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Fターム[2G001AA05]の内容

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不活性 (2)

Fターム[2G001AA05]に分類される特許

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【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第1の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第1の二次信号Is1を取得するステップと、試料Sに第2の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第2の二次信号Is2を取得するステップと、第2の二次信号Is2と第1の二次信号Is1との比Is2/Is1を算出するステップと、比Is2/Is1が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is2/Is1に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t0となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t0に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 (もっと読む)


【課題】走査型電子顕微鏡等を用いて化粧料の断面を観察する化粧料の断面観察方法に関し、所望する位置での断面観察を可能とした化粧料の断面観察方法を提供する。
【解決手段】サンプルホルダに化粧料を配設して試料を作成する試料作成工程S1と、この試料を凍結させる凍結工程S2と、凍結された試料を集束イオンビームにより加工し試料に切断面を形成する切断工程S3と、走査型電子顕微鏡を用いて切断面の切断面画像を生成する切断面画像処理工程S4とを有する。また凍結工程S2において凍結された試料を凍結環境を保ったままシールド処理し、凍結環境を保ったまま切断工程S3及び切断面画像処理工程S4を実施する。この際、支持台として、人工皮膚、樹脂テープ、又は皮膚のいずれかを用い、かつ、シールド処理では真空状態又は不活性ガスを充填したシールド部材に凍結された試料を配設する。 (もっと読む)


【課題】S/TEM分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の好適な実施形態は、ラメラを基板表面を有する基板から抽出するための装置であって、1以上のステージ・コントローラに接続された基板用の可動ステージと、マイクロプローブと、可動ステージ上に設けられて基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダが基板を保持しているときに基板表面に対してある斜角で基板表面に光を当てるための斜照明と、基板を撮像する光学顕微鏡とを備える。 (もっと読む)


【課題】TFTアレイ検査装置において、基板内で絶縁破壊(ESD)を生じさせることなく、基板に帯電した電荷を放電する。
【解決手段】プローバーを基板に配置し、プローバーを介して検査信号を基板に供給し、基板上に形成されたTFTアレイを検査するTFTアレイ検査装置において、TFTアレイ検査時にプローバーを基板に配置した際に、基板をプローバーを介して接地された高抵抗の放電用抵抗に接続することによって、基板に帯電する電荷をプローバーおよび放電用抵抗を介して放電させる。基板に帯電する電荷を、基板からプローバーを介して放電用抵抗に導くことによって、TFTアレイ検査装置内において格別な機構を設けることなく基板に帯電する電荷を放電することができる。 (もっと読む)


【課題】分析精度の高い分析装置を提供する。
【解決手段】イオンビームを試料10に照射するイオン照射部と、試料から第1の方向106に散乱する散乱イオンを通過させるための第1の開口部34aと、試料から第1の方向と異なる第2の方向114に散乱する散乱イオンを通過させるための第2の開口部34bとが形成された制限板24と、制限板の第1の開口部を通過した散乱イオンと、制限板の第2の開口部を通過した散乱イオンとに対して磁場を印加する磁場印加部28と、磁場印加部により偏向された各々の散乱イオンを検出するイオン検出部30とを有している。 (もっと読む)


