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Fターム[2G001FA01]の内容

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【課題】パターン領域を精密かつ動的に分けて、領域毎に欠陥検査方式や感度を切り替えることによって、パターン領域毎に最適な感度での欠陥検出を可能とする。
【解決手段】半導体ウェハの検査画像から画像特徴量を算出し、パターン領域分割を行い,予めパターン領域毎に設定した検査方式及び感度(欠陥検出閾値)を切り替えて欠陥検出を行う。また、上記パターン領域の判定に必要なパラメータやパターン領域毎に対応する欠陥検査方式及び感度を予め設定するレシピ設定GUIを設ける。 (もっと読む)


【課題】スラグに含有される制限成分が許容値を超える高濃度スラグと、許容値以下である低濃度スラグとに、スラグを正確に分別することができるスラグ分別方法を提供する。
【解決手段】制限成分をスラグ中に投入して処理した後、同一の制限成分を投入しない次のチャージについてスラグを採取し、その採取したスラグの少なくとも95%以上が球換算直径で50μm以下となるようにスラグを粉砕し、圧力30t/cm以上で且つ20秒以上プレスすることにより、厚さが2〜4mmで分析面の凹凸が0.05mm以下の試料を成形し、上記分析面に対し、電圧30kV〜40kV、電流50〜70mAのX線を照射して制限成分含有量を分析し、分析によって得られた制限成分含有量Iと予め設定された制限成分許容値Pとを比較し、I>Pの場合は制限成分高濃度含有スラグとして、また、P≧Iの場合は制限成分低濃度含有スラグとして分別することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】有機膜からなり、パターンの形成されたフォトレジストマスクと、有機成分からなる反射防止膜と、金属化合物膜と、が上側からこの順番で積層された基板に対して、電子線を照射することによって、当該パターン上への有機成分からなる残渣の付着の有無を検査するにあたり、容易に残渣の付着を判別する技術を提供する。
【解決手段】残渣が付着した領域では、電子線の到達深さが金属化合物膜の上面よりも浅い位置となり、また残渣が付着していない領域では、電子線の到達深さが反射防止膜の下面よりも深い位置となるように、電子線の加速電圧を算出し、その加速電圧で電子線を基板に照射し、この基板から放出された2次電子像を得る。 (もっと読む)


本発明は、動く物体のパラメータを決定するための装置に関し、当該装置は、物体の適応モデルを提供するための適応モデル提供ユニット12を有する。ユーザは、ユーザインタフェース13によって適応モデルの領域を定義することができる。当該装置はさらに、動く物体の空間的及び時間的に依存する画像データセットを提供するための画像データセット提供ユニット14、並びに、定義された領域の空間的及び時間的依存性を決定するために、適応モデルの少なくとも定義された領域を空間的及び時間的に依存する画像データセットに適応させるための適応ユニット15を有する。動く物体のパラメータは、パラメータ決定ユニット16によって、定義された領域の空間的及び時間的依存性に応じて決定される。
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【課題】
外乱等の影響に依らず、焦点等の調整が行われた高画質画像に基づく測定が可能な試料
の検査,測定方法を提供すること。
【解決手段】
焦点調整が行われた電子ビームを走査して、前記パターンを測定するための画像、或いは測定のための位置合わせを行うための画像を形成し、当該画像の評価値と、予め取得された参照画像の画像評価値を比較し、当該参照画像との比較によって、前記形成された画像が所定の条件を満たさないと判断される場合に、前記電子ビームの焦点調整を再度実行する方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】簡単な操作によって被検査物に対するX線の照射角度を変更して容易にその照射角度を最適化し、さらに、装置サイズをコンパクトに維持する。
【解決手段】搬送面上の被検査物Wを所定の搬送方向Yに搬送する搬送手段5と、搬送面上を搬送される被検査物Wに向けてX線を照射するX線発生器18と、搬送面を挟んでX線発生器18と対向配置され、被検査物Wを透過してくるX線をX線検出面に受けるX線検出器19と、を備えるX線異物検出装置1において、搬送手段5が、搬送面を形成する搬送コンベア6を備えるとともに搬送面のX線検出面に対する角度が変更自在となるように傾斜可能に設けられ、且つ傾斜時に被検査物Wの側面を支持しながら被検査物Wの搬送をガイドするガイドコンベア12を備える。 (もっと読む)


