【課題】 イメージングプレートの取付け精度の良否によらず、測定対象物の残留応力を精度よく測定できるようにする。
【解決手段】 コントローラＣＴは、残留応力が０である基準物体ＢＯＢ及び測定対象物ＯＢに、Ｘ線出射器１３からのＸ線をそれぞれ照射して、イメージングプレート２８上に基準物体ＢＯＢ及び測定対象物ＯＢの回折環をそれぞれ撮像する。そして、コントローラＣＴは、前記撮像した両回折環の形状をそれぞれ検出し、測定対象物ＯＢの回折環の形状を、基準物体ＢＯＢの回折環の形状を用いて補正して、イメージングプレート２８のテーブル２７に対する取付け誤差の影響を少なくする。 （もっと読む）

【課題】有機光学結晶にレーザー光を照射して連続的に使用するために、あらかじめ非破壊で容易かつ簡便な有機光学結晶のレーザー被照射耐性を評価する方法を確立すること、またその評価方法によって評価されたレーザー被照射耐性を有する有機光学結晶を提供すること。
【解決手段】有機光学結晶にレーザーを照射する前に回折解析工程により、有機光学結晶のレーザー被照射耐性の有無を判断する評価方法を確立することができ、またその評価方法によって評価されたレーザー被照射耐性を有する有機光学結晶を非破壊で容易かつ簡便に幅広い分野へ提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の光の散乱を用いた異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とでは、全く原理が異なることから、得られた異物検査データを直接比較することはできず、総合的な異物管理ができない課題があった。また、同一のウェハを、散乱光を用いた検査装置と反射結像型電子顕微鏡との別々の装置で検査を実施すると、二つの装置間でのウェハ搬送中に新たな異物が付着する危険性を除外できず、厳密な検査データの比較ができないという課題があった。
【解決手段】 反射結像型電子顕微鏡の対物レンズの周囲に、レーザー光導入システムと、散乱光検出器を配置し、同一の装置で散乱光による異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とを実施できるようにした。 （もっと読む）

【課題】複数種の構成材料を含む試料中の特定の構成材料を精度よく識別する識別する方法、および特定の構成材料の成分を分析する分析方法を提供する。
【解決手段】複数種の構成材料を含む試料から、変質する温度が既知である特定の構成材料を識別する方法であって、試料の表面を複数の小区画に区分し、各小区画に放射線を照射して、試料より発生する信号によって、特定の構成材料に含まれる元素の各小区画における濃度を測定する第一測定工程と、特定の構成材料が変質する温度で試料の表面を加熱する加熱工程と、加熱後の試料の各小区画に放射線を照射して、試料より発生する信号によって、元素の各小区画における濃度を測定する第二測定工程と、各小区画における元素について、第一測定工程で測定した濃度と、第二測定工程で測定した濃度とを比較して、濃度の変化率が所定の率である小区画を特定の構成材料であると判定する判定工程とを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 外場遮断後も試料状態が変化するため、外場遮断後に試料中のイオンの分布状態が短時間で変化する試料に適用することは困難であった。
【解決手段】 イオン化する物質を有する高分子材料の被測定部に厚みが１０ｎｍ以下の金属膜を形成することで、前記イオンの運動を抑制した状態で、表面分析装置を用いて前記被測定部を測定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明をウエハ、ディスプレイパネル、磁気ディスクなど試料上に発生した欠陥の部位に対して、走査電子顕微鏡で画像を撮像しようと試みたとき、画像に欠陥が写っていないといった失敗が生じる割合を低減する。
【解決手段】
本発明は、欠陥の座標と特徴量を有する欠陥検査データを入力し（２４１）、欠陥毎に走査電子顕微鏡での検出可否を予測し（２４２）、予測結果に基づいて走査電子顕微鏡で撮像する座標をサンプリングし（２４３）、予測結果に基づいて加速電圧を設定した電子光学系、ないしは光学系で欠陥部位の画像を撮像する（２４４）。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線回折測定装置において、誤ったイメージングプレートの使用を避ける。
【解決手段】 コントローラＣＴは、測定対象物にて回折したＸ線による回折環をイメージングプレート２８に記録して、回折環を記録したイメージングプレート２８にレーザ光を照射して回折環を測定する。新たなイメージングプレート２８には、製造日を含む識別データがＸ線により記録されており、新たなイメージングプレート２８への交換後には、識別データが読取られ、その後、識別データがイメージングプレート２８から消去される。これにより、新たなイメージングプレート２８への交換後に識別コードが読取れなかった場合には、コントローラＣＴは、使い古しのイメージングプレート２８がセットされたと判定する。また、コントローラＣＴは、製造日を用いて使用期限の切れたイメージングプレート２８のセットも判定する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定装置において、高精度で回折環を検出できるようにする。
【解決手段】コントローラＣＴは、測定対象物にて回折したＸ線による回折環を記録した回折光受光器２８にレーザ光を照射して回折環を測定する。コントローラＣＴは、レーザ光が照射されている位置の半径値が増加するに従って大きくなる回折Ｘ線の減衰量の変化を補正するように、半径値を用いてレーザ光強度を計算して、計算したレーザ光強度のレーザ光を回折光受光器２８に照射する。また、コントローラＣＴは、前記半径値が増加するに従って大きくなる測定対象物にＸ線を照射した際の回折Ｘ線が受光される面積の変化を補正するように、前記半径値を用いてフォーカス制御値を計算して、前記計算したフォーカス制御値に応じて対物レンズによるフォーカス位置を制御して、回折光受光器２８に形成されるレーザ光のスポット径を制御する。 （もっと読む）

