】CD測定方法及び測定装置を提供する。
【解決手段】測定パターンの画像データを生成する。前記測定パターンは互いに対向する第1及び第2面を備える。前記画像データは前記第1及び前記第2面にそれぞれ対応する第1及び第2辺を備える。前記画像データを編集して前記第1及び第2辺の重畳長さを増加させる。前記編集された画像データ内の前記第1及び第2辺を横切る測定ウィンドウを設定する。前記測定ウィンドウ内の前記第1辺と前記第2辺との間の距離を測定する。 (もっと読む)


【課題】
半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において,被評価パターンの断面形状,あるいは被評価パターンのプロセス条件,あるいは被評価パターンのデバイス特性を,パターンを非破壊で計測可能にする。
【解決手段】
露光プロセス,あるいはエッチングプロセスにおいて,被評価パターンのSEM像から,被評価パターンの断面形状,あるいは前記パターンのプロセス条件,あるいは前記パターンのデバイス特性を推定するのに有効な画像特徴量を算出し,前記画像特徴量を予めデータベースに保存しておいたパターンの断面形状,あるいは前記パターンのプロセス条件,あるいは前期パターンのデバイス特性とSEM像から算出した前記画像特徴量とを関連づける学習データに照合することにより,被評価パターンの断面形状,あるいは前記パターンのプロセス条件,あるいは前記パターンのデバイス特性を算出する。 (もっと読む)


【課題】ArF露光用のフォトレジスト等、低S/Nの信号波形による寸法計測が必要な試料においても、精度の高い寸法計測を実現する電子線式寸法計測装置及びそれを用いた寸法計測方法を提供する。
【解決手段】電子線式寸法計測装置(測長SEM装置)において、予め、寸法計測対象試料と同種のサンプル試料から得たサンプル信号波形(あるいは画像)の部分波形(あるいは部分画像)を登録しておき、寸法計測対象試料から得られた計測対象信号波形(あるいは画像)と前記サンプル登録波形の波形照合を行い、照合結果に基づき寸法計測対象パターンの寸法値を算出する。 (もっと読む)


【解決手段】基板に重ねられた材料の層の積重ねにおける1つの層の元素組成の面密度を確立するための方法及びコンピュータプログラムソフトウェア製品である。入射する透過性放射線は、1又は複数の元素のそれぞれに関連した複数の線の特性蛍光X線放射を励起する。連続する元素の特性蛍光の強度比に関する方程式の自己一致した解によって、連続した層の面密度が決定される。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、接合された部品ごとの中立セルを生成する方法を提供するものである。
【解決手段】 この方法は、以下のステップを備えることにより、接合部品における中立セルを抽出する。
(1)CT計測データから、中立セルを抽出するステップ;
(2)各中立セル面上点から最も近い表裏の境界セル面上点どうしの距離に基づいて、擬似板厚を算出するステップ;
(3)前記擬似板厚に応じて、各中立セルを、少なくとも、非接合部分の領域と、接合部分の領域とに分類するステップ;
(4)前記接合部分の領域における前記中立セルと物体表面との間に、仮想中立セルを生成するステップ;
(5)前記仮想中立セルと、前記非接合部分の領域における前記中立セルとを接続することにより、連結セルを生成するステップ;
(6)前記連結セルから部品毎の前景セル集合を求めるステップ。 (もっと読む)


【課題】 2つの画像のパターンマッチングの成功率および精度を向上させ、しかも、測長などの検査作業の効率を低下させない画像処理装置、画像処理方法および走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 走査型顕微鏡10は、第1の画像と第2の画像とのパターンマッチングを行なう画像処理装置4を含んで構成される。画像処理装置4は、第1の画像に基づき塗り分け画像を生成する塗り分け画像生成部41と、塗り分け画像を平滑処理して重心分布画像を生成する重心分布画像生成部42と、第2の画像に基づき輪郭線線分群を生成する輪郭線線分群生成部43と、重心分布画像と前記輪郭線線分群とに基づきマッチングスコアを算出するマッチングスコア算出部44と、前記マッチングスコアが最大になる位置を検出する最大スコア位置検出部45とを含む。 (もっと読む)


