【課題】欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず、一定の条件で行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなるという問題があった。また、パターン付きウェーハではマーキングに適さない方の膜上にマーキングしてしまうという問題があった。
【解決手段】マーキング予定位置を元素分析し、その結果に基づいて、圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。また、登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第１の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第１の二次信号Is₁を取得するステップと、試料Sに第２の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第２の二次信号Is₂を取得するステップと、第２の二次信号Is₂と第１の二次信号Is₁との比Is₂／Is₁を算出するステップと、比Is₂／Is₁が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is₂／Is₁に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t₀となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t₀に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 （もっと読む）

【課題】クリープ損傷を受ける金属の余寿命をＡパラメータ法によって診断するに際し、参照線を描く向きを精度よく定める。
【解決手段】
金属のレプリカを顕微鏡撮影することで、粒界の画像データを取得する画像取得ステップ（Ｓ３）と、画像データに向きが異なる仮想参照線データを複数本描く仮想参照線描画ステップ（Ｓ５，Ｓ６，Ｓ８）と、仮想参照線データのそれぞれについて、粒界データ上のボイド画像データを計数するボイド計数ステップ（Ｓ７、Ｓ８）と、ボイド画像データの数が最も多い仮想参照線データを、参照線データに決定する参照線決定ステップ（Ｓ９）とを含み、Ａパラメータ法を用いて前記金属の余寿命を診断する。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡等を用いて化粧料の断面を観察する化粧料の断面観察方法に関し、所望する位置での断面観察を可能とした化粧料の断面観察方法を提供する。
【解決手段】サンプルホルダに化粧料を配設して試料を作成する試料作成工程Ｓ１と、この試料を凍結させる凍結工程Ｓ２と、凍結された試料を集束イオンビームにより加工し試料に切断面を形成する切断工程Ｓ３と、走査型電子顕微鏡を用いて切断面の切断面画像を生成する切断面画像処理工程Ｓ４とを有する。また凍結工程Ｓ２において凍結された試料を凍結環境を保ったままシールド処理し、凍結環境を保ったまま切断工程Ｓ３及び切断面画像処理工程Ｓ４を実施する。この際、支持台として、人工皮膚、樹脂テープ、又は皮膚のいずれかを用い、かつ、シールド処理では真空状態又は不活性ガスを充填したシールド部材に凍結された試料を配設する。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／ＴＥＭ分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の好適な実施形態は、ラメラを基板表面を有する基板から抽出するための装置であって、１以上のステージ・コントローラに接続された基板用の可動ステージと、マイクロプローブと、可動ステージ上に設けられて基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダが基板を保持しているときに基板表面に対してある斜角で基板表面に光を当てるための斜照明と、基板を撮像する光学顕微鏡とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイ検査装置において、基板内で絶縁破壊（ＥＳＤ）を生じさせることなく、基板に帯電した電荷を放電する。
【解決手段】プローバーを基板に配置し、プローバーを介して検査信号を基板に供給し、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、ＴＦＴアレイ検査時にプローバーを基板に配置した際に、基板をプローバーを介して接地された高抵抗の放電用抵抗に接続することによって、基板に帯電する電荷をプローバーおよび放電用抵抗を介して放電させる。基板に帯電する電荷を、基板からプローバーを介して放電用抵抗に導くことによって、ＴＦＴアレイ検査装置内において格別な機構を設けることなく基板に帯電する電荷を放電することができる。 （もっと読む）

【課題】クリープ損傷を受ける金属の余寿命をＤパラメータ法で診断するに際し、余寿命診断処理を容易化する。
【解決手段】
