【課題】ＦＥＭウェーハを自動測長する場合、測長対象の大きさは登録時と異なっていることが多いだけでなく、測長対象のパターンも崩れていることが多い。このため、測長の可否を自動的に判断することが困難である。
【解決手段】半導体検査システムにおいて、(1) 参照画像から算出される距離画像を利用し、検査画像の輪郭線の位置を特定する処理、(2) 特定された距離画像に対する輪郭線の位置に基づいて欠陥大きさ画像を算出し、当該欠陥大きさ画像から欠陥候補を検出する処理、(3-1) 欠陥候補が検出された場合、検出された欠陥候補の大きさを算出する処理、又は(3-2) 第１及び第２の輪郭線の相違部分を欠陥候補として検出する処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器が有する時間分解能を維持しつつ、放射性核種の定量分析及びエネルギー分析を精度良く行うことができる放射線計測装置を提供する。
【解決手段】半導体放射線検出器１から出力されるアナログパルス信号ごとに、このアナログパルス信号をアナログデジタル変換器２により複数のデジタル信号に変換する。これらのデジタル信号が入力されるスレッショルド回路３は、スレッショルド値を超えるデジタル信号を弁別する。デジタル信号加算回路４は、弁別された複数のデジタル信号をアナログパルス信号ごとに加算してアナログパルス信号ごとに加算値を求める。それぞれの加算値を入力するスペクトル生成回路５は、それらの加算値を用いて放射線エネルギースペクトルを生成し、放射線エネルギースペクトルを用いて放射性核種９の定量分析及びエネルギー分析を精度良く行う。 （もっと読む）

【課題】自動欠陥分類機能では、装置毎に適切な処理パラメータが異なるが同一の工程において複数の装置が運用される場合でも、それぞれの分類レシピにおける分類クラスに差が発生しないようにする。
【解決手段】同一の工程で異なる画像撮像装置から得られた画像から同種の欠陥画像を特定する対応欠陥特定部２０９、同一の工程で異なる画像撮像装置から得られた画像を変換し、比較可能な類似した画像に変換する画像変換部２１２、同一の工程の分類レシピについて、同一の分類クラスを定義し、特定された同種の欠陥画像をそれぞれの対応する分類レシピ内の分類クラスに登録するレシピ更新部２１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】蛍光体の劣化を適切に、かつ容易に検知する。
【解決手段】放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した蛍光体１０と、前記蛍光体の放射線入射側に隣設されて該蛍光体によって支持され、前記蛍光体に生じた蛍光を検出する薄膜型のセンサ部１１と、を備える放射線画像検出装置１の保守方法であって、下記の構造ノイズ検査、ＭＴＦ検査、暗電流検査のうち少なくとも一つの検査を定期的に実施して前記蛍光体の劣化を検知する。構造ノイズ検査：放射線画像を取得し、取得された画像及びそれ以前に取得された画像の両画像に表れる前記放射線画像検出装置固有のパターンの変化を検知する。ＭＴＦ検査：ＭＴＦチャートを撮影した放射線画像を取得し、取得された放射線画像のＭＴＦの変化を検知する。暗電流検査：放射線非露光での黒画像を取得し、取得された黒画像に基づいてセンサ部の暗電流の変化を検知する。 （もっと読む）

