【課題】 外場遮断後も試料状態が変化するため、外場遮断後に試料中のイオンの分布状態が短時間で変化する試料に適用することは困難であった。
【解決手段】 イオン化する物質を有する高分子材料の被測定部に厚みが１０ｎｍ以下の金属膜を形成することで、前記イオンの運動を抑制した状態で、表面分析装置を用いて前記被測定部を測定する。 （もっと読む）

【課題】鉄鋼材料の粒界偏析や粒界析出物をオージェ分析するための粒界破面露出技術に関して、真空中で高温引張破断する際に、破断後のSの表面偏析を抑制して正確な粒界偏析解析を可能とする技術を提供することを目的とする。
【解決手段】オージェ分析法による鉄鋼材料の粒界偏析、及び、粒界析出物を分析する際の粒界破断試料の作製方法であって、前記鉄鋼材料を真空中で 500〜1000℃ に加熱して引張破断し、破断後の試料を冷却速度１００〜５００℃/sで冷却することを特徴とする粒界破断試料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れるマグネシウム合金およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】マグネシウム合金の表面を、ショット角３０°以下でショットブラスト処理することで、マグネシウム合金の表面から可固溶元素が除去され、耐食性が向上する。この方法で製造したマグネシウム合金の表面には、Ｍｇ結晶粒を含む改質部と、改質部以外の部分であり改質部を構成するＭｇ結晶粒よりも粒径の大きなＭｇを主成分とするＭｇ相と少なくとも１種の可固溶元素を含む共晶相とを有する非改質部と、が形成され、改質部における可固溶元素／Ｍｇの値は、非改質部における可固溶元素／Ｍｇの値を１としたときに０．５以下となる。 （もっと読む）

【課題】基板上の単層もしくは多層構造体における１以上の層の厚さを決定するために、光電子分光法を使用する。
【解決手段】この厚さは、光子が衝突したときに当該構造体により放出される二つの光電子種、または他の原子特異的な特徴的電子種の強度を測定することによって決定されてよい。層の厚さに依存する予測強度関数が、各光電子種について決定される。二つの予測強度関数の比が定式化され、構造体の層の厚さを決定するために、この比が反復される。一実施形態に従えば、当該層の厚さを決定するために、一つの層からの二つの光電子種が測定されてよい。もう一つの実施形態に従えば、層の厚さを決定するために、異なる層または基板からの二つの光電子種が測定されてよい。 （もっと読む）

【課題】試料表面に１０ｎｍ以下の寸法のスポットサイズを有するイオンビームを発生することが可能な電界イオン源を有するシステムを提供する。
【解決手段】電子ビームを提供することが可能な走査電子顕微鏡と、気体と相互作用してイオンビームを発生させることが可能な気体電界イオン源と集束イオンビーム機器とを具えるシステムであって、走査電子顕微鏡と気体電界イオン源が、使用時に電子ビーム及びイオンビームを用いて試料を調査できるように位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】板状試料の大きさ、形状に関わらず、試料底面を試料台に接触させずに簡便に安定した状態で保持できる保持具を提供する。
【解決手段】板状上部保持部材２と板状下部保持部材３と両保持部材の間に試料を挟んだ状態で両保持部材を固定する固定手段（４、５、５a、５ｂ）とを備え、前記固定手段を、前記両保持部材の板中心から離れる位置に設ける構造とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はオージェ像収集方法及び装置に関し、Ｓ／Ｎ比のよいオージェ像を得ることを目的としている。
【解決手段】試料３に電子ビームを照射し、該試料３の表面から放出される二次的電子を分光器４によりエネルギー分光し、該分光した各エネルギーの二次的電子を検出器４ｂによりカウントするようにしたオージェ電子分光装置であって、前記検出器４ｂを複数用意し、前記異なるエネルギーの電子を同時にカウントするようにしたオージェ電子分光装置において、前記複数の検出器４ｂによりカウントされたデータに基づいて、エネルギー値毎に各検出器（チャネル）のカウント数のテーブルを作成し、該テーブルを用いてピークのチャネルとバックグラウンドのチャネルの組み合わせと、各組み合わせのＳ／Ｎ比を求め、最もＳ／Ｎ比が高い組み合わせを選択してピーク強度を算出するように構成する。 （もっと読む）

