【課題】表面形状と内部構造との双方を計測する。
【解決手段】実施形態によれば、計測装置は、電磁波照射手段と検出手段とデータ処理手段と膜構造変換手段と膜構造計測手段とを持つ。電磁波照射手段は電磁波を生成して前記基体へ照射する。検出手段は、前記基体で散乱されまたは反射した電磁波の強度を測定する。データ処理手段は、前記検出手段からの信号を処理して散乱プロファイルを作成して解析し、前記周期構造の表面形状を算出する。膜構造変換手段は、前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出し、参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する。膜構造計測手段は、前記仮想的膜構造から測定条件を設定し、該測定条件に従って前記周期構造について実測による反射率プロファイルを取得して解析し、前記周期構造を構成する各層の膜厚を算出し、算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する。 （もっと読む）

【課題】計測対象が電子線照射によってシュリンクする場合であっても、パターン輪郭や寸法を高精度に求めることのできる計測方法を提供する。
【解決手段】下地の上にパターンが形成された試料に電子線を照射して計測する方法において、パターンのＳＥＭ画像や輪郭（Ｓ２０１、Ｓ２０２）、試料のパターン部および下地部の材料パラメータ（Ｓ２０３）（Ｓ２０４）、電子線を試料に照射する際のビーム条件（Ｓ２０５）を準備し、これらを用いて、電子線を照射する前のパターン形状、あるいは寸法を算出する（Ｓ２０６）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの測定を実現することが可能な荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子源から放出された荷電粒子線を試料に走査することによって、当該試料から放出される荷電粒子の検出に基づいて、前記試料の画像を形成する荷電粒子線装置であって、前記試料の高さと、前記試料に対する予備帯電条件を関連付けて記憶する記憶媒体を備えた制御装置を備え、当該制御装置は、所望の試料高さの指定に基づいて、当該指定された試料高さに対応する予備帯電条件による予備帯電を実施する荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン形成面が帯電している場合でもフォトマスクのパターン寸法を高精度に計測することのできるパターン寸法計測方法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭ画像を画像処理してフォトマスクのパターン寸法を計測するに際して、フォトマスクのパターンと共にパターン形成面に形成された補正用パターンをＳＥＭ画像から抽出し、抽出された補正用パターンから一次電子の偏向量を算出し、該偏向量を補正量としてパターン寸法の計測値を補正する。 （もっと読む）

【課題】塗膜下における鋼材の腐食部分の体積を非破壊で測定することができるようにする。
【解決手段】周波数が１００〔ＧＨｚ〕〜１０〔ＴＨｚ〕の範囲の電磁波を用いて被検査物の塗膜層表面の２次元的な計測位置毎に塗膜層を介在させて電磁波測定を行って反射強度の２次元分布計測値を得て、当該２次元分布計測値における計測位置毎の反射光電界を用いて〔ア〕照射光電界反射係数ｌを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数ｋを求めるか若しくは〔イ〕電界減衰率ｍを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数ｋを求め（Ｓ５）、当該侵入光電界反射係数ｋを用いて計測位置毎に被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食層の厚さｄ_Rを求め（Ｓ６）、当該腐食層の厚さｄ_Rを用いて被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食部分の体積Ｖを求める（Ｓ７）ようにした。 （もっと読む）

【課題】 電子線照射によってシュリンクするレジストをＣＤ−ＳＥＭで測長する際に、シュリンク前の形状や寸法を高精度に推定する。
【解決手段】 あらかじめ様々なパターンについて、電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群やＣＤ−ＳＥＭ画像データ群と、それらに基づくモデルを含むシュリンクデータベースを準備し、被測定レジストパターンのＣＤ−ＳＥＭ画像を取得し（Ｓ１０２）、ＣＤ−ＳＥＭ画像とシュリンクデータベースとを照合し（Ｓ１０３）、被測定パターンのシュリンク前の形状や寸法を推定し、出力する（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【課題】無線装置に電波を放射した際に、より大きい発熱量を急峻に得られるようにする。