【課題】 高価な測定装置を使用することなく、連続X線発生源の軟線と硬線の割合を算出する方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 均一な物質に連続X線を照射して得られる透過厚と透過強度との関係を示す透過厚特性データを用いて、連続X線を単色X線の重ね合わせでモデル化して、軟線と硬線の割合を算出する。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成された薄い酸化膜の膜厚を、二次イオン質量分析法により、より簡便且つ正確に測定する。
【解決手段】既知の膜厚を有する酸化膜に一次イオンを照射することでスパッタリングしつつ放射される二次イオンの検出強度の最大値を取得して膜厚と二次イオンの検出最大値との関係を示す検量線を作製し、次いで、未知の膜厚を有する同一酸化膜に対して同様に二次イオンの検出最大値を取得し、その値を先の検量線に外挿することによって膜厚に換算することにより未知の膜厚を得る。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハ上に形成された微細パターン及びそれを露光した露光装置の評価と異常検知を行う。
【解決手段】ステッパにより露光した微細パターンに対しエッジ検出を行い、個々のパターンに対してレジスト表面及び底面におけるパターン形状を検出する。検出されたレジスト表面及び底面のパターンの位置関係を示す位置ずれベクトルを算出、画面表示することで微細パターンの評価を行う。更にチップ、1ショット、ウエハの複数位置の微細パターンで同様に位置ずれベクトルを算出し、各場所における位置ずれベクトルの大きさ、分布状況を特徴量として分類、その傾向を各範囲内で分析することで露光装置あるいはウエハの異常検知を行う。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、電子線の照射によってシュリンクを起こすパターンを測定する際に、そのシュリンクの発生を抑制することで、正確なパターンの寸法測定を可能とすることにある。
【解決手段】X方向の測定倍率と当該X方向の測定倍率より低倍率であるY方向の倍率の組み合わせを複数記憶する記憶装置に記憶された倍率の組み合わせに基づいて、前記X方向が短辺であり前記Y方向が長辺である矩形状に電子線を偏向させ、パターンのY方向の形状がX方向に対し狭まるように表示し、当該表示領域に表示されたパターン画像に基づいて、前記パターンのX方向の寸法を測定する。 (もっと読む)


【課題】
真円ではないホール形状に対しても最適な近似曲線を求めてラフネスの評価を容易に行うことのできるホールラフネス計測方法および装置を提供する。
【解決手段】
被測定物に形成されたホールにエネルギー線を照射して被測定物から発生する反射エネルギーを検出することによってホールの中心から放射状にエッジを検出し、検出したエッジについてのエッジ座標をθ−r平面に変換し、θ−r平面でフーリエ変換して周波数成分を求め、周波数成分に基づいてθ−r平面でのホールの近似ホールの近似曲線を形成し、該近似曲線を検出したエッジ座標との差からホールラフネスを計測する。 (もっと読む)


【課題】 短時間でかつ高い精度でパターンの形状評価及び位置合わせを行なう。
【解決手段】 検査パターンの輪郭データと設計パターンの距離変換データとの演算により距離輪郭データを生成し、この距離輪郭データに基づいて形状一致度を算出する。 (もっと読む)


【課題】
従来は、二次元又は三次元形状計測の際に用いた計測手法固有の形状算出式のパラメータと形状指標値とを関連づけ,前記パラメータを調整することにより,形状を補正する場合、補正による形状変形の自由度も形状の算出に用いられるモデル式に依存するため,多くの形状バリエーションをもつ補正対象には不向きであった。
【解決手段】
本発明では、任意の三次元形状計測手法によって計測された半導体パターンの三次元形状に曲線式を当てはめ,別途算出した形状指標値に基づいて前記曲線式のパラメータを調整することによって前記三次元形状を補正するようにした。前記形状指標値と前記パラメータとの関係をデータベースに蓄積し,計測時は前記関係をもとに計測形状の補正が実施されるようにした。 (もっと読む)