【課題】
半導体装置等をはじめとする回路パターンを有する基板面に白色光、レーザ光、電子線を照射して検査し、検出された表面の凹凸や形状不良、異物、さらに電気的餡欠陥等を短時間に高精度に同一の装置で観察・検査し、区別する検査装置および検査方法を提供する。また、被観察位置への移動、画像取得、分類を自動的にできるようにする。
【解決手段】
他の検査装置で検査され、検出された欠陥の位置情報をもとに、試料上の被観察位置を特定し、電子線を照射し画像を形成する際に、観察すべき欠陥の種類に応じて電子ビーム照射条件および検出器、検出条件等を指定することにより、電位コントラストで観察可能な電気的欠陥が可能になる。取得した画像は、画像処理部で自動的に分類され、結果を欠陥ファイルに追加して出力される。 (もっと読む)


【課題】 冷却部材を透過するX線の透過距離の差により生じる,X線画像の明暗のコントラストを小さくし,ボイドの有無を識別できるようにしたボイド検査方法を提供すること。
【解決手段】 冷却部材50に半導体素子60を半田接合した検査対象物を検査するときに,検査対象物の板面に垂直な方向12とX線10の照射方向11とが撮像角θをなすように傾斜させて,検査対象物にX線10を入射する。これにより,冷却部材50のリブ部におけるX線10の透過距離が短くなる。このため,半田接合部70におけるボイド80の有無が判別できる。 (もっと読む)


【課題】 ビニング処理を実行するか否かの選択等によって、画像データの画素数を切り替えても、所望の画像処理を実行し続けることができるX線検査装置を提供する。
【解決手段】 標準画像データを作成する標準画像データ作成部31と、複数個のブロック画素からなる画像を示すビニング画像データを作成するビニング処理制御部32と、標準画像データかビニング画像データのいずれを作成させるかを決定する画像データ決定部35と、コンボリューションフィルタを用いて所望の画像処理を実行するコンボリューションフィルタリング処理制御部36とを備えるX線検査装置1であって、コンボリューションフィルタリング処理制御部36は、画像データ決定部35で標準画像データを作成させると決定されるに伴い、標準画像データ用コンボリューションフィルタに切り替え、一方、ビニング画像データを作成させると決定されるに伴い、ビニング画像データ用コンボリューションフィルタに切り替えることを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】本発明は、パターンを転写するモールド上に作成されたパターンを検査するモールド検査方法およびモールド検査装置に関し、微細寸法のモールド(押し型)上のパターンの検査をする新たな方法を提供し、しかも、極めて短時間に微細寸法のモールド上のパターンを検査することを目的とする。
【構成】モールド上に作成されたパターンに対応する部分とそれ以外の部分との電子放出を異ならせて予め作成した転写板に、励起源を照射して励起させ、転写板上から放出された電子を、電圧により引き出して拡大画像を生成するステップと、生成された拡大画像をもとにモールド上に作成されたパターンを検査するステップとを有するモールド検査方法である。 (もっと読む)


【課題】複数のX線照射装置を備えるX線検査装置であって、X線照射に使用される電力量を抑えることができるX線検査装置を提供する。
【解決手段】搬送されてくる検査対象物1をX線により検査するX線検査装置であって、検査対象物1の搬送方向に沿って順に配置され、搬送されてくる検査対象物にX線を照射する複数のX線照射装置5a,5b,5c,5d,5e,5fと、該複数のX線照射装置から照射され検査対象物1を透過してきたX線をそれぞれ検出する複数のX線検出装置7a,7b,7c,7d,7e,7fと、検査対象物1が搬送方向下流側に搬送されて来るに従って、複数のX線照射装置を搬送方向上流側から順に作動させて各X線照射装置にX線照射を行わせる制御装置9と、を備える。 (もっと読む)


【課題】二次イオン質量分析法において、二次イオン強度の変化を簡便に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】一次イオンの試料表面への照射中に、試料電流値の変化に応じて、一次イオンの入射方向に対する試料ステージの角度を変更することにより、一次イオンの試料表面への入射角度を補正する。 (もっと読む)


【課題】試料のセット時に生じる試料表面の傾斜を補正する方法を提供すること。
【解決手段】斜出射電子線プローブマイクロX線分析方法は、試料ステージに載置された試料に電子線を照射し、試料内部から発せられる特性X線が試料表面での全反射現象により検出されない角度以下に試料ステージを傾斜させて特性X線の取出角度を設定することにより試料の表層から発せられる特性X線のみをX線検出器で選択的に検出する斜出射電子線プローブマイクロX線分析方法において、所定の基準面に対する試料表面の傾斜角度を求める工程と、求められた傾斜角度が相殺されるように試料ステージを傾斜させて特性X線の取出角度を設定する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、半導体パターンやコンタクトホールの変形や側壁の傾斜のできばえを判定することができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成された回路パターンの画像をあらかじめ設定された条件で撮像する撮像手段、該撮像手段で撮像された画像と予め記憶された基準画像とを比較して撮像された画像の特徴量を算出する算出手段,該算出手段で算出された特徴量に基づいて、半導体ウェーハのできばえ評価を実行するコンピュータを備え、特徴量の算出は、2次電子画像,反射電子画像に関して独立に行われる。 (もっと読む)