【解決手段】ＩＣタグ１００において、比較器１３６は、受信電力が所定の大きさ以上であると判定すると、アンテナ１０１とコンデンサ１２１とを接続するようにスイッチ１０２を制御する。この状態において、アンテナ１０１がＩＣタグリーダから送信される電波を受信することで、アンテナ１０１が発熱する。この状態では、ＲＦ回路１１１がアンテナ１０１から切り離されているので、ＩＣタグリーダが強い電波を送信してアンテナ１０１の発熱量を大きくすることができ、より大きい発熱量を急峻に得られる。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＭウェーハを自動測長する場合、測長対象の大きさは登録時と異なっていることが多いだけでなく、測長対象のパターンも崩れていることが多い。このため、測長の可否を自動的に判断することが困難である。
【解決手段】半導体検査システムにおいて、(1) 参照画像から算出される距離画像を利用し、検査画像の輪郭線の位置を特定する処理、(2) 特定された距離画像に対する輪郭線の位置に基づいて欠陥大きさ画像を算出し、当該欠陥大きさ画像から欠陥候補を検出する処理、(3-1) 欠陥候補が検出された場合、検出された欠陥候補の大きさを算出する処理、又は(3-2) 第１及び第２の輪郭線の相違部分を欠陥候補として検出する処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】パターンのエッジの幅及び傾斜角を高精度に測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを試料表面の観察領域で走査させ、電子ビームの照射によって試料の表面から放出された二次電子を、電子ビームの光軸の周りに配置された複数の電子検出器で検出するパターン測定装置において、パターン６１の延在方向に直交し、かつ光軸を挟んで対向する２方向からの画像を取得する。そして、それらの画像から、エッジと直交するライン上のプロファイルＬ６，Ｌ７を抽出し、それらの差分を取った差分プロファイルＬ８を求める。その差分プロファイルＬ８の立下り部分Ｒ２，Ｒ３に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの上端を検出し、ラインプロファイルＬ６、Ｌ７の立ち上がり部分Ｒ１又は立下り部分Ｒ４に基づいてエッジ６１ａ、６１ｂの下端の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データ、或いはシミュレーション画像に基づいて、実画像に近いパターンを形成する画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体素子の設計データに基づいて、荷電粒子線装置の動作条件を設定する画像処理部を備えた画像処理装置であって、荷電粒子線装置の装置条件情報，パターンの種類、及びパターンの部位毎のパターン情報の複数の組み合わせを記憶するライブラリにアクセスし、装置条件、及びパターンの種類の選択に基づいて、パターンの部位毎のパターン情報を用いた各部位の合成画像を形成する画像処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
パターン直上から撮像されたＳＥＭ画像を用いる計測で、レジスト膜減りなどのパターン高さ変化が発生しても、その断面形状を正確に計測できるようにする。
【解決手段】
荷電粒子線装置を用いて試料上に形成されたパターンの形状を計測する方法において、収束させた荷電粒子線を試料上に照射して走査することにより試料から発生する二次荷電粒子を検出して試料表面に形成されたパターンの荷電粒子線画像を取得し、予め求めておいたパターンの高さとこのパターンの荷電粒子線画像の情報との関係に基づいて取得したパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの高さ情報を求め、この求めたパターンの高さ情報を用いてパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの寸法を算出するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シュリンクするパターンのシュリンク量、シュリンク前のもとの寸法値を正確に測定するパターン寸法測定方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、パターンの第１の部分に対するビーム走査を実施した後、前記パターンを含む試料に対し、薄膜を形成し、当該薄膜が形成された前記第１の部分に相当する領域にビームを走査して第１の測定値を取得し、前記第１の部分と設計データ上、同じ寸法を持つ第２の部分に対し、ビームを走査して第２の測定値を取得し、当該第２の測定値から前記第１の測定値を減算する減算処理に基づいて、前記パターンのシュリンク量を求めることを特徴とするパターン寸法測定方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】パターン変形や欠陥を定量的に評価できる方法を提案する。