【課題】走査型顕微鏡で得られる画像からパターンのエッジ形状を抽出し、その抽出情報からデバイスの電気的性能を予測し、パターンを検査するパターン検査方法を提供する。
【解決手段】走査型顕微鏡の制御部1611及び検査用コンピュータ1612において、反射電子又は二次電子1609の強度分布を処理し、エッジ位置のデータから単一ゲート内のゲート長の分布を求め、最終的に作成されるトランジスタを様々なゲート長を持つ複数個のトランジスタの並列接続とみなしてトランジスタ性能を予測し、その予測結果を基にパターンの良否や等級を判定することにより、エッジラフネスのデバイス性能への影響を高精度かつ迅速に予測することができ、デバイス仕様に応じて高精度かつ効率的にパターン検査を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】
設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】
上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 (もっと読む)


【課題】高精度かつ高速な半田ボール接合不良検査方法を提供する。
【解決手段】BGAパッケージとプリント基板103との接合部の外観検査時に、当該プリント基板に塗布されるクリーム半田部に対して該BGAパッケージの半田ボール104により接合する際のプリント基板103との接合部分のX線検査方法において、3次元画像データを再構成して生成された3次元画像データよりX線透過率を利用して半田ボール部位の画像データを抽出し、その抽出した半田ボール部位における画像データの特徴量を抽出し、当該抽出した特徴量により半田ボール104とプリント基板103の接合状態の良否を判定する。 (もっと読む)


【課題】 既知情報及び実測データに基づく特定サテライトピークのフィッティングにより、十分な精度のプロファイル解析が行えるX線回折測定解析方法及びプログラムを実現し、また、一致状態を一般性を失うことなく大局的に見通しよく2次元表示する。
【解決手段】 実測プロファイルから周期Lと平均格子定数aを求め、交互に積層された一方の薄膜の膜厚L1及び格子定数a1の初期値を設定する設定段階と、L、a並びにL1及びa1の初期値から、他方の薄膜の膜厚L2及び格子定数a2の値を算出する変数算出段階と、L、a、L1及びa1の初期値並びにL2、a2の計算値に基づいて解析プロファイルを得る解析プロファイル作成段階と、両プロファイルを比較して一致の度合いを調べる比較段階と、一致の度合いが一致基準を満たすか否かを判定し、満たすときはL1、a1、L2及びa2の値を測定値とし、満たさないときは、L1及びa1の初期値のいずれかを変更して再び変数算出段階に戻る判定段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】電子線照射による形状・寸法変化が生じる試料において、最適な測定条件を迅速にかつ簡便に決定する。
【解決手段】測定条件を変えて寸法の測定を反復する。シュリンク量と測定再現性が予め設定された基準値を見たすまで、加速電圧等の測定条件を変化させて測定を実施し、最適な測定条件を探す。 (もっと読む)


【課題】半導体試料等の表面に形成されたパターン等の体積減少を抑制、或いは減少に関わらず正確な測長を行う。
【解決手段】荷電粒子線を試料上で走査し、試料より放出された二次電子に基づいて、試料上に形成されたパターン等の線幅等を測長する荷電粒子線装置において、試料の物性に基づいて決定される照射密度を上回らないように前記荷電粒子線の走査線間隔を設定する。或いは予め記憶された近似関数に基づいて測長値を演算する。 (もっと読む)


精度及び正確度に基づいて全体の測定不確実性(TMU)を求めることによって、測定装置を評価し、最適化する方法及び関連したプログラムである。TMUは、線形回帰分析に基づいて、正味残余誤差から基準測定システムの不確実性(URMS)を除去することによって計算される。TMUは、被試験測定システムが製品の実際のばらつきを検出する能力を有するかどうかについて客観的かつより正確に表示する。
(もっと読む)


101 - 120 / 122