【課題】高エネルギーの荷電粒子ビームにより測定試料中の物質ごとに1μm〜0.1μm等といった高空間分解能で定量的に材料分析できるとともに、前述した高精度の材料分析を研究室規模の施設で可能とする材料分析装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザを射出するパルスレーザ射出部1と、前記パルスレーザが照射される金属薄膜Fを有し、当該金属薄膜Fから荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部2と、前記荷電粒子ビーム生成部2から射出された荷電粒子ビームを磁場又は電場により収束して、測定試料Sに照射する荷電粒子ビーム収束部3と、前記荷電粒子ビームが測定試料Sに照射された際に生じる放射線Rを測定する放射線測定部4と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】高エネルギーの荷電粒子ビームにより測定試料中の物質ごとに1μm〜0.1μm等といった高空間分解能で定量的に材料分析できるとともに、前述した高精度の材料分析を研究室規模の施設で可能とする材料分析装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザを射出するパルスレーザ射出部1と、前記パルスレーザが照射される金属薄膜Fを有し、当該金属薄膜Fから荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部2と、前記荷電粒子ビーム生成部2から射出された荷電粒子ビームIBを磁場又は電場により収束して、測定試料Sに照射する荷電粒子ビーム制御部3と、前記荷電粒子ビームIBが測定試料Sに照射された際に生じる放射線Rを測定する放射線測定部4と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】高エネルギーの荷電粒子ビームにより測定試料中の物質ごとに1μm〜0.1μm等といった高空間分解能で定量的に材料分析できるとともに、前述した高精度の材料分析を研究室規模の施設で可能とする材料分析装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザを射出するパルスレーザ射出部1と、前記パルスレーザが照射される金属薄膜Fを有し、当該金属薄膜Fから荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部2と、前記荷電粒子ビーム生成部2から射出された荷電粒子ビームIBを磁場又は電場により収束して、測定試料Sに照射する荷電粒子ビーム制御部3と、前記荷電粒子ビームJBが測定試料Sに照射された際に生じる放射線Rを測定する放射線測定部4と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】電子ビーム又はイオンビーム撮像機器による極端紫外線リソグラフィ(EUVL)マスク検査の技術を提供する。
【解決手段】結合モジュールは、開口を定める上側部分と、マスク接触要素と、チャック接触要素と、マスク接触要素と上側部分の間に接続された中間要素とを含むことができる。開口の形状及びサイズは、極端紫外線(EUVL)マスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応することができる。結合モジュールは、マスク接触要素がEUVLマスクの上側部分に接触した状態でチャック接触要素がEUVLマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズとすることができる。結合モジュールは、EUVLマスクがチャック上に位置決めされた時にEUVLマスクの上側部分とチャックの間に少なくとも1つの導電経路を更に提供することができる。 (もっと読む)


【課題】アルカリ金属イオンの一次イオンビームを用いる二次イオン質量分析において、試料上面へのアルカリ金属化合物の堆積を抑止する。
【解決手段】スパイラル状の走査線21に沿ってスパイラルの最外周を含む第1の走査線分21a上を一次イオンビーム7が走査するときに、二次イオン引出し電極6に対し試料10電位が正電位になるように制御し、第1の走査線分21aよりスパイラルの内側に位置し、かつスパイラルの最内端に至る第2の走査線分21b上を一次イオンビーム7が走査するときに、試料10電位が負電位になるように制御する。 (もっと読む)


【課題】 試料分析方法及び試料分析装置に関し、不安定な中間酸化物を含む酸化膜を表面に有するシリコンを主成分とする基板を酸素一次イオンにより精度良く分析する。
【解決手段】 シリコンを主成分とし、表面に中間酸化物を含む酸化膜を有する被分析試料の表面に90eV以下のエネルギー範囲で酸素イオンを供給して前記中間酸化物を含む酸化膜を改質させる前処理工程と、前記前処理工程の後に、二次イオン質量分析を行う工程とを設ける。 (もっと読む)


【課題】環境制御型透過型電子顕微鏡(ETEM)において、活性雰囲気下でサンプルを評価研究する際に、発生するサンプルのドリフトが取得画像の解像度の制限因子とならないようにする。
【解決手段】ドリフトを避けるため、または抑制するため、サンプルを所望の温度で不活性ガスに暴露し、その後不活性ガスを活性ガスに置換する。光、X線、または走査型プローブ顕微鏡に適用できる。 (もっと読む)


【課題】FEMウェーハを自動測長する場合、測長対象の大きさは登録時と異なっていることが多いだけでなく、測長対象のパターンも崩れていることが多い。このため、測長の可否を自動的に判断することが困難である。
【解決手段】半導体検査システムにおいて、(1) 参照画像から算出される距離画像を利用し、検査画像の輪郭線の位置を特定する処理、(2) 特定された距離画像に対する輪郭線の位置に基づいて欠陥大きさ画像を算出し、当該欠陥大きさ画像から欠陥候補を検出する処理、(3-1) 欠陥候補が検出された場合、検出された欠陥候補の大きさを算出する処理、又は(3-2) 第1及び第2の輪郭線の相違部分を欠陥候補として検出する処理を実行する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、試料に関する情報をより迅速に取得する方法及び装置を供することである。
【解決手段】 様々な種類の情報を取得する複数の検出器からの情報が結合されることで、試料の1つ以上の特性が、単一の種類の検出器からの単一の種類の情報を用いるよりも効率的に決定される。一部の実施例では、情報は様々な検出器から同時に収集される。それによりデータ取得時間が顕著に減少しうる。一部の実施例では、試料上の各異なる点からの情報は、第1型の検出器からの情報に基づいてまとめられ、かつ、これらの点に関連する第2型の検出器からの情報が結合される。それにより、前記第1型の検出器によって決定された共通の組成を有する領域の1つのスペクトルが前記第2型の検出器から生成される。一部の実施例では、データ収集は適合可能である。つまりデータは、所望の特性を所望の信頼性で決定されるのに十分なデータが収集されたか否かを判断するため、収集中に解析される。 (もっと読む)


