本発明は、ライン構造体中の反射要素とライン構造体の端部に設けられた電磁波のための結合箇所との間の距離を求める方法及びこの方法を実施する距離測定装置（２）であって、距離測定装置が、送受信装置を有し、送受信装置は、結合箇所のところに設けられていて、電磁波をライン構造体中に結合すると共に反射要素で反射された電磁波をライン構造体から結合解除するために送受信装置をライン構造体に同軸誘導結合するライン移行部（６）を備え、距離測定装置が、結合箇所と反射要素との間の距離を結合された電磁波と結合解除された電磁波の位相差から求める評価装置を更に有することを特徴とする距離測定装置に関する。
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本発明は、半導体ウエハなどの基板の表面に形成された薄膜の厚みなどを測定する測定装置に関するものである。本発明の測定装置は、物質にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段（４０）と、マイクロ波照射手段（４０）にマイクロ波を供給するマイクロ波源（４５）と、物質から反射した、又は物質を透過したマイクロ波の振幅又は位相を検出する検出手段（４７）と、検出手段（４７）により検出されたマイクロ波の振幅又は位相に基づいて物質の構造を解析する解析手段（４８）とを備える。
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