Fターム[2F067RR36]の内容
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Fターム[2F067RR36]に分類される特許
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半導体検査システム
【課題】FEMウェーハを自動測長する場合、測長対象の大きさは登録時と異なっていることが多いだけでなく、測長対象のパターンも崩れていることが多い。このため、測長の可否を自動的に判断することが困難である。
【解決手段】半導体検査システムにおいて、(1) 参照画像から算出される距離画像を利用し、検査画像の輪郭線の位置を特定する処理、(2) 特定された距離画像に対する輪郭線の位置に基づいて欠陥大きさ画像を算出し、当該欠陥大きさ画像から欠陥候補を検出する処理、(3-1) 欠陥候補が検出された場合、検出された欠陥候補の大きさを算出する処理、又は(3-2) 第1及び第2の輪郭線の相違部分を欠陥候補として検出する処理を実行する。
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パターン寸法測定装置及び輪郭線形成装置
【課題】本発明は、パターンサイズに応じてシュリンクの程度が異なる場合であっても、適正に寸法測定、或いはパターンエッジの輪郭線抽出を行うことを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料に電子ビームを走査することによって得られる信号に基づいて、試料上に形成されたパターンの寸法を測定するパターン寸法測定装置において、パターンの寸法値に、パターンの寸法に応じた補正量を加算することによって、パターン寸法値を補正する演算装置を備えたパターン寸法測定装置を提案する。
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X線検査装置
【課題】容器内の液体の正確な液面高さを検出できるX線検査装置を提供する。
【解決手段】本発明のX線検査装置100は、X線源から照射されるX線XSを用いて、容器内の物品の検査を行うX線検査装置であって、X線源から照射され容器を透過したX線XSに基づいてX線画像を生成する画像生成部242と、生成されたX線画像における、物品の最上端面画像SZGと最下端面画像SKGとから、当該最上端面画像SZGの中心位置P1および当該最下端面画像SKGの中心位置P2を検出する中心検出部243と、検出された中心位置P1と中心位置P2との距離に基づいて、液面高さTを検出する高さ検出部244と、を備える。
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パターン評価方法及びパターン評価装置
【課題】SEM画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。
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パターン検査装置および方法
【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、CD−SEMが用いられているが、CD−SEMの自動測定機能は1次元対応で、2次元形状は、CD−SEMや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部11と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置7と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部12と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部13とを備えた。
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監視領域における標的の遠隔検査方法
用途:監視領域内の標的の遠隔的な検査
主題:監視領域に、2以上の主要マイクロ波エミッタを用いてマイクロ波を照射する。監視領域から反射された信号を1以上の平行記録チャネルを用いて記録し、さらにこの記録信号をコヒーレント処理し、監視領域内散乱体の(主要エミッタから標的までの距離に基づいて)再構築された形状の最大強度の値を得る。前記コヒーレント処理の結果として得られた情報を、三次元表面に相当するマイクロ波イメージを構築することによって表示する。さらに、マイクロ波エミッタに同期した2以上のビデオカメラを用いて、標的のビデオイメージを獲得し、得られたビデオイメージを変換し、三次元ビデオイメージ及びマイクロ波イメージを一般化座標系へと変換する。これによる技術的成果として、秘密裏の検査における誘電体の存在又は非存在決定の信頼性が向上する。
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走査荷電粒子顕微鏡装置及びそれを用いたパターン寸法の計測方法
【課題】
半導体パターンの広範囲の撮像領域(EP)を複数の撮像領域(SEP)に分割し,SEPをSEMを用いて撮像した画像群を画像処理により繋ぎ合せるパノラマ画像合成技術において,繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが少なくても全画像が繋がるSEPを決定すること,およびそのようなSEPを決定できなくてもユーザの要求項目をなるべく満たすSEPを決定することである。
【解決手段】
一部のSEP間の重複領域に繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが含まれなくても全画像が繋がるケースがあることに着目し,SEP配置の最適化により前記ケースを抽出することで全画像が繋がるSEPを決定できるケースが増える。また,そのようなSEPを決定できなくても,複数のSEP配置の候補とユーザの要求項目を可視化した情報を表示・SEPを選択させることでユーザの要求項目をなるべく満たすSEPを容易に決定できる。
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パターン輪郭検出方法
【課題】検査対象パターンに関する情報を用いることなく検査対象パターンの輪郭を検出する。
【解決手段】検査対象パターンの画像からパターンの輪郭点を検出し、グルーピング処理により前記輪郭点から複数の輪郭線を生成し、前記検査対象パターンの外側エッジおよび内側エッジのいずれか一方およびいずれか他方の候補となる第1および第2の輪郭線グループの組合せでそれぞれ構成され、生成された複数の輪郭線を互いに異なる態様でそれぞれ二分する複数の輪郭線グループペアを生成し、前記輪郭線グループペア毎に第1および第2の輪郭線グループ間で形状のマッチングを行って得られたマッチングスコアのうち、最良のマッチングスコアを与える輪郭線グループペアを構成する第1および第2の輪郭線グループのいずれか一方を前記検査対象パターンの輪郭として特定する。
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テンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置
【課題】本発明は、プロセス変動等に依らず、高いマッチング精度を安定して確保することが可能なテンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、予め記憶されたテンプレートと、顕微鏡によって取得された画像を比較することによって、所望の位置を特定するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置において、テンプレートマッチングによって、特定された個所の画像を複数取得し、当該複数画像を加算平均することによって、新たなテンプレートを作成するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置を提案する。
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パターン測定装置
【課題】本発明は、複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高いスループットにて実現することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する特徴量を抽出し、当該2つの特徴量の比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置、及びコンピュータープログラムを提案する。