診断用コンピュータ３に、金属表面における複数の粒界に対応する粒界画像データを取得させ（Ｓ３）、粒界画像データから、各粒界の始点座標と終点座標を含む粒界データを取得させ（Ｓ４）、配管の応力方向に垂直な参照方向を示す参照方向データを、粒界画像データに設定させ（Ｓ５）、参照方向データに基づいて、複数の粒界データの中から、参照方向を中心とする所定の角度範囲に属する垂直粒界データを抽出させ（Ｓ５）、垂直粒界データに対応する粒界上のボイド形成状態に基づいて、当該垂直粒界データが損傷粒界に対応する損傷粒界データか否かを判断させ（Ｓ６）、垂直粒界データに対応する粒界の数、及び、損傷粒界データに対応する粒界の数に基づき、Ｄパラメータ法を用いて金属の余寿命を診断させる（Ｓ８）。 （もっと読む）

【課題】
従来の断面ＳＥＭやＴＥＭで撮像した断面画像とその倍率情報を元にユーザが物差しをあてて配線の寸法を計測したり、分度器をあてて配線の側壁の傾斜角度を計測する方法によっては、ユーザの裁量に依存する部分が大きいという課題があった。
【解決手段】
被検査対象試料の断面形状データに対して複数の形状モデルをフィッティングするフィッティング工程と、前記フィッティング工程にてフィッティングしたフィッティングモデルの精度の指標である誤差関数値に基づいて該複数の形状モデルから少なくとも一の形状モデルを最適モデルとして選択する選択工程とを有する被検査対象試料の断面形状推定方法である。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム又はイオンビーム撮像機器による極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスク検査の技術を提供する。
【解決手段】結合モジュールは、開口を定める上側部分と、マスク接触要素と、チャック接触要素と、マスク接触要素と上側部分の間に接続された中間要素とを含むことができる。開口の形状及びサイズは、極端紫外線（ＥＵＶＬ）マスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応することができる。結合モジュールは、マスク接触要素がＥＵＶＬマスクの上側部分に接触した状態でチャック接触要素がＥＵＶＬマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズとすることができる。結合モジュールは、ＥＵＶＬマスクがチャック上に位置決めされた時にＥＵＶＬマスクの上側部分とチャックの間に少なくとも１つの導電経路を更に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】皮膜付き鋼板などの試料の表面に生じたクラックをより適切に評価し得るクラック評価方法を提供する。
【解決手段】試料表面に発生したクラックを評価するクラック評価方法であって、上記試料表面に金属薄膜を成膜する工程と、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて上記金属薄膜の反射電子像（ＢＳＥ像）を取得する工程と、上記取得したＢＳＥ像に基いて上記クラックを評価する工程と、を備えるクラック評価方法。 （もっと読む）

【課題】実際のゴム材料から精度良くシミュレーション用のゴム材料モデルを定義しうる方法を提供する。
【解決手段】充填剤を含有するゴム材料のシミュレーション方法であって、走査型透過電子顕微鏡を用いてゴム材料の電子線透過画像を取得する撮像工程Ｓ１と、撮像工程で得られた画像からトモグラフィー法により前記ゴム材料の３次元構造を構築する工程Ｓ２と、前記３次元構造からゴム材料モデルを設定するモデル設定工程Ｓ３乃至Ｓ４と、前記ゴム材料モデルに基づいて変形シミュレーションを行う工程Ｓ５とを含み、前記ゴム材料モデルは、充填剤モデルと、前記充填剤モデルを囲むとともにゴムが有限個の要素で分割されたゴムモデルとを含み、該ゴムモデルには、変形速度に応じて発生する応力が異なる変形速度依存性が定義されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高感度検査や高精度計測を行うことが必要な部分領域を、効率的に決定する。
【解決手段】領域決定装置は、試料を検査して得た試料上の欠陥位置あるいは試料上において欠陥が発生する可能性があると予測された欠陥位置を撮像した画像を含む欠陥データの、少なくとも複数種の欠陥属性情報に基づき欠陥の発生度合いを算出する算出部と、発生度合いが所定以上となる欠陥データを抽出し、該抽出された欠陥データから観察または検査を行う試料上の領域を決定する領域決定部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
虚報を多発させることなく、システマティック欠陥を検出する半導体パターン検査装置を提供する。
【解決手段】