【課題】両眼立体視・マルチエネルギー透過画像を用いて材料を識別する方法を提供する。
【解決手段】両眼立体視・マルチエネルギー透過画像を用いて、放射線方向に重なっている物体に対して、その中で放射線吸収の主要成分である障害物を剥離し、本来放射線吸収の副次成分であるため明らかでなかった物体を明らかになるようにし、その材料属性(例えば有機物、混合物、金属等)が識別できる。本発明の方法によれば、放射線方向における非主要成分に対して材料識別ができ、これはコンテナに遮られている爆発物、麻薬等その他の有害物を自動識別することの基礎となる。 (もっと読む)


【解決手段】プリアンプ信号のエッジを検出する方法は、プリアンプ信号の第1部分を特定する工程であって、第1部分の各部が第1極性を有する瞬間の傾きを有する工程と、第1部分の直後に続く第2部分を特定する工程であって、第2部分の各部が逆の第2極性を有する瞬間の傾きを有する工程と、、第2部分の直後に続く第3部分を特定する工程であって、第3部分の各部が第1極性を有する瞬間の傾きを有する工程とを含む。その方法は、更に、第2部分の終点と始点の強度の間の第1差を特定する工程と、第3部分の終点の強度と第1部分の始点の強度の間の第2差を特定する工程と、(i)第1差が閾値を超え(ii)第2差が閾値のある割合を超えるとき、エッジを検出する。 (もっと読む)


【課題】SEM画質のよしあしをリアルタイムで判断することができる検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置により撮像された複数枚のスキャン画像を積算して、1枚のSEM画像を構成し、電子線を用いて、線幅や欠陥を検査する方法及び装置において、スキャン画像毎に設計データとのマッチングを行い、マッチングの結果として、Shift_x,Shift_yを算出し、スキャン画像毎のShift_xの差分δx,Shift_yの差分δxを算出し、上記差分δx又はδyが閾値を超える場合に、SEM画像の取得のリトライ処理を演算手段によって実行する。 (もっと読む)


【課題】廃棄物における特定の材質部分を迅速かつ分かり易く表示することにより、密閉装置内で行わなければならない有害廃棄物の弁別処理を迅速かつ正確に行うことができるようにする。
【解決手段】被検体に放射線を照射し、透視画像データを撮影する工程と、被検体容器の個体ナンバーと撮影方向とを特定する工程と、前記被検体から除去すべき材質部分を透視画像データより自動的に認識する工程と、前記被検体の撮影方向と測定結果とを同時に保存する工程と、前記被検体の個体ナンバーに対応する測定結果を適宜呼び出し、参照しながら前記被検体を分解処理する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】非破壊検査の際の半導体素子や電子部品等の被検体の破壊、機能や外観の損傷の発生が防止された透視検査装置を提供する。
【解決手段】放射線を発生し被検体に向けて放出する放射線源1と、被検体101を透過した放射線を検出する放射線検出器4と、被検体101に照射される放射線量を制限する放射線量制限手段8,9,10とを備え、放射線量制限手段8,9,10は、予め測定されている被検体101の放射線照射許容量に基づいて、被検体101に照射される放射線量を制限する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液体物品のパッケージを開けないままその液体物品に麻薬が隠れているかを判断することができる、液体物品に隠れている麻薬を検査する方法及び装置を開示している。
【解決手段】前記方法は、放射線ビームを発生して前記液体物品を透過させるステップと、前記液体物品を透過した放射線ビームを受け取って多角度投影データを形成するステップと、前記液体物品の均一性に基づき、前記多角度投影データに対して逆演算を行うことにより、被検液体物品の属性値を計算して取得するステップと、前記液体物品の識別情報を索引として、予め作成したデータベースから参照属性値を検索し、計算した属性値と参照属性値との差分値を算出するステップと、前記差分値が所定の閾値より大きいかを判断するステップと、を含み、前記差分値が所定の閾値より大きい場合には、前記液体物品に麻薬が隠れていると認める。 (もっと読む)


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