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パターン寸法算出方法、画像解析方法及び装置
【課題】輪郭線の任意の局所的な位置や特定の部位におけるパターン寸法の算出が容易にでき、また、輪郭線パターンの代表寸法値を精度良く求めることができる画像データ解析を実現する。
【解決手段】検査対象パターンの画像データから得られる輪郭データから、検査対象パターンの対象寸法値を求めるパターン寸法算出方法を開示する。このパターン寸法算出方法では、画像処理部が、対象検査パターンの輪郭データと測長用矩形データとの重なり領域を算出し、重なり領域の面積から対象寸法値を算出する。算出された対象寸法値は画像データ及び輪郭データの少なくとも1つと共に表示部に表示されるようにしても良い。
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パターン検査方法およびパターン検査装置
【課題】複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを抽出するパターン検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン検査方法は、画像中に含まれる複数の画像パターン同士を各々すべて比較し、相関値マトリックスを生成して合計相関値を比較する。これにより、複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを自動的に抽出することが可能となり、欠陥パターンの測定を効率良く、高精度に実施することが可能となる。
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走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成方法およびその装置
【課題】微細な半導体パターンに対する広視野な撮像領域(EP)において、コンタミネーション、画像の撮像ずれや歪みに対してロバストなパノラマ画像合成を実現できるようにした走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成技術を提供することにある。
【解決手段】走査荷電粒子顕微鏡を用いた広視野な撮像領域(EP)におけるパノラマ画像合成技術において、各調整ポイントの配置並びに各局所撮像領域(及び各調整ポイントの撮像順からなる撮像シーケンスを最適化して撮像レシピとして作成することを特徴とする。
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半田接合部の基準位置特定方法および基準位置特定装置
【課題】半田接合部に存在するボイドを特定し、そのボイドによる影響を除くことにより、基準となる位置を正確に特定することができる半田接合部の基準位置特定方法および基準位置特定装置を提供する。
【解決手段】本方法は、基板上の電子部品の半田接合部に放射線を照射して透過放射線を検出する透過放射線検出工程と、検出した透過放射線の2次元強度分布からボイドと判定される領域の特徴情報を取得するボイド情報取得工程と、2次元強度分布の強度変化に関する特徴情報(エッジ画像)を取得する2次元強度分布特徴情報取得工程と、ボイド情報に基づいて2次元強度分布特徴情報からボイド情報を除去した2次元強度分布補正特徴情報(補正エッジ画像)を取得する2次元強度分布補正特徴情報取得工程と、2次元強度分布補正特徴情報から所定の特徴を示す情報を基準位置情報として抽出し、これに基づいて基準位置を特定する基準位置特定工程と、を備える。
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3次元画像化方法およびX線断層像撮影装置
【課題】対象物の断層像にアーチファクトがあっても、それに伴う誤差を生じることなく、正確にポリゴンデータを作成して対象物の3次元画像を正しく表示することのできる3次元画像化方法を提供する。
【解決手段】CT撮影等により得られた対象物の3次元濃度データを、あらかじめ設定されている一律のしきい値Stを用いてポリゴンデータを生成する前に、以下の修正を加えることで、アーチファクト等の影響をなくす。3次元濃度データから、仮のしきい値を用いて輪郭(境界)を抽出してその輪郭上の画素aを順次選択し、その画素aを通り対象物像の略法線方向の軸に沿い、その軸の周辺所定領域の画素の濃度値を積算して得られるプロファイルを作成して微分することによって当該プロファイルのピーク値を求め、そのピーク位置の濃度値Spと上記しきい値Stとの差を算出し、選択された画素aと周辺の画素の濃度値を、しきい値Stに近づくように修正する。
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パターン測定方法及びパターン測定装置
【課題】
本発明の目的はパターンエッジの傾斜を評価するのに好適な試料測定方法、及び試料測定装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下にパターンエッジについて、複数の輪郭線を形成し、その輪郭線間の寸法を評価する方法、及び装置を提案する。このように複数の輪郭線を形成することによって、パターンのエッジ部分の傾斜の程度を評価することが可能となる。また、エッジ部分の傾斜の程度の評価値を、面内分布表示することによって、テーパーが形成される要因を特定することが容易になる。
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電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン寸法計測方法
【課題】
本発明の目的は,試料の実際のパターンエッジ端に即した輪郭線情報を出力する電子顕微鏡システムを提供することにある。
【解決手段】
電子顕微鏡像のパターンエッジの各点において,パターンエッジに対して接線方向に該電子顕微鏡像を投影して局所投影波形を生成し,各点で生成した局所投影波形を,予め作成しておいた,試料の断面形状と電子線信号波形とを関連づけるライブラリに当てはめることによって,試料上に転写されたパターンの断面形状を推定し,断面形状に則したエッジ端の位置座標を求め,この位置座標の連なりとしてパターンの輪郭線を出力する。
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画像生成方法及びその画像生成装置
【課題】
設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】
本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを1枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。
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パターン形状評価方法,パターン形状評価装置,パターン形状評価データ生成装置およびそれを用いた半導体形状評価システム
【課題】フォトマスクやウエハ上に形成されたパターンを、設計データとの比較により、回路パターンの欠陥を精度良く、かつ高速に検出する手段の提供。
【解決手段】半導体パターンを撮影した画像からパターンの輪郭データ0107を抽出する手段と、前記半導体の設計データ0102から、パターンの方向に関するデータを生成する手段と、前記輪郭データからパターンの方向のデータを求め、前記輪郭データのパターン位置に対応する前記設計データから生成したパターンの方向に関するデータとの比較により、パターンの欠陥を検出する手段を備えた評価方法、及び検査システムを構築する。
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面積測定方法および面積測定プログラム
【目的】本発明は、面積測定方法および面積測定プログラムに関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定してその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線で囲まれた内部の面積を算出するステップとを有する。
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