【課題】ガスの除湿および原子炉格納容器の外部へのサンプリングを必要としない水分濃度測定装置及びその測定方法を提供する。
【解決手段】実施形態の水分濃度測定装置３０では、原子炉格納容器７０内の陽電子源１から放出された陽電子と雰囲気に含まれる水分子とにより衝突して生ずる対消滅により発生するγ線を複数のγ線検出器３が検出する。原子炉格納容器７０外の同時計数回路５が複数のγ線検出器３により検出されたγ線を時系列的に計測して対消滅により発生した対となる２個のγ線を検出したγ線検出器の位置を特定する。第１の信号処理ユニット６ａが特定されたγ線検出器の位置から陽電子の飛程を算出して水分子の濃度と陽電子の飛程との相関関係に基づいて水分子の濃度を求める。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定装置において、高精度で回折環を検出できるようにする。
【解決手段】コントローラＣＴは、測定対象物にて回折したＸ線による回折環を記録した回折光受光器２８にレーザ光を照射して回折環を測定する。コントローラＣＴは、レーザ光が照射されている位置の半径値が増加するに従って大きくなる回折Ｘ線の減衰量の変化を補正するように、半径値を用いてレーザ光強度を計算して、計算したレーザ光強度のレーザ光を回折光受光器２８に照射する。また、コントローラＣＴは、前記半径値が増加するに従って大きくなる測定対象物にＸ線を照射した際の回折Ｘ線が受光される面積の変化を補正するように、前記半径値を用いてフォーカス制御値を計算して、前記計算したフォーカス制御値に応じて対物レンズによるフォーカス位置を制御して、回折光受光器２８に形成されるレーザ光のスポット径を制御する。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線回折測定装置において、誤ったイメージングプレートの使用を避ける。
【解決手段】 コントローラＣＴは、測定対象物にて回折したＸ線による回折環をイメージングプレート２８に記録して、回折環を記録したイメージングプレート２８にレーザ光を照射して回折環を測定する。新たなイメージングプレート２８には、製造日を含む識別データがＸ線により記録されており、新たなイメージングプレート２８への交換後には、識別データが読取られ、その後、識別データがイメージングプレート２８から消去される。これにより、新たなイメージングプレート２８への交換後に識別コードが読取れなかった場合には、コントローラＣＴは、使い古しのイメージングプレート２８がセットされたと判定する。また、コントローラＣＴは、製造日を用いて使用期限の切れたイメージングプレート２８のセットも判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコン（Ｓｉ）基板を用い電鋳法で格子の金属部分をより緻密に形成し得る金属格子の製造方法および前記金属格子ならびにこれを用いたＸ線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の金属格子ＤＧは、第１Ｓｉ部分１１とこの上に形成され第２Ｓｉ部分１２ａおよび金属部分１２ｂを交互に平行に配設した格子１２とを備え、第２Ｓｉ部分１２ａは、金属部分１２ｂとの間に第１絶縁層１２ｃを有し、その頂部に第２絶縁層１２ｄを有する。金属格子ＤＧは、シリコン基板上にレジスト層を形成し、これをリソグラフィー法でパターニングして除去し、ドライエッチング法で除去部分を所定の深さＨまでエッチングして凹部（例えばスリット溝等）を形成し、この凹部の形成面側の全面に堆積法によって絶縁層を形成し、凹部の底部の絶縁層を除し、電鋳法で凹部を金属で埋めることで製造される。 （もっと読む）

【課題】 被測定体（被測定物質）から試験片を切り出さなくても精度よく陽電子の消滅特性を測定する。
【解決手段】 陽電子消滅特性測定装置１０は、陽電子線源と、陽電子線源で生成された陽電子が消滅するときに発生する放射線を検出する放射線検出手段１４と、陽電子線源で生成された陽電子のうち被測定体に入射されなかった陽電子を検出する陽電子検出手段４０を有している。陽電子線源は、被測定体Ｓと陽電子検出手段とに挟まれた状態で配置されている。消滅特性算出手段５０は、放射線検出手段１４で検出される放射線のうち、陽電子検出手段４０で検出された陽電子が消滅したときに発生したと推定される放射線を除いて、被測定体Ｓ内における陽電子の消滅特性を算出する。 （もっと読む）

【課題】隣接する小グリッドのグリッド部の間隔が、Ｘ線画像検出器の１画素のサイズ以下となるように、複数枚の小グリッドを配列する。
【解決手段】第２のグリッド１４は、小グリッド２１、２２により構成されている。小グリッド２１、２２は、グリッドとして機能するグリッド部２１ａ、２２ａと、グリッド部２１ａ、２２ａの外周に設けられグリッドとして機能しない非グリッド部２１ｂ、２２ｂとを有している。小グリッド２１、２２は、一方のグリッド部及び非グリッド部と他方の非グリッド部及びグリッド部とが互いに重なり合い、ｚ方向から見たときにそれぞれのグリッド部と非グリッド部との境界が一致し、かつ２つのグリッド部２１ａ，２２ａが連続して１枚の大きなグリッド部を構成するように接合されている。 （もっと読む）

