【課題】大規模な施設を要することなくＭＲＴ用のＸ線ビームを生成することができる。
【解決手段】子ビームが照射されると制動Ｘ線をＸ線ビームＸとして出射する金属ターゲット５と、スリット状のＸ線透過部６ａを有し、Ｘ線ビームＸの一部分がＸ線透過部６ａを透過し、Ｘ線透過部６ａ以外の領域に入射したＸ線ビームＸを遮蔽するように、金属ターゲット５のＸ線ビームＸの出射方向下流側に配置されたＸ線遮蔽体６と、出射されるＸ線ビームＸの発生点の径がＸ線透過部６ａの入口部の長手方向に沿った長さより短い電子ビームを金属ターゲット５に照射する電子ビーム発生装置と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーの荷電粒子ビームにより測定試料中の物質ごとに１μｍ〜０．１μｍ等といった高空間分解能で定量的に材料分析できるとともに、前述した高精度の材料分析を研究室規模の施設で可能とする材料分析装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザを射出するパルスレーザ射出部１と、前記パルスレーザが照射される金属薄膜Ｆを有し、当該金属薄膜Ｆから荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部２と、前記荷電粒子ビーム生成部２から射出された荷電粒子ビームを磁場又は電場により収束して、測定試料Ｓに照射する荷電粒子ビーム収束部３と、前記荷電粒子ビームが測定試料Ｓに照射された際に生じる放射線Ｒを測定する放射線測定部４と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーの荷電粒子ビームにより測定試料中の物質ごとに１μｍ〜０．１μｍ等といった高空間分解能で定量的に材料分析できるとともに、前述した高精度の材料分析を研究室規模の施設で可能とする材料分析装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザを射出するパルスレーザ射出部１と、前記パルスレーザが照射される金属薄膜Ｆを有し、当該金属薄膜Ｆから荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部２と、前記荷電粒子ビーム生成部２から射出された荷電粒子ビームＩＢを磁場又は電場により収束して、測定試料Ｓに照射する荷電粒子ビーム制御部３と、前記荷電粒子ビームＩＢが測定試料Ｓに照射された際に生じる放射線Ｒを測定する放射線測定部４と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】高速プリアンプ回路、検出電子機器、および放射線検出システムを提供する。
【解決手段】プリアンプ回路は、放射線検出器から電流信号を受信して、増幅電圧信号を生成するトランスインピーダンス・アンプを備える。トランスインピーダンス・アンプの出力は、第２増幅ステージに接続される。検出電子機器は、検出器上の第１位置から電流信号を受信して第１電圧信号を生成する第１トランスインピーダンス・アンプと、検出器上の第２位置から電流信号を受信して第２電圧信号を生成する第２トランスインピーダンス・アンプとを有する。第２増幅ステージは、第１増幅電圧信号と第２増幅電圧信号とを与える。差動出力ステージは、第１増幅電圧信号と第２増幅電圧信号を受信し、各々から一対の出力を提供する。読取回路類は、一対の出力の各々を処理する処理構造を有する。処理構造は、タイムスタンプを有する単一のデジタル出力を提供する。 （もっと読む）

【課題】 試料分析方法及び試料分析装置に関し、不安定な中間酸化物を含む酸化膜を表面に有するシリコンを主成分とする基板を酸素一次イオンにより精度良く分析する。
【解決手段】 シリコンを主成分とし、表面に中間酸化物を含む酸化膜を有する被分析試料の表面に９０ｅＶ以下のエネルギー範囲で酸素イオンを供給して前記中間酸化物を含む酸化膜を改質させる前処理工程と、前記前処理工程の後に、二次イオン質量分析を行う工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】微細化あるいはハイアスペクト化された凹部を有する構造体に対するパターン検査の精度を向上させることができるパターン検査方法およびパターン検査装置を提供することである。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、構造体が有する凹部にＸ線または真空紫外線を集光させ、前記集光させた前記Ｘ線または前記真空紫外線を前記凹部の内部において伝播させて前記凹部の底面に到達させ、前記底面で反射または前記底面を透過した前記Ｘ線または前記真空紫外線の強度を検出することにより前記凹部の欠陥の有無を検査することを特徴とするパターン検査方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】撮像データごとの回転角度ピッチを均一として、軸受内部における潤滑剤の挙動を正確に取得する。
【解決手段】軸受を透過した中性子線を電磁波に変換し、エンコーダ５から出力される軸受の回転角度を示す回転角度信号に基づいて上記電磁波を受けて撮像することにより上記軸受内部における潤滑剤の分布を示す潤滑剤分布データを取得する。 （もっと読む）