【課題】カソードルミネッセンスを用いた半導体基板中の結晶欠陥の評価において、半導体基板表面のクリーニングをせずに高精度に結晶欠陥を評価することを可能にする。
【解決手段】欠陥検査装置１００は、半導体基板２を支持するステージ３と、電子線照射部７と、ＣＬ検出器１４と、Ｘ線検出器１９と、データ処理部２２とを備える。電子線照射部７は、半導体基板２に電子線を照射する。ＣＬ検出器１４は、半導体基板２の検査箇所に電子線が照射されることによって検査箇所の結晶欠陥から発生したカソードルミネッセンス光を検出する。Ｘ線検出器１９は、検査箇所に電子線が照射されることによって検査箇所の表面に付着する有機化合物から発生した炭素の特性Ｘ線を検出する。データ処理部２２は、検出された炭素の特性Ｘ線の強度に基づいて、検出されたカソードルミネセンス光の有機化合物による減衰を補正する。 （もっと読む）

【課題】多様な試料を扱う二次イオン質量分析においても、装置周囲に付着した不純物の影響を排除し、精度のよい分析を行うことができる二次イオン質量分析方法を提供する。
【解決手段】電子線、放射線及び一次イオンから選ばれる１種以上を固体試料に照射し、該固体試料から発生する、電子、放射線及び二次イオンから選ばれる１種以上を検出して固体試料の分析を行う分析装置に用いられる試料ホルダーにおいて、封入された相変化材料が装着されている。 （もっと読む）

【課題】測定値からノイズの影響を除去する。
【解決手段】測定対象物上に複数の測定点Ｐ₁〜Ｐ_Nを設定し、測定点Ｐ₁〜Ｐ_Nの並ぶ方向に沿って振動させながら測定ビームを照射する。測定ビームの振幅Ｗの範囲にＭ個の測定点Ｐ₄〜Ｐ₈が含まれているとすると、Ｍ個の測定点Ｐ₄〜Ｐ₈から得られる２Ｍ個の測定値ｆ₁〜ｆ_2Mから、下記(７ａ）（７ｂ)式、


に従って、フーリエ係数ｂ₁(振幅が測定ビーム径の１／２の場合)、又はｂ₂(振幅が測定ビーム径と等しい場合)を求め各測定点のフーリエ係数ｂ₁又はｂ₂の推移を求め、微小領域の分析を行なう。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜したＩＩＩ族窒化物結晶基板１。 （もっと読む）

【課題】極めて短時間に且つ簡単に試料分析を行う。
【解決手段】 電子ビーム照射により試料４表面から発生し、Ｘ線分光器７のＸ線検出器に検出された特性Ｘ線信号に基づくスペクトルを表示装置１７の表示画面上に表示させる様に成してあり、過去の分析に使用した分析条件に関するデータとその分析条件下で検出された信号に基づいて作成された分析データとを関連付けて記憶する記憶手段１６、分析データに関係するパラメータの数値範囲を選択可能に表示手段１７に表示させるパラメータ表示指令部９Ｐ、表示されたパラメータから分析データに関係するパラメータの数値範囲を指定する指定手段１８、及び、指定されたパラメータの数値範囲が含まれる分析データに関係づけられた分析条件データを記憶手段１６に記憶されたデータから抽出し、表示手段１７に表示させる分析条件抽出手段２１を備えている。 （もっと読む）

【課題】材料の二次電子放出特性についての正確な評価を容易に行うことが可能な評価方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気中に設置された材料にイオンビームを照射した際に発生する二次電子スペクトルを用いた材料の評価方法であって、被測定試料および基準試料のそれぞれにイオンビームを照射することにより放出される二次電子を測定することにより得られた各電子スペクトルに基づき、電子スペクトルの各々を所定の二次電子エネルギーの範囲で積分して、被測定試料積分強度および基準試料積分強度を測定する積分強度測定工程と、被測定試料積分強度の基準試料積分強度に対する相対比を求める積分強度相対比算出工程と、相対比により被測定試料における二次電子放出性能を評価する評価工程とを有している材料の評価方法。 （もっと読む）

