【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】比較的低廉な方法で精度の高い検査画像を得ること。
【解決手段】検査対象品の検査要部１０１を通る垂直線回りの角度Ｒと、前記垂直線と直交する線分回りの角度θとを組み合わせて、当該検査要部をＸ線が斜めに透過する方向を含む複数の透過方向ψ（Ｒ，θ）をＸ線ＣＴでの撮像よりも少ない数だけ設定する。設定された透過方向ψ（Ｒ，θ）に基づいて、当該透過方向ψ（Ｒ，θ）毎にＸ線撮像を実行する。撮像された複数のＸ線画像を所定の条件で重ね合わせて合成画像を生成する。 （もっと読む）

【課題】被検体の断層画像を求めるために必要となる撮像条件の数を抑えて、被検体の被曝負荷を軽減する。
【解決手段】検査対象範囲ＴＲの一部の領域ＴＲa、ＴＲwについては、被検体を構成する各部材（基板Ｗ、電子部品ＥＰ）の配置を示す部材配置情報から推定することとし、透過像の撮像結果から断層画像情報を求める領域を領域ＴＲa、ＴＲw以外の領域に限定する。つまり、撮像条件は、検査対象範囲ＴＲのうち領域ＴＲa、ＴＲwを除いた領域の断層画像情報を求めるために必要となるものについて設定され、こうして設定された各撮像条件で透過像が撮像される。その結果、撮像条件の数を抑えて、被検体の被曝負荷を軽減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上の欠陥を撮像した画像を，ユーザが定義したクラスごとに自動で分類する装置において，異なる複数の観察装置で撮像した画像が混在して入力された場合，観察装置の違いによる画像の性質の差により，欠陥画像の分類正解率が低下することを防止する。
【解決手段】複数の観察装置で撮像した欠陥画像が入力となる画像自動分類装置において，レシピを作成する際に観察装置ごとに画像処理パラメータの調整と分類識別面の作成を行い，画像の分類時には，欠陥画像を撮像した観察装置を画像の付帯情報などをもとに特定し，画像を撮像した観察装置に応じた画像処理パラメータと分類識別面を用いて，画像処理と分類処理を行うようにした。また，観察装置ごとの画像処理パラメータ調整を効率的に行うために，教示された欠陥領域をもとに適切な画像処理パラメータを自動調整するようにした。 （もっと読む）

【課題】肉厚補正治具を使用することなく簡易かつ正確に検査対象物の欠陥等を検出する。
【解決手段】異なる複数の既知の厚みを有する較正体に対してＸ線を照射して各厚みとこの部分のＸ線透過量の関係を測定するステップと、各厚みとこの部分でのＸ線透過量の関係が直線状になるように前記各厚みにおける較正値を決定するステップと、欠陥等の無い正常な検査対象物のＸ線透過量に基づいた画像をマスタ画像として得るステップと、マスタ画像の各部のＸ線透過量より当該Ｘ線が透過した部分の前記検査対象物の厚みを得るステップと、通常の検査対象物のＸ線透過量に基づいた画像をテスト画像として得るステップと、前記マスタ画像と前記テスト画像の各部のＸ線透過量の差分たる差分Ｘ線透過量に基づいた差分画像を算出するステップと、前記差分画像の各部の位置に対応した前記マスタ画像部分の厚みにおける前記較正値を前記各部の差分Ｘ線透過量に乗じて較正差分Ｘ線透過量を算出してこれに基づく較正差分画像を得るステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】高分子材料の劣化状態、特に表面状態の劣化状態について、詳細に解析できる劣化解析方法を提供する。
【解決手段】高輝度Ｘ線を高分子材料に照射し、Ｘ線のエネルギーを変えながらＸ線吸収量を測定することにより、高分子の劣化状態を解析する劣化解析方法に関する。 （もっと読む）