【課題】軸受内部における潤滑剤の挙動を詳細に取得する。
【解決手段】軸心方向あるいは軸心に対して斜め方向から軸受を透過した中性子線を電磁波に変換し、当該電磁波を受けて撮像することにより上記軸受内部における潤滑剤の分布を示す潤滑剤分布データを取得する。 （もっと読む）

【課題】試料表面に一次イオンビームを照射して試料表面を除去しつつ、試料の深さ方向の分析を行うイオンビーム分析方法において、試料表面の汚染が少ない帯電防止方法を提供する。
【手段】試料１０表面に収束イオンビーム２４ａを照射して、試料１０表面に形成された絶縁層１２を貫通し、底面に試料１０の導電性基板１１を表出する凹部１０ａを形成する工程と、凹部１０ａの内部に金属イオンビーム２３ａを照射しつつ、同時に試料１０表面に一次イオンビーム２２ａを照射することを特徴とするイオンビーム分析方法。 （もっと読む）

【課題】製品基板毎に態様の異なる被爆量を好適に管理すること。
【解決手段】電子部品が実装された基板の撮像要部をＸ線で撮像するＸ線撮像装置に用いられるＸ線被爆量管理システムにおいて、前記基板Ｗを製品毎に特定する基板特定手段と、特定された製品基板に係る累積被爆量Ｈを演算する累積被爆量積算手段とを備えている。Ｘ線撮像を実施する際の累積被爆量Ｈが個々の製品基板毎に演算されるので、例えば、再検査や、抜き打ち検査が生じて、被爆量が製品基板毎に異なるような事態が生じても、各製品基板が上限値を超えて被爆しないように管理することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明はＥＰＭＡ(電子プローブマイクロアナライザ)におけるＸ線像データ処理方法及び装置に関し、異なるシーケンスで取得し位置ずれが存在しているＸ線像データ同士であっても、相関演算処理を正確に行なうことができるようにすることを目的としている。
【解決手段】 ＥＰＭＡを用いて試料の同一領域について異なるタイミングでそれぞれＸ線像のデータを取得して記憶する場合において、各タイミングで前記領域について２次電子又は反射電子検出に基づく電子像データを併せて取得して記憶し、異なるタイミングで取得した電子像データを比較して位置ずれ量を算出し、算出した位置ずれ量に基づき、前記異なるタイミングで得た各Ｘ線像データに対して、各Ｘ線像データに共通して存在する領域を切り出す処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】空港や港のターミナルゲート等、荷を搬送するコンベアが設けられ且つ人が多く集まる場所での設置に適した中性子照射手段を有する危険物検知システムの提供。
【解決手段】コンベア１０と、コンベア１０における搬送経路途中に設けられた核物質探知装置３０と、を有する危険物検知システム１であって、核物質探知装置３０は、上記中性子を放射状に照射する中性子発生装置３１と、中性子発生装置３１とその放射方向において間隔をあけて配置された円筒形の側壁３２を有し、該側壁３２に形成された手荷物の搬入口３３ａ及び搬出口３３ｂを開閉する開閉扉３４ａ，３４ｂを備える中性子遮蔽壁３５と、中性子発生装置３１と側壁３２との間において中性子発生装置３１を中心として回転可能に設けられると共にその回転方向において手荷物を複数、互いに間隔をあけて支持する回転床３６と、を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】試料表面に１０ｎｍ以下の寸法のスポットサイズを有するイオンビームを発生することが可能な電界イオン源を有するシステムを提供する。
【解決手段】電子ビームを提供することが可能な走査電子顕微鏡と、気体と相互作用してイオンビームを発生させることが可能な気体電界イオン源と集束イオンビーム機器とを具えるシステムであって、走査電子顕微鏡と気体電界イオン源が、使用時に電子ビーム及びイオンビームを用いて試料を調査できるように位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コイル位置や磁場の調整を行うことない偏極ビームのスピン反転方法及びスピン反転装置を提供する。
【解決手段】空間部３１ｅに連通された開口部３１ｃ、３１ｄを備え、開口部３１ｃから入射させたスピンを有する粒子からなるビームを、開口部３１ｄから出射可能なスピン反転装置であって、開口部３１ｃ、３１ｄで、通過する粒子に次式（１）、（２）で表されるスピン非断熱遷移が起きる磁場を印加可能であるスピン反転装置３１を用いる。断熱ポテンシャルがＬａｎｄａｕ−Ｚｅｎｅｒ型交差の場合、[数１]