【課題】非破壊かつ高空間分解能で、試料の表面付近に存在する軽元素の面内分布を測定する。
【解決手段】試料１０にイオンビーム１３を間欠的に入射させ、試料から放出されるイオン・粒子をその入射に同期して検出１４する、すなわち飛行時間分析することによって、試料表面に存在する軽元素（特に水素、リチウム）の分析を行う。また、試料表面の各点での分析結果をマッピングすることで、試料表面における注目元素の空間分布を可視化して表示することができる。 （もっと読む）

【課題】窓フーリエ変換法を用いた解析において、解像度の更なる向上を図ることが可能となる位相情報の解析方法等を提供する。
【解決手段】光あるいはＸ線を含む波長の波の干渉によるモアレ像の周期的パターンを解析し、位相波面を含む位相情報を取得する位相情報の解析方法であって、
前記モアレ像の周期的なパターンの少なくとも一部を、窓関数によって窓フーリエ変換する工程と、
前記窓フーリエ変換されたモアレ像における、位相情報を担うスペクトルの情報と、前記位相情報を担うスペクトルの情報に重畳している位相情報を担っていないスペクトルの情報とを解析的に計算する工程と、
前記位相情報を担っていないスペクトルの情報を、前記位相情報を担うスペクトルの情報から分離し、前記位相波面を含む位相情報を取得する工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Ｓｉ基板に第１の絶縁膜を形成する第１工程と、第１の絶縁膜の一部を除去してＳｉ表面を露出する第２工程と、露出されたＳｉ表面からＳｉ基板をエッチングして凹部を形成する第３工程と、凹部の側壁及び底部に第２の絶縁膜を形成する第４工程と、凹部の底部に形成された第２の絶縁膜の少なくとも一部を除去してＳｉの露出面を形成する第５工程と、Ｓｉの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第６工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】取得画像に対する散乱Ｘ線の影響を軽減することが可能となるＸ線撮像装置およびＸ線撮像方法の提供を目的とする。
【解決手段】X線を空間的に分割する分割素子１０３と、分割後被検知物１０４を透過したX線の強度を検出する検出手段１０５と、分割素子・被検知物・検出手段のいずれかを移動させる移動手段１０６〜１０８と、Ｘ線の走査速度と検出手段の画像取得速度とを同期させる露光制御手段１０９とを用いて、被検知物の微分位相像または位相像を演算するＸ線撮像装置。 （もっと読む）

【課題】試料の内部構造を破壊することなく分析する。
【解決手段】干渉性Ｘ線が発せられるＸ線源と、前記Ｘ線源からのＸ線をコリメートするＸ線コリメータと、Ｘ線を吸収又は反射する材料により形成されており、前記Ｘ線の可干渉となる位置に設けられた参照穴及びＸ線透過窓とを有し、前記コリメートされたＸ線が照射されるＸ線吸収部と、前記Ｘ線透過窓を透過したＸ線が照射される位置に設置される試料と、前記試料により生じる散乱Ｘ線と、前記参照穴を通過したＸ線との干渉により生じたホログラムを検出する検出器と、前記検出器により得られた前記ホログラムに基づき前記試料の内部構造のイメージ画像を得るためフーリエ変換を行う処理部と、を有し、前記試料は、前記Ｘ線吸収部に対し相対的に移動させることができるものであることを特徴とするＸ線分析装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】窒素濃度の高精度な分析を可能にする金属材料の窒素濃度分析方法および窒素濃度分析装置を提供する。
【解決手段】窒素濃度分析装置１０は、収容室１１、一次イオン照射装置１２、中和電子照射装置１３、連通管１４、飛行室１５および二次イオン検出装置１６を有する。収容室１１には、金属試料１７が収容される。金属試料１７の表面には、炭素系物質が付着している。一次イオン照射装置１２から金属試料１７の表面に向けてパルス状の一次イオンが照射される。これにより、金属試料１７からシアン化物イオンが放出される。金属試料１７から放出されたシアン化物イオンは、二次イオン検出装置１６において二次イオンとして検出される。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線管の内部に電磁漏洩のない小型高圧電源を設置することによって電子ビームの照射位置に影響を与えることなく安定したＸ線発生位置を実現したＸ線発生装置を提供することにある。
【解決手段】入力される交流あるいは直流の電力を１０−２００ｋＨｚの高周波交流電力に変換する駆動回路と該変換された前記高周波交流電力を熱発生や電磁放射ノイズを抑制して昇圧する並列に設けられた複数の圧電昇圧トランスと該各々昇圧された交流電力を整流して３０−１００ｋＶの高電圧を得てＸ線管に負荷する複数の電圧昇圧用整流回路とを有する小型高圧電源を前記Ｘ線管の内部に設置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線タルボ干渉計に用いる高アスペクト比のＸ線回折格子を安定的に供給可能な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＣＰ装置において、シリコンからなる基板７に対し、ＳＦ₆ガスを導入して反応性イオンエッチングにより凹部を形成する。次に、Ｃ₄Ｆ₈ガスの導入により、凹部の底面及び側壁面にポリマー膜を保護膜９として堆積する。このエッチング工程と保護膜堆積工程を交互に反復することで、溝１６を形成する。次に、ＩＣＰ装置において酸素ガスを導入することにより、溝１６の底面及び側壁面にＳｉＯ₂膜を電気絶縁膜１２として形成する。更にＳＦ₆ガスを導入して、反応性イオンエッチングにより、溝１６の底面の電気絶縁膜１２を除去し、基板７のシリコンを露出させる。次に、この露出したシリコン表面をシード層１３として電気メッキを行い、Ｘ線吸収金属部を析出させる。 （もっと読む）