【解決手段】電子顕微鏡により、同一形状及び同一サイズを有するように形成された複数の形成済みパターンを観察し、複数の顕微画像を取得する。次に、当該複数の顕微画像を積算し、積算画像を生成する。一方で、当該顕微画像に対応する参照画像を記憶領域から取得する。次に、積算画像に含まれる所定のパターンのパターン幅を一次元方向について多点測定する。一方で、積算画像と同じパターンを対象に、積算画像と同一地点について、参照画像のパターン幅を多点測定する。この後、積算画像について取得された多点測定結果列と、参照画像について取得された多点測定結果列の間で相互相関係数を算出し、その演算結果より積算画像と参照画像の相関度合いを判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、合成画像を形成する場合に、重複領域のパターンの状態に応じて、適正に合成画像を形成することを目的とする合成画像形成方法、及び合成画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の画像を合成して合成画像を形成する合成画像形成方法、及び装置であって、複数の画像間の重複領域について、当該重複領域中に含まれるパターンの属性情報を作成し、当該パターンの属性情報に基づいて、合成対象となる画像を選択し、当該選択に基づいて画像合成を行う方法、及び装置を提案する。また、他の一態様として、重複領域内の属性情報を用いて、複数段階で画像合成を行う方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】画素毎に、検出素子の個体差を考慮した校正を施す。
【解決手段】格子状に等間隔に配列された複数の検出素子６１を有し、各検出素子６１が検出した被写体としてのプリント基板Ｗの画像を画素毎に分解して出力する撮像ユニット２０、４０を備えている装置に適用される。個々の画素の個体差を表す個体差ファクタα、βを記憶し、記憶された個体差ファクタα、βに基づいて、当該検出素子６１毎に線形な校正値を出力し、前記検出値校正処理部２２５が演算した校正値Ｉχｃに基づいて、画素毎に目標物理量としての輝度値Ｂや材料厚さχを演算する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と１回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と２回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、１回目の露光の工程で形成されたパターンと２回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭにおいて、同心円状パターンの異常、欠損等を自動で検出することができる。
【解決手段】同心円状のパターンを有する試料のＳＥＭ画像を撮像する画像撮像部と、前記画像からドット状パターンの重心点または線状パターンの中心線を求め、求めた重心点または中心線から所定の値を算出し、該所定の値と理論値との差分値を求め、該差分値と所定の閾値とを比較する位置測定部と、前記比較結果を表示装置に出力する出力部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロセス変動の大きいパタ−ンを測定する場合に、予め登録した測定領域において、測定対象パターンの周囲に測定対象ではないパターンやゴミ等のノイズが存在すると正しい測定ができない。
【解決手段】試料の画像データのうち、パターンマッチングを行って位置合わせされた所定の領域を、パターン測定の対象から除外する非測定対象領域として設定する。例えばプロセス変動の大きいパターンを測定する場合では、パターンマッチングにおいてプロセス変動の小さいパターンを含んだ領域のみを使用し、パターン測定の際には、パターンマッチングに使用して位置合わせされた所定の領域を非測定対象領域として設定する。
【効果】測定領域と非測定対象領域が重畳する領域の影響を受けることがなく、プロセス変動の大きいパターンに対しても容易にかつ安定したパターン測定を可能とする。 （もっと読む）

【課題】
モデルベース計測法は、予め作成した種々の断面形状に対するＳＥＭ信号波形のライブラリとのマッチングにより断面形状を推定することが可能であるが、従来のモデルベース計測法では、断面形状のモデル化が適切か否かを判断するための機能、あるいは、推定結果の確からしさを確認する機能が供されていなかった。
【解決手段】
モデルベース計測にて実パターンの計測を行うのに先立ち、ライブラリ波形間のマッチングにより解空間（予測解空間）を求め提示する。また、モデルベース計測による実パターンの計測後に、実波形とライブラリ波形とのマッチングにより解空間（実解空間）を求め提示する。 （もっと読む）