断熱ポテンシャルがＲｏｓｅｎ−Ｚｅｎｅｒ型非交差の場合、[数２]
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【課題】試料台とその上に被せられる蓋体を有する試料導入用ホルダーであって、分析の際に、分析装置の外部からの操作を要せずに、蓋を取外して試料を開放することができる試料導入用ホルダーを提供する。
【解決手段】分析用試料を保持する試料台及びこの試料台に被せられる蓋体を有し、前記試料台と蓋体により試料及びガスを包含する空間を形成し、前記空間内と蓋体外部との圧力差が所定値以下では、前記空間内と蓋体外部間が雰囲気遮断状態となるように、試料台と蓋体がかん合しており、かつ前記かん合における試料台と蓋体間の接着力が、前記圧力差が前記所定値を超えたとき前記圧力差により蓋体が試料台上から除去される大きさであることを特徴とする試料導入用ホルダー。 （もっと読む）

【課題】 感度を簡易に調整できるＸ線撮像装置、または、Ｘ線屈折量を簡易に抽出できるＸ線撮像装置を提供すること。
【解決手段】 第１エネルギーのＸ線と該第１エネルギーと異なる第２エネルギーのＸ線とを発生するＸ線源からのＸ線束を被測定物１０３に照射し、被測定物１０３の像を撮像するＸ線撮像装置は、減衰素子１０４と検出器１０５とを備える。減衰素子１０４は、被測定物１０３を透過したＸ線束を減衰させ、Ｘ線束の入射位置に応じてＸ線減衰量が異なるように構成されている。検出器１０５は、減衰素子１０４を透過したＸ線束を検出し、第１エネルギーのＸ線と第２エネルギーのＸ線とを検出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現することができ、検体の内部に生じた異常の位置だけでなく異常の程度も容易に把握することができるＸ線検査装置の提供。
【解決手段】Ｘ線をハンドレール２に照射するＸ線発生器１と、Ｘ線発生器１に対向して配置され、ハンドレール２を透過したＸ線を受光するＸ線受光器６と、Ｘ線受光器６に受光されたＸ線の量を画像として検出するＣＣＤカメラ５及びビデオキャプチャー８と、ＣＣＤカメラ５及びビデオキャプチャー８で得られた画像を分析してハンドレール２の異常の有無を検出するパソコン９と、Ｘ線発生器１とハンドレール２との間に配置され、Ｘ線発生器１から発生したＸ線の一部を遮蔽する遮蔽体とを備え、遮蔽体は、円筒状に形成され、ハンドレール２に当接して回動するローラ７ａ，７ｂから成り、ローラ７ａ，７ｂはＸ線発生器１から発生したＸ線を透過させるスリット１０ａ，１０ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】各塗工ブロックの同一位置で塗工の厚さを測定し、測定処理装置内で塗工端の開始位置や終了位置や塗工ブロックの左右端を検出することで、塗工サイズを測定する放射線測定装置を提供する。
【解決手段】 放射線源と、この放射線源に対向して配置されたセンサと、前記放射線源と前記センサの間であって、前記センサに近接して搬送されるシートからなり、前記放射線源から前記シートを透過して前記センサに到達する放射線の強度に基づいて前記シートの物理特性を検出する放射線測定装置において、
前記センサとしてラインセンサを用いると共に、前記シートにはシートの長さ方向に間欠的に塗工剤が塗布され、前記ラインセンサは少なくとも前記シートの厚さ、前記塗工剤の塗工端、塗工厚さ、塗工ブロックのいずれか一つを検出するように構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。 （もっと読む）