【課題】輝度ムラを低減して、被検体のハンドリングが容易なＸ線断層撮像装置を提供すること。
【解決手段】
プリント基板５１にＸ線を照射するＸ線照射器２、３とプリント基板５１を透過したＸ線を検出するＦＰＤ５、６とで構成される複数組の照射ユニット７、８と、各照射ユニット７，８の各Ｘ線照射器２、３とＦＰＤ５，６との間にプリント基板５１を平行移動させる搬送器４と、少なくとも１つの照射ユニット８のＸ線中心軸がプリント基板５１の搬送方向に傾斜しており、少なくとも１つの他の照射ユニット７のＸ線中心軸がプリント基板５１の搬送方向の逆方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたアクティブエリアと共にアクティブエリア外に設けられたＴＦＴ駆動回路の欠陥を検出する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ検査装置は、ＴＦＴ駆動回路に検査信号を供給するＴＦＴ駆動回路用ドライバ部と、アクティブエリアの走査画像に基づいて、ＴＦＴ駆動回路およびアクティブエリアの駆動状態を検出する検出部とを備える。ＴＦＴ駆動回路用ドライバ部は、基板上のＴＦＴ駆動回路に検査信号を供給することによってＴＦＴ駆動回路のＴＦＴアレイを駆動し、基板上のアクティブエリアに形成されたＴＦＴアレイを駆動する。検出部は、アクティブエリアの走査画像を用いて、アクティブエリア上で駆動していない非駆動部位を検出する。 （もっと読む）

【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。
【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し（ステップＳ１）、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第１原点からの座標によって検出する（ステップＳ２）。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第１原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】開口部の側壁で反射されて放射線検出手段に向かう放射線の発生を抑える。
【解決手段】開口部Ａpの側壁は、遮蔽板７５を平面視した場合において開口部Ａpが四角形状を有するように当該四角形の各辺に対応する４つの面を有している。しかも、開口部Ａpの側壁が有する面のうち少なくとも一つの面Ｓal、Ｓbl、Ｓbr、Ｓcr等は、遮蔽板７５の一方主面７５aに対して斜めに傾いている。その結果、開口部Ａpの側壁で反射されて、遮蔽板７５の他方主面７５b側に設けられた放射線検出手段に向かう放射線の発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 被測定体（被測定物質）から試験片を切り出さなくても精度よく陽電子の消滅特性を測定する。
【解決手段】 陽電子消滅特性測定装置１０は、陽電子線源と、陽電子線源で生成された陽電子が消滅するときに発生する放射線を検出する放射線検出手段１４と、陽電子線源で生成された陽電子のうち被測定体に入射されなかった陽電子を検出する陽電子検出手段４０を有している。陽電子線源は、被測定体Ｓと陽電子検出手段とに挟まれた状態で配置されている。消滅特性算出手段５０は、放射線検出手段１４で検出される放射線のうち、陽電子検出手段４０で検出された陽電子が消滅したときに発生したと推定される放射線を除いて、被測定体Ｓ内における陽電子の消滅特性を算出する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線トポグラフを求めるＸ線回折装置においてＸ線トポグラフの平面領域内の位置を明確に特定できるようにする。光学顕微鏡、イメージングデバイス等によって捕えることができない光学的に透明な物質を可視化して測定対象とする。
【解決手段】試料１８の平面領域から出たＸ線を空間的に１対１の幾何学的対応をつけて平面的なＸ線トポグラフとして検出し、当該Ｘ線トポグラフを信号として出力するＸ線トポグラフィ装置４，２２と、試料１８の平面領域の光像を受光してその光像を平面位置情報によって特定された信号として出力する２次元イメージングデバイス６と、Ｘ線トポグラフの出力信号とイメージングデバイス６の出力信号とに基づいて合成画像データを生成する画像合成用の演算制御装置とを有するＸ線回折装置である。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢによる切り出しの際の欠陥箇所の特定をより容易に行うことができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１１に荷電粒子線６を照射して走査し、荷電粒子線６の照射により半導体ウエハ１１から得られる二次荷電粒子９を検出して、走査情報と二次荷電粒子９の検出信号に基づいて得られた検査エリアの検出画像と参照エリアの検出画像とを比較し、両者の差分を閾値と比較して欠陥候補を検出する。欠陥候補の位置情報を含む欠陥情報は、半導体ウエハ１１上に形成された繰り返しパターンのそれぞれに設定された座標領域の原点に対する、繰り返しパターン内に予め定められた特徴点の相対位置と、特徴点に対する欠陥候補の相対位置とを含むように生成する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスのようなパターンの検査において、特定のパターン上の欠陥を選択的に検出することが欠陥発生原因を推定するのに有用である。そこで、本願発明は、試料上のパターン形状に応じて検査対象とする領域を設定することができる荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、試料の画像に基づいて得られるテンプレート画像を用いて試料上のパターンの輪郭を抽出し、前記パターンの輪郭に基づいて検査対象領域を設定し、被検査画像を比較画像と比較して欠陥候補を検出し、前記検査対象領域と当該検査対象領域に含まれる前記欠陥候補との位置関係を用いて、試料を検査することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素毎に、検出素子の個体差を考慮した校正を施す。
【解決手段】格子状に等間隔に配列された複数の検出素子６１を有し、各検出素子６１が検出した被写体としてのプリント基板Ｗの画像を画素毎に分解して出力する撮像ユニット２０、４０を備えている装置に適用される。個々の画素の個体差を表す個体差ファクタα、βを記憶し、記憶された個体差ファクタα、βに基づいて、当該検出素子６１毎に線形な校正値を出力し、前記検出値校正処理部２２５が演算した校正値Ｉχｃに基づいて、画素毎に目標物理量としての輝度値Ｂや材料厚さχを演算する。 （もっと読む）