検査対象パターンを撮像して得た画像から抽出した特徴量と設計データから生成した設計データ画像から抽出した検査対象パターンを撮像して得た画像に対応する箇所の特徴量と検査対象パターンを撮像して得た画像と設計データ画像とを用いて作成した教示データの情報を用いて虚報と欠陥とを識別するための識別境界を算出し、検査対象パターンの検査領域を撮像して得た画像から検査対象パターンの検査領域の画像特徴量を算出し、検査対象パターンの検査領域に対応する設計データから設計データ画像を作成してこの作成した設計データ画像の特徴量を算出し、算出した検査対象パターンの検査領域の画像特徴量と設計データ画像の特徴量と識別境界とに基づいて検査対象パターンの検査領域内の欠陥を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】実際の実環境において部材に発生した損傷部について、正確且つ簡略に損傷の原因を検査可能な検査方法を提供すること。
【解決手段】部材（１０）に発生した損傷部（１１）を被覆するように樹脂材料（１２）を塗布する保護工程と、前記損傷部（１１）を切り出すサンプリング工程と、前記樹脂材料（１２）が形成された状態で前記損傷部（１１）の分析を行う検査工程とを設ける。また、前記保護工程は、前記サンプリング工程の前に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】複数種の構成材料を含む試料中の特定の構成材料を精度よく識別する識別する方法、および特定の構成材料の成分を分析する分析方法を提供する。
【解決手段】複数種の構成材料を含む試料から、変質する温度が既知である特定の構成材料を識別する方法であって、試料の表面を複数の小区画に区分し、各小区画に放射線を照射して、試料より発生する信号によって、特定の構成材料に含まれる元素の各小区画における濃度を測定する第一測定工程と、特定の構成材料が変質する温度で試料の表面を加熱する加熱工程と、加熱後の試料の各小区画に放射線を照射して、試料より発生する信号によって、元素の各小区画における濃度を測定する第二測定工程と、各小区画における元素について、第一測定工程で測定した濃度と、第二測定工程で測定した濃度とを比較して、濃度の変化率が所定の率である小区画を特定の構成材料であると判定する判定工程とを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】未知の組成/幾何学形状を含む試料での用途に適し、かつ、測定データの自動デコンボリューション及び表面下の像の自動生成を可能にする荷電粒子顕微鏡による可視化法を提供する。
【解決手段】複数(N)の測定期間中に荷電粒子のプローブビームを試料の表面に照射する手順であって、各測定期間は、対応するビームパラメータ(P)の値を有し、値は、ある範囲から選ばれて、かつ異なる測定期間の間で異なる。各測定期間中に試料によって放出される誘導放射線を検出する手順、測定量(M)と各測定期間とを関連付ける手順、各測定期間での測定量(M)の値を記録することで、データ対{P_n,M_n}（1≦n≦N）からなるデータ組(S)をまとめることを可能にする手順を有する。データ組(S)を自動的に処理するのに数学的手法が用いられる。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＭウェーハを自動測長する場合、測長対象の大きさは登録時と異なっていることが多いだけでなく、測長対象のパターンも崩れていることが多い。このため、測長の可否を自動的に判断することが困難である。
【解決手段】半導体検査システムにおいて、(1) 参照画像から算出される距離画像を利用し、検査画像の輪郭線の位置を特定する処理、(2) 特定された距離画像に対する輪郭線の位置に基づいて欠陥大きさ画像を算出し、当該欠陥大きさ画像から欠陥候補を検出する処理、(3-1) 欠陥候補が検出された場合、検出された欠陥候補の大きさを算出する処理、又は(3-2) 第１及び第２の輪郭線の相違部分を欠陥候補として検出する処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】回路設計データを用いた半導体ウェーハ上の欠陥を自動的に検出し、欠陥発生原因の推定を行う半導体欠陥検査装置ならびにその方法を提供する。
【解決手段】回路設計データ１１６０から検査対象回路パターンと比較するために，欠陥発生要因毎に定められた形状変形項目について設計データに変形を加え，複数の形状を作成する（１１９２）。作成された形状群３０２と実パターンの比較により欠陥を検出する。また、それらの欠陥の発生原因を推定し，原因別に欠陥を分類する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、試料に関する情報をより迅速に取得する方法及び装置を供することである。
【解決手段】 様々な種類の情報を取得する複数の検出器からの情報が結合されることで、試料の1つ以上の特性が、単一の種類の検出器からの単一の種類の情報を用いるよりも効率的に決定される。一部の実施例では、情報は様々な検出器から同時に収集される。それによりデータ取得時間が顕著に減少しうる。一部の実施例では、試料上の各異なる点からの情報は、第1型の検出器からの情報に基づいてまとめられ、かつ、これらの点に関連する第2型の検出器からの情報が結合される。それにより、前記第1型の検出器によって決定された共通の組成を有する領域の1つのスペクトルが前記第2型の検出器から生成される。一部の実施例では、データ収集は適合可能である。つまりデータは、所望の特性を所望の信頼性で決定されるのに十分なデータが収集されたか否かを判断するため、収集中に解析される。 （もっと読む）