【課題】回折格子の形状特徴物などの小寸法の形状特徴物のプロフィールを見出すためのシステムを提供する。
【解決手段】シード・プロフィールのギャラリが作られ、半導体装置についての製造プロセス情報を用いて該プロフィールに関連する初期パラメータ値が選択される。回折構造および関連するフィルムを測定するとき、反射率Ｒ_s，Ｒ_pなどのいろいろな放射パラメータおよび楕円偏光パラメータを使用することができる。放射パラメータのうちのあるものは、該プロフィールまたは該フィルムのパラメータ値の変化に対してより敏感な１つ以上の放射パラメータを選択してより精密な測定に到達することができる。プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 特別な構成を設けることなくＸ線曝射の開始及び停止において生じる遅延時間を簡易で安価に測定する技術を提供する。
【解決手段】 Ｘ線を曝射してＸ線画像を取得するＸ線撮影装置は、Ｘ線を出力する出力手段と、出力手段に制御信号を供給してＸ線出力に係る動作を制御する制御手段と、出力されたＸ線を検出して電荷を蓄積する複数の検出素子を備えた検出手段と、複数の検出素子を一定の速度で順に走査して、各検出素子に蓄積された電荷を読み出す読出手段と、各検出素子の電荷を画素値に変換して画像を生成する生成手段と、生成した画像を解析して、制御信号の出力に対する、出力手段のＸ線出力に係る動作の遅延を測定する測定手段とを備える。出力手段は検出手段が備える各検出素子に対して一定強度のＸ線を出力し、測定手段は、画像において画素値の変化が存在する領域と存在しない領域との境界の位置と、走査の速度とに基づいて遅延を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッジの変形、或いはコントラストの変動等に依らず、高精度にパターンマッチングを行うパターンマッチング方法，画像処理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、以下に設計データに基づいて形成されたテンプレートを用いて、画像上でパターンマッチングを実行するパターンマッチング方法、或いは装置であって、パターンの輪郭を定義する線分によって、区分けされる内側領域、及び／又は外側領域について、画像の特徴量を求め、当該特徴量が所定の条件を満たした位置をマッチング位置，マッチング位置候補、或いは誤ったマッチング位置と決定するパターンマッチング方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置用の基板に付着した異物を、その導電性の観点から検査する方法および装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置用の基板に付着した異物に金属元素が含まれているかどうかを検査する方法であって、検査対象の前記基板の所定枚数ごとに一度、異物のない箇所について予め測定する比較用蛍光Ｘ線スペクトルと、前記基板の異物が付着した１或は複数箇所の蛍光Ｘ線スペクトルを測定して、複数のＸ線スペクトルをデータ処理することにより、前記異物が金属元素を含有するか否かを高精度に判定する。 （もっと読む）

【課題】画像処理時間を短縮して短時間で溶接部を検出することができる溶接部検出装置及び溶接部検出方法を提供する。
【解決手段】溶接部を有する測定対象に対して放射線を照射する放射線源と、該放射線源から前記測定対象を透過した放射線を所定範囲で撮影し、撮影画像信号を出力する放射線撮影手段と、該放射線撮影手段から出力される撮影画像信号を処理して溶接部を検出する溶接部検出手段とを備えた溶接部検出装置であって、前記溶接部検出手段は、前記放射線撮影手段から出力される撮影画像信号から溶接線方向に所定距離離れた少なくとも２個所の当該溶接線方向と交差する線画像情報を切り出す画像情報切り出し手段と、該画像情報切り出し手段で切り出した各線画像情報を２値化処理する２値化処理手段と、該２値化処理手段で処理された２値化処理画像に基づいて溶接部を特定する溶接部特定手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を招くことなく、Ｘ線のフラックスの照射方向を適切に制御できるＸ線照射装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線の線源と、前記線源から射出されるＸ線のフラックスの照射方向を制御する光学系とを備えるＸ線照射装置に関する。前記光学系は、前記線源からの前記Ｘ線の射出軸と直交する平面方向について、互いに間隙を介して積層される複数枚の反射ミラーを備える。前記線源から射出されたＸ線が前記間隙を介して前記反射ミラーに入射し、前記反射ミラーでそれぞれ全反射して互いに重畳することにより、前記フラックスとして照射される。 （もっと読む）

【課題】サンプルの立体表現を決定するためのコンピュータ断層撮影法を提供する。
【解決手段】Ｘ線システム（１０）によって取られるサンプル（１３）のＸ線投影からのサンプル（１３）の再構成容積データを用いるステップと、前記再構成容積データからの前方投影によって前記サンプル（１３）の一連の人工投影を計算するステップと、本質的に前記再構成容積データおよび／または前記Ｘ線投影を含む前記再構成の処理データから、前記測定Ｘ線投影の各々に対し、この測定Ｘ線投影の検査中のボクセルへの寄与度と対応する人工投影からの検査中のボクセルへの寄与度との差を計算することに基づき、前記容積データの単一のボクセルの個々の信頼度を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 屈折コントラスト法の問題点を解決することのできるＸ線撮像装置およびＸ線撮像方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ線発生手段から発生したＸ線を空間的に分割する分割素子を有する。また、分割されたＸ線が入射する第１の蛍光体が複数配列された蛍光体アレイを有する。この第１の蛍光体は、Ｘ線の入射位置に応じてＸ線による蛍光の発光量が変化するように構成されている。また、蛍光体アレイから発光した蛍光の強度を検出するための検出手段を有する。 （もっと読む）

【課題】不具合箇所を容易に特定することのできる半導体装置の解析装置及び解析方法の提供。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、荷電粒子ビームを試料に照射し、検出した２次電子強度に応じた２次電子像を表示する機能を備える。解析対象の半導体装置に対し、第１の照射パターンで、荷電粒子ビームを照射して、電荷を注入する。次に、前記解析対象の半導体装置の電荷の蓄積状態を観測する。電荷の蓄積状態が正常でない箇所を、半導体装置の不具合箇所として検出することができる。 （もっと読む）