【課題】微細化あるいはハイアスペクト化された凹部を有する構造体に対するパターン検査の精度を向上させることができるパターン検査方法およびパターン検査装置を提供することである。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、構造体が有する凹部にＸ線または真空紫外線を集光させ、前記集光させた前記Ｘ線または前記真空紫外線を前記凹部の内部において伝播させて前記凹部の底面に到達させ、前記底面で反射または前記底面を透過した前記Ｘ線または前記真空紫外線の強度を検出することにより前記凹部の欠陥の有無を検査することを特徴とするパターン検査方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】検査精度を向上させ、５〜３０ｎｍのデザインルールにも適用できる検査方法及び検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明の検査装置は、荷電粒子又は電磁波の何れか一つをビームとして発生させるビーム発生手段と、ワーキングチャンバ内に保持した検査対象に前記ビームを導き照射する１次光学系と、可動式のニューメリカルアパーチャ、および前記検査対象から発生して当該ニューメリカルアパーチャを通過した二次荷電粒子を検出する第１検出器を有する２次光学系と、前記第１検出器によって検出された二次荷電粒子に基づいて画像を形成する画像処理系と、前記可動式のニューメリカルアパーチャと前記第１検出器の間に設けられ、前記検査対象から発生する二次荷電粒子のクロスオーバ位置における位置及び形状を検出する第２検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細パターンのマスクを高感度で検査できるマスク検査装置及びマスク検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、減圧容器１０と、保持部１５と、光照射部２０と、検出部５０と、電極３０と、制御部６０と、を備えマスク検査装置１１０が提供される。前記保持部１５は、前記減圧容器１０の中に設けられ、マスク７０を保持する。前記光照射部２０は、前記保持部１５に保持された前記マスク７０の主面に光を照射する。前記検出部５０は、前記減圧容器１０の中に設けられ、前記マスク７０の前記主面に前記光が照射されて発生した電子を検出する。前記電極３０は、前記保持部１５と前記検出部５０との間に設けられ、前記保持部１５から前記検出部５０に向かう方向に前記電子を導く。前記制御部６０は、前記検出部５０で検出された前記電子の検出結果を基準となる値と比較する。 （もっと読む）

【課題】蛍光マーカーを付着させた標的タンパク質の位置の特定を、同時に多数行う事のできる顕微鏡システムを実現する。
【解決手段】試料３０６中の標的タンパク質に付与した蛍光マーカーを光３２４により励起し、蛍光マーカーからの光３２８を放物面鏡３１４により集光して光検出器３６０で検出すると共に、荷電粒子ビーム３０４を走査する事により蛍光マーカーを不活性にすることによって励起位置を特定する。同時に、放出される二次電子３３２を放物面鏡３１４の表面に印加された電界により二次電子検出器３２０へ向けて偏向させる事により検出して試料像を形成する。 （もっと読む）

【課題】第1の測定と第2の測定との間で測定サンプルが大気に触れないようにすることができ、またこれらの複数の測定にかかる時間を短縮化すること。
【解決手段】一つの気密（減圧）容器内に、第１の測定を行う第１の測定部と、第１とは異なる第２の測定を行う第２の測定部とを設ける。試料を取り付けたサンプルホルダの、第１の測定部から第２の測定部への移動は、サンプルホルダ移動手段により行う。 （もっと読む）