【課題】物質の構造因子テンソルの決定に必要なＸ線領域の偏光解析の方法は既に提案されているが、構造因子テンソルの迅速決定および測定感度向上のために、偏光解析結晶を用いる場合には、種々の問題を解決しなければならない。
【解決手段】試料からの散乱Ｘ線強度の入射偏光依存性を測定・解析することで、偏光解析結晶を使用することなく構造因子テンソルを決定する方法。 （もっと読む）

本発明はイオンビーム顕微鏡を用いた試料検査に関するものである。幾つかの実施形態では、本発明は、各検出器は試料についての異なる情報を提供する複数の検出器を用いるものである。
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【課題】コヒーレントＸ線を用いた散乱測定において、測定部位を実デバイスと同様の条件で作製できるＸ線評価用試料及びその作製方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１に対し、実デバイス形成時と同様の工程を実施する。その後、シリコン基板１１を切断して、測定部位１３を含む所望の大きさの試料２０を切り出す。次に、試料２０の裏面側を研磨してＸ線が透過する厚さにした後、試料２０の裏面にＡｕ等の金属からなるＸ線吸収膜２３を形成する。次いで、測定部位１３の近傍に、試料２０を貫通する参照光用穴２４を形成する。また、Ｘ線吸収膜２３をパターニングして、測定部位１３の裏面側に物体光用開口部２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜結晶についても容易に表面形状や結晶性を評価可能な技術を提供する。
【解決手段】Ｘ線波面センサは、入射されるＸ線を複数の光束に分割する波面分割素子と、各光束を試料の異なる領域に照射し、それぞれの反射光を干渉させて検出する計測器とを備える。例えば、Ｘ線発生装置１０から入射されるＸ線をＸ線プリズム１２によって波面分割し、一方の光束はそのまま試料１４に当て反射光を検出器１６で検出する。もう一方の光束は、Ｘ線プリズム１５によって偏向して試料１４に当て反射光を検出器１６で検出する。検出器１６に現れる干渉縞の向きや間隔から、試料結晶１４の表面形状や結晶性の評価が可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料の元素分析機構を、試料を観察する顕微鏡機構に搭載してなる複合的な元素分析装置において、試料を顕微鏡機構及び元素分析機構の双方に最適な位置及び角度に容易且つ性格に調整し、顕微鏡像と元素分析機構の３次元情報とを正確に対応させて、３次元再構築時のスケールや検出効率の不足を容易に補正し、高精度な元素分析を行う。
【解決手段】試料１１が設置される試料ホルダ３１にＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向への各平行移動と、Ｘ軸回り及びＹ軸回りの各回転移動とを行う機能（第１の移動部３５）を付加することに加えて、試料１１から離脱した元素を検出する位置敏感型検出器３に、電子顕微鏡機構における光軸と一致するＺ軸回りの回転移動を行う機能（第２の移動部２６）を付加する。 （もっと読む）

【課題】効率的に高解像度で長尺状の被検査物をＸ線検査する。
【解決手段】被検査物であるテープ２２を一定速度で搬送しながらＸ線を透過させ、透過したＸ線を、外周面に輝尽性蛍光体を備えた回転する回転ドラム６０に照射する。Ｘ線の照射位置よりも回転方向下流側で励起光Ｌａを走査照射し、輝尽性蛍光体から発する輝尽発光光Ｌｂをフォトマルチプライヤー７８で受け、２次元のＸ線画像を得る。励起光Ｌａを走査照射した位置よりも回転方向下流側では、消去光を照射して残像を消去する。残像の消去された輝尽性蛍光体は、回転ドラム６０の回転により再び、Ｘ線照射位置に戻るので、長尺状のテープ２２を順次Ｘ線検査することができる。 （もっと読む）