【課題】複数のエネルギー帯のＸ線を用いて測定対象の成分を計測できるとともに、測定対象に応じて識別すべきエネルギー帯を容易に変更できるＸ線成分計測装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線発生器１０から照射されたＸ線は、計測対象３０を透過して、Ｘ線検出器２０に入射する。Ｘ線検出器２０は、量子計数方式の検出器であって、予め設定された２個以上のしきい値で区切られたエネルギー帯のＸ線量子数を計数する。Ｘ線検出器２０により計数されたＸ線量子数に基づいて３種類以上の成分比を算出することができる。しきい値は、測定対象に応じて変更でき、しきい値を３個以上にとると、４種類以上の成分比を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】
空港での手荷物検査官の訓練の効率を上げるなどのため、任意のＸ線撮影装置を用いて撮影された、異なる被写体に対する複数のＸ線画像を合成し、当該Ｘ線撮影装置を用いて異なる被写体を１画像として撮影されたＸ線画像と同等のＸ線画像を作成できるＸ線画像合成装置、方法及びプログラムを提供することを目的とする。
【解決手段】
試験体データ入力手段１からＸ線撮影装置に固有な試験体データ２を入力する。合成係数算出手段３で、Ｘ線合成係数を算出し、Ｘ線合成係数ＤＢ４に登録する。合成対象物データ入力手段５よりＸ線部品画像を入力し、Ｘ線部品画像ＤＢ６に登録する。Ｘ線部品画像ＤＢ６には複数のＸ線部品画像を保持することができる。合成画像作成手段７で、合成先画像のオペレータが指定した位置にＸ線部品画像ＤＢ６から複数の画像部品を配置し、各画像部品とＸ線重ね合わせ用データ４から合成Ｘ線画像データ９を作成する。表示部１０で、合成Ｘ線画像データ９を表示する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出器を冷却するペルチエ素子の放熱面からの放熱の異常を、大きなコスト増加をもたらすことなく検知する。
【解決手段】温度制御が開始されてから時間ｔ１が経過した時点において、ペルチエ素子への印加電圧とペルチエ素子の駆動電流との関係からペルチエ素子の異常を検知する（Ｓ１〜Ｓ８）。その後、時間ｔ２が経過した時点で、ｔ１→ｔ２までの期間中の温度低下量（温度差）ΔＴを求め、ΔＴから冷却速度Θを計算する（Ｓ９〜Ｓ１２）。そして、冷却速度Θが最高使用温度条件の下で予め求めておいた閾値Θ１未満であれば（Ｓ１３でＮｏ）、放熱の異常であると判断して異常報知を行う（Ｓ１５）。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、三次元的に形成されたパターンの深部の状況や試料の帯電の状況に依らず、安定した位置合わせ、或いは特定層の選択的な情報抽出を行うことを目的とした方法、及び当該目的を達成するための装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するために、パターン上部の形状が選択的に表現された第１のテンプレートを用いて、複数層が表現された画像情報上で第１のパターンマッチングを行う方法、及び装置を提案する。また、特定層の選択的な抽出を行うために、上記複数層が表現された画像情報、或いは形状情報から、パターン上部の形状に関する情報を差し引く方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基準パターンを活用して基準データをもとにして各種の計測条件を自動設定することができるパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターンに荷電粒子線を走査して検査対象パターン画像を生成し、検査対象パターン画像の画素の位置を置き換えることで回転した画像を取得する生成手段と、検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンを検査する検査手段とを備える。 （もっと読む）

本発明は、複数の検出器と、制御装置と、Ｘ線源とを有し、ａ）前記制御装置は、複数の検出器の少なくとも一つから、最低Ｘ線透過レベルを検出、及び、特定し、ｂ）前記制御装置は、前記最低Ｘ線透過レベルを少なくとも一つの既定の閾透過レベルと比較し、ｃ）前記制御装置は、前記比較に基づいて、調整信号を生成し、前記Ｘ線源は、前記調整信号を受信し、前記調整信号に基づきＸ線のパルスの持続時間を調整することを特徴とするＸ線走査システムを提供する。
（もっと読む）

【課題】精度および効率に優れたパターン検査装置、パターン検査方法およびプログラムを提供する。
【解決手段】上下方向に互いに隣接する複数層にそれぞれ形成されたパターン同士の相対的位置関係に依存するプロセス上の危険度に応じて欠陥検出のための閾値を変える。 （もっと読む）