【課題】被写体を、眼の疲労が少ない立体像で表示しつつ、同一の視線上に被写体の断層画像を表示することが可能な撮影画像合成表示装置を提供する。
【解決手段】撮影画像合成表示装置３は、インテグラル方式の立体画像撮影装置１で撮影された要素画像群である被写体要素画像群と断層画像記憶装置２に予め記憶されている被写体の断層画像とを入力する画像入力手段３０と、被写体要素画像群をインテグラル方式の立体像として表示する立体像表示手段３３０と、断層画像を表示する断層画像表示手段３３１と、立体像表示手段３３０が表示する映像光と断層画像表示手段３３１が表示する映像光とを光路上で合成する合成手段３３２と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線源とライン型検出器との間に検査対象物等が配置されている状態であっても精度良く校正を行うことが可能な放射線検査装置を提供する。
【解決手段】放射線検査装置としての厚さ検査装置は、検査対象物としてのシートＳＴの一方側に配置されてシートＳＴ上に設定された検査方向（Ｘ方向）に延びるライン状の放射線をシートＳＴに照射する放射線源１１と、シートＳＴの他方側に配置されてシートＳＴを透過したライン状の放射線を検出するライン型検出器１２と、放射線源１１とシートＳＴとの間及びシートＳＴとライン型検出器１２との間の少なくとも一方に配置され、検査方向に沿って移動しつつ放射線源１１からの放射線を検出する校正用検出器１３，１４と、校正用検出器１３，１４の検出結果を用いてライン型検出器１２の検出結果を校正する校正装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料の実像だけでなく、電子回折像も観察することができる光電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】光源からの光を試料に照射することにより前記試料から放出される光電子を対物レンズを介して結像し、拡大像を得る光電子顕微鏡において、前記対物レンズに、２以上の電極を備えさせ、２以上の前記電極を、前記光が２つの電極間を通るように設置する。このような構成をした光電子顕微鏡は、試料の実像だけでなく、電子回折像も観察することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたアクティブエリアと共にアクティブエリア外に設けられたＴＦＴ駆動回路の欠陥を検出する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ検査装置は、ＴＦＴ駆動回路に検査信号を供給するＴＦＴ駆動回路用ドライバ部と、アクティブエリアの走査画像に基づいて、ＴＦＴ駆動回路およびアクティブエリアの駆動状態を検出する検出部とを備える。ＴＦＴ駆動回路用ドライバ部は、基板上のＴＦＴ駆動回路に検査信号を供給することによってＴＦＴ駆動回路のＴＦＴアレイを駆動し、基板上のアクティブエリアに形成されたＴＦＴアレイを駆動する。検出部は、アクティブエリアの走査画像を用いて、アクティブエリア上で駆動していない非駆動部位を検出する。 （もっと読む）

【課題】２層塗工において基材側に形成される層の塗布状態を検査することができる塗工装置、塗工方法、電池の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様は、搬送される銅泊３０に対しダイ１０からバインダ液３２と負極ペースト３６を排出してバインダ層３４に重ねて負極ペースト層３８を形成する塗工装置１において、ダイ１０におけるバインダ液３２が排出される第１排出口２２を形成する中仕切部１８の内部にバインダ層３４を検査する検査機構１２が設けられていること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線トポグラフを求めるＸ線回折装置においてＸ線トポグラフの平面領域内の位置を明確に特定できるようにする。光学顕微鏡、イメージングデバイス等によって捕えることができない光学的に透明な物質を可視化して測定対象とする。
【解決手段】試料１８の平面領域から出たＸ線を空間的に１対１の幾何学的対応をつけて平面的なＸ線トポグラフとして検出し、当該Ｘ線トポグラフを信号として出力するＸ線トポグラフィ装置４，２２と、試料１８の平面領域の光像を受光してその光像を平面位置情報によって特定された信号として出力する２次元イメージングデバイス６と、Ｘ線トポグラフの出力信号とイメージングデバイス６の出力信号とに基づいて合成画像データを生成する画像合成用の演算制御装置とを有するＸ線回折装置である。 （もっと読む）

【課題】画素毎に、検出素子の個体差を考慮した校正を施す。
【解決手段】格子状に等間隔に配列された複数の検出素子６１を有し、各検出素子６１が検出した被写体としてのプリント基板Ｗの画像を画素毎に分解して出力する撮像ユニット２０、４０を備えている装置に適用される。個々の画素の個体差を表す個体差ファクタα、βを記憶し、記憶された個体差ファクタα、βに基づいて、当該検出素子６１毎に線形な校正値を出力し、前記検出値校正処理部２２５が演算した校正値Ｉχｃに基づいて、画素毎に目標物理量としての輝度値Ｂや材料厚さχを演算する。 （もっと読む）