【課題】試料にイオンビームを照射した際に生じる二次電子の総量のみならず、二次電子の詳細なエネルギー情報をも正確に得て、電子スペクトルとして検出することができ、試料の二次電子放出特性を正確に把握することが可能となる電子スペクトルの測定方法および測定装置を提供する。
【解決手段】被測定試料の表面状態を実質的に変化させないイオンビーム照射条件を選定する照射条件選定工程と、照射条件選定工程で選定されたイオンビーム照射条件に基づいて被測定試料にイオンビームを照射する照射工程と、イオンビームの照射により被測定試料から放出された二次電子スペクトルを、イオンビームの照射軸と異なる方向に設置された同軸円筒鏡型エネルギー分析器を用いて測定する測定工程とを有している電子スペクトルの測定方法およびそれに用いる測定装置。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線イメージングにおける解像度を改善する技術を提供すること。
【解決手段】Ｘ線撮像装置１は、スピン固定層１１と、非磁性中間層１２と、スピンフリー層１３とが積層されたスピン注入磁化反転素子６を画素として備え、２次元アレイ上に設けられた複数の画素と、上部電極９と、下部電極８とを有して、スピンフリー層１３側から単色円偏光Ｘ線ビームを受光する受光画素部２と、磁化反転させるスピン注入磁化反転素子６を選択すると共に、受光画素部２の受光面に亘って画素を走査する画素選択手段と、上部電極９および下部電極８を介してスピン注入磁化反転素子６に流れる電流の方向とその大きさを制御して、スピンフリー層１３にスピン注入することで、スピンフリー層１３の磁化方向を反転させる磁化反転電流注入手段と、選択されたスピン注入磁化反転素子６がＸ線を吸収することによって発生する電流の値を検出する信号電流検出処理部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料に導電膜を形成することなく試料の帯電を抑制して、適性に試料の観察や分析を行うことができる試料の分析方法を提供する。
【解決手段】放射線の照射に伴って試料から発せられる電子を分析する試料の分析方法である。試料に中性原子線又はイオン線を照射する過程と、中性原子線又はイオン線の照射後に、試料に対して放射線を照射し、試料からの電子を分析する過程とを含む。この分析方法によれば、導電膜を試料の観察面にコーティングしなくても、試料の帯電に伴う異常な分析結果の発生を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜に機械的な力を加えずに、密度（硬さ）等の薄膜の物性に関する測定を精度良く行なえるようにする。
【解決手段】薄膜３１に原子を打ち込み、前記薄膜３１に打ち込まれた原子に由来する信号を測定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は電子検出器に関し、任意のエネルギーをもつ信号電子を選択的に弁別し検出することを目的とする装置である。任意のエネルギーをもつ信号電子を弁別し選択することで、そのエネルギー特有の情報を反映した像を得ることができる。
【解決手段】
信号検出器として、信号電子の入射位置の特定できる検出器を用いる。荷電粒子線の照射位置ごとに、信号電子が信号検出器に入射する入射位置の分布を取得する。入射位置の分布は、信号電子のエネルギー分布に対応する。信号電子のエネルギー分布像を取得しているので、画像処理等により考慮すべき信号電子のエネルギーを任意に変えることができる。信号電子のエネルギー領域により得られる情報が異なることから、エネルギー領域を任意に選択することで、試料の様々な特性情報を取得することができる。 （もっと読む）

【課題】試料表面を短時間で走査し且つ試料表面に付着した粒子を高分解能で検出することができる走査型粒子検出装置を提供する。
【解決手段】導体部を有する探針８にて試料Ｓ表面を走査し、試料Ｓ表面に付着した粒子Ｐが存在する検査対象領域を検出する走査型粒子検出装置において、検査対象領域を検出した場合、試料Ｓ表面から離隔する方向へ探針８を移動させる探針駆動機構６と、探針８を試料Ｓ表面から離隔させた状態で、探針８から電子を放出させる引き出し電極１１及び加速電極１２と、探針８から放出された電子を検査対象領域の面積よりも小さい断面積を有する電子ビームに集束させ、該電子ビームを検査対象領域に照射させるコンデンサレンズコイル１３及び対物レンズコイル１４と、電子ビームの照射によって検査対象領域から放出された二次電子を検出する二次電子検出部１５と、二次電子の検出結果に基づいてＳＥＭ画像を生成する制御部１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】微量の元素の分析を効率よく行う。
【解決手段】Ｘ線検出器１１〜１Ｎの出力パルスは、それぞれパルス時刻検出回路（時刻検出部）２１〜２Ｎに入力される。パルス時刻検出回路２１〜２Ｎは共通のクロックで動作し、それぞれＸ線検出器１１〜１Ｎの出力パルスが入力された到着時刻をそれぞれ認識する（出力Ａ_１〜Ａ_Ｎ）。Ｎ個のＸ線検出器１１〜１Ｎからの独立した出力パルスにおいて、ほぼ同時、すなわち、到着（出力）時刻の時間差が予め設定されたある一定の短い間隔（例えば１００ｎｓ）内である２つの出力パルスが出力パルス組として取り出される。この出力パルス組の抽出は、ＯＲ回路、時間差判定回路、抽出回路からなるパルス組抽出部でなされる。 （もっと読む）