【課題】対象物をミリング加工及び検査する。
【解決手段】対象物の第一の表面のミリング加工期間中に、粒子ビームにより対象物の第一の表面をミリング加工する工程と、少なくとも第一の表面ミリング加工期間の大部分において、第一及び第二の表面の間に置かれた関心要素（ＥＯＩ）から構成されうる対象物を、電子検出器により対象物の第二の表面の画像を取得する工程と、対象物の第二の表面のミリング加工期間中に、粒子ビームにより対象物の第二の表面をミリング加工する工程と、少なくとも第二の表面ミリング加工期間の大部分において、電子検出器により対象物の第一の表面の画像を取得する工程とからなるシーケンスを、少なくとも一回反復する。 （もっと読む）

【課題】
複数条件の画像を同時に検出して統合する構成を用いた場合、高レートのデータ転送手段と大容量のメモリや記憶媒体が必要となる。
【解決手段】
複数の撮像条件にて試料の画像データを取得する工程と、前記複数の撮像条件にて取得した複数の画像データを画像記憶部へ格納する工程と、前記複数の画像データのそれぞれより欠陥候補を取得する工程と、前記画像記憶部に格納された、少なくとも２つの撮像条件の前記画像データから、前記複数の画像データのいずれかで検出した前記欠陥候補位置とその周辺を含む部分画像を切り出す工程と、前記欠陥候補に対応する少なくとも２つの撮像条件で取得した前記部分画像を統合処理することで、欠陥候補を分類する工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法である。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と１回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と２回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、１回目の露光の工程で形成されたパターンと２回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 （もっと読む）

【課題】迅速に欠陥レビューを行うことができる欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム３１を試料８の表面に照射し、試料８の表面の観察領域内で電子ビーム３１を走査させる電子鏡筒１と、電子ビーム３１の光軸周りに相互に９０°の角度を開けて配置された４つの電子検出器９ａ〜９ｄと、電子検出器９ａ〜９ｄの検出信号に基づいて、観察領域をそれぞれ異なる方向から写した複数の画像データを生成する信号処理部１１とを備えた欠陥レビュー装置１００において、観察領域のパターンがラインアンドスペースパターンである場合には、欠陥検査部１２によってラインパターンに平行であって電子ビーム３１を挟んで対抗する２方向からの画像データの差分をとった差分画像に基づいて、欠陥の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】パターン中の信号の小さい欠陥の視認性を向上する一方で、レビュー領域全体の情報を可能な限り失わない欠陥検査方法および欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態の欠陥検査方法は、被検査パターンが形成された試料に荷電粒子線を照射し、前記試料から生成される荷電粒子を検出し、得られる信号の時間に対するプロファイルを生成する工程と、前記被検査パターンの頂面に対応する試料の箇所からの荷電粒子により得られた信号の強度がさらに高まることを抑制しつつ前記被検査パターンの底面に対応する試料の箇所からの荷電粒子により得られた信号の強度を高めることにより、信号強度の高低差が縮められた荷電粒子像の撮像方法を、前記プロファイルを用いて決定する工程と、決定した撮像方法で前記被検査パターンの荷電粒子像を取得する工程と、取得した荷電粒子像から前記被検査パターンの欠陥を検査する工程と、を持つ。 （もっと読む）