【課題】欠陥検出に用いる信号強度を算出するデータ点数をサンプリング点の点数よりも増やす。
【解決手段】TFT基板のピクセルに対して所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、ピクセル上に荷電ビームを照射して走査して検出される検出信号に基づいて行うTFT基板のアレイの検査において、一ピクセルから取得した複数のサンプリング点の信号強度を用いて当該ピクセルを代表する代表信号強度を求め、この代表信号強度に基づいて当該ピクセルに対応するアレイの欠陥検出を行うものであり、各ピクセルのサンプリング点の分布において、分布の偏りと反対方向の解像度が低いサンプリング点側の領域に補間データ点を定め、補間データ点を設定し信号強度を算出することによって、欠陥検出に用いる信号強度を算出するデータ点数をサンプリング点の点数よりも増やし、解像度の低下および欠陥検出の検出精度の低下を抑制する。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子線装置に新たに別の装置を設けることなく、真空状態において試料の加工,観察,追加工を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の真空室内にイオン液体を充填した液体浴と超音波振動手段を配置し、イオン液体と試料の加工対象領域が接触した状態において、イオン液体中に超音波振動を伝搬させて試料を加工する。
【効果】荷電粒子線装置に新たに別の装置を設けることなく、真空状態において試料の加工,観察,追加工ができるため、スループットを向上させるとともに、大気の影響を防止する。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子顕微鏡を用いて試料を検査する方法を提供する。
【解決手段】試料を試料ホルダ上に載置する手順、粒子光学鏡筒を用いて、少なくとも1つの粒子放射線ビームを試料へ案内することによって、試料から放出される放射線を発生させる相互作用を生じさせる手順、第1検出器構成C1を用いて、放出される放射線の第1部分を検出して、第1部分に基づいて第1画像I1を生成する手順を有する。第1検出器構成C1とは異なる第2検出器構成C2を用いて、放出される放射線の第2部分を検出して、第2部分に基づいて第2画像I2を生成することで、検出器構成の組SD={C1,C2}と、対応する画像の組SI={I1,I2}をまとめる手順、コンピュータ処理装置を用いて、SIの各異なる画像を自動的に比較して、SDのうちの少なくとも1つに対する視線が閉塞された試料上の少なくとも1つの閉塞領域を数学的に特定する手順を有する。 (もっと読む)


【課題】介在物を起点とする金属の破壊現象を解明するための介在物及び亀裂の3次元構造観察方法において、効率的で高精度な観察方法を提供する。
【解決手段】転動疲労を受けた部材の転動軌道直下において、転動体転がり方向Fに略平行な角度をなし、かつ転動面Pに略直角な角度をなす1次観察断面P1を切断・研磨して形成した後、この1次観察断面P1を観察して介在物3と亀裂4の位置を特定する1次観察工程と、更に収束イオンビームを用いて、前記転動体転がり方向Fに対して略直角な角度をなす2次観察断面P2を所定間隔で連続的に形成して、連続的な断層写真6を取得する2次観察工程と、前記断層写真6を3次元に再構築して3次元的な内部の介在物と亀裂の構造を評価する画像処理工程とを含む、介在物3及び亀裂4の3次元構造観察方法であって、前記2次観察断面P2を連続的に形成する所定間隔が0.05〜0.5μm、前記収束イオンビームの加速電圧が20〜35kV、ビーム電流が0.5〜10nAの範囲であること。 (もっと読む)


【課題】集束イオンビームを利用する微細加工により、微細粒子の凝集体からなる膜の断面を、透過電子顕微鏡観察する目的の薄片化試料を作製する際、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止でき、また、薄片化された部位の大気暴露を防止可能な、薄片化試料の作製方法を提供する。
【解決手段】微細粒子の凝集体からなる膜から抽出した試料片に対し、その二つの断面に集束イオンビームを利用する微細加工を施し、薄片化を行う工程中、各断面に微細加工を施した後、微細加工端面を被覆する、均質な材料からなる薄膜をそれぞれ形成する。形成される均質な材料からなる薄膜は、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止し、また、微細加工端面の大気暴露を防止する、被覆膜として利用される。 (もっと読む)


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