【課題】小型化を実現することができ、検体の内部に生じた異常の位置だけでなく異常の程度も容易に把握することができるＸ線検査装置の提供。
【解決手段】Ｘ線をハンドレール２に照射するＸ線発生器１と、Ｘ線発生器１に対向して配置され、ハンドレール２を透過したＸ線を受光するＸ線受光器６と、Ｘ線受光器６に受光されたＸ線の量を画像として検出するＣＣＤカメラ５及びビデオキャプチャー８と、ＣＣＤカメラ５及びビデオキャプチャー８で得られた画像を分析してハンドレール２の異常の有無を検出するパソコン９と、Ｘ線発生器１とハンドレール２との間に配置され、Ｘ線発生器１から発生したＸ線の一部を遮蔽する遮蔽体とを備え、遮蔽体は、円筒状に形成され、ハンドレール２に当接して回動するローラ７ａ，７ｂから成り、ローラ７ａ，７ｂはＸ線発生器１から発生したＸ線を透過させるスリット１０ａ，１０ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】冷却フィンなどの異物による影響を受けずに、実装状態（はんだ付けの状態）を確実に検査することができる透視検査装置を提供する。
【解決手段】放射線Ｘを被検体１０１に向けて放出する放射線源１と、検体を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器４と、被検体１０１への放射線Ｘの入射角度を変化させる入射角度変更手段９と、放射線検出器４により検出された放射線量の二次元分布を画像化する信号処理手段６と、入射角度変更手段９及び信号処理手段６を制御する制御手段１０とを備え、制御手段１０は、被検体１０１に放射線Ｘが第１の角度で入射したときの透過放射線量に基づく画像と、被検体１０１に放射線Ｘが第２の角度で入射したときの透過放射線量に基づく画像とを合成して、被検体１０１に重なっている異物１０２によるノイズ画像を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】包材の外形を精度良く推定できるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】取得部は、基準画像として、輝度毎データから例えばジッパー等の開閉部９０２の画像を取得する。基準画像とは、Ｘ線透過画像において映り易い画像（一の領域の厚さよりも厚い他の領域の画像を含む）である。推定部は、取得部により取得された開閉部９０２の画像に係る基準データに基づいて、包材９０３の外形およびシール部９０４を推定する。判定部は、推定部により推定された包材９０３の外形に係る外形データに基づいて内容物９０１の噛み込みを判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細化、プロセスの複雑化に伴いプロセスのマージンは減り、プロセスの条件出しが難しくなっているため半導体の開発初期においてはウェーハ全面において良品チップが存在しない場合があり、定点検査を実行する場合において、比較検査のための適切な基準画像を撮像することができないという課題を解決する技術を提供する。
【解決手段】複数チップの定点検査画像を用いて平均化画像を生成し、定点位置に対応する回路デザインに関する情報を用いて平均化画像を評価し、平均化画像を基準画像とするか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】検査対象の部分領域ごとに異なる分解能で検査することが可能なＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線検査装置１００は、Ｘ線が対象物１に複数の方向から入射するようにＸ線を出力するＸ線源１０と、各方向から対象物に入射して対象物を透過したＸ線が届く位置の受像面においてＸ線を撮像するＸ線検出器２３と、対象物の位置を水平面内で移動させるための検査対象駆動機構１１０と、Ｘ線源１０とＸ線検出器２３との間の焦点受像器間距離を保持して、Ｘ線源１０とＸ線検出器２３とを移動させて倍率を変更し、各位置で撮像したＸ線の強度分布データに基づき、対象物の再構成画像データを生成する。 （もっと読む）

【課題】精度よく基板に塗布されたはんだと部品とのはんだ付け検査を行なうＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置は、予め基板に塗布されたはんだの厚みとして、クリームはんだ印刷におけるマスク厚を取得し、記憶しておく。検査対象の基板のマスク厚から、基板面に平行な断層のうち検査対象とする高さ方向の範囲を設定し、その断層数Ｎを特定する（Ｓ８０１）。Ｘ線検査装置は、各断層について検査ウィンドウ中のはんだの面積Ｓおよび真円度Ｔを計測し（Ｓ８０７〜Ｓ８１９）、その最小値がいずれも基準値以上である場合にはその検査ウィンドウのはんだ付けが良好と判定し（Ｓ８２１、Ｓ８２３）、一方でも基準値を下回ったら不良と判定する（Ｓ８２１、Ｓ８２３）。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高速検査のためのＸ線検査装置を用いて不良解析検査を実現する。
【解決手段】Ｘ線検査装置が実行する処理は、高速撮像を実行するステップ（Ｓ３１５）と、再構成処理を実行して検査画像を作成するステップ（Ｓ３２０）と、自動検査（Ｓ３２５）が合格の場合に検査結果を表示するステップ（Ｓ３３０）と、自動検査が不合格の場合に、撮像条件を切り換えて不良解析用の撮像を実行するステップ（Ｓ３４０）と、不良解析用の再構成処理を実行して画像を作成するステップ（Ｓ３４５）と、不良解析用の画像を出力するステップ（Ｓ３５０）とを含む。 （もっと読む）

【課題】海上や河川上に設けられたコンクリート構造物の内部状態を容易に非破壊検査する。
【解決手段】船体本体１と、検査線発生部５と、該検査線発生部５から入射した中性子線を検査対象物Ｒに対して走査状に照射する照射手段６と、中性子線が検査対象物Ｒによって回折されて得られる回折中性子線を照射手段６の走査位置に応じて検出する検出手段８と、該検出手段８から入力される回折中性子線の検出信号に基づいて検査対象物Ｒの走査位置における物質の格子定数ｄを算出する格子定数算出手段９と、各走査位置における検査対象物Ｒの格子定数に基づいて検査対象物Ｒの内部状態を可視化する可視化手段９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】コンクリート構造物の内部状態を効率良く非破壊検査する検査線発生装置を提供する。
【解決手段】フェムト秒レーザパルスを発生するフェムト秒レーザ発生装置１ａと、該フェムト秒レーザ発生装置１ａから入射したフェムト秒レーザパルスを第１の方向あるいは第２の方向に択一的に出射する可動ミラー１ｂと、該可動ミラー１ｂによって第１の方向に出射したフェムト秒レーザパルスをテラヘルツ光に変換し、検査線として外部に出射する光伝導アンテナ１ｊと、上記可動ミラー１ｂによって第２の方向に出射したフェムト秒レーザパルスに基づいて所定元素のイオン線を発生するイオン線発生器１ｎと、該電子線発生器１ｎから入射したイオン線に基づいて中性子線を発生し、検査線として外部に出射する中性子線発生器１ｓとを具備する検査線発生装置により、効率的な非破壊検査が可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース，コストダウン，振動抑止と高速化，検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】試料を搭載する回転ステージと、該回転ステージを一軸方向へ移動させる一軸移動ステージと、該一軸移動ステージを内蔵する真空室と、前記試料へ光または荷電粒子ビームを照射して前記試料上の欠陥を検出する第一のカラムと、該第一のカラムで検出された前記欠陥の座標に基づいて前記試料に荷電粒子ビームを照射し該欠陥を再検出する第二のカラムとを備え、前記欠陥を検出する検出器の検出面の方向は、それぞれのカラムの中心へ向いていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】低コストおよび省スペースで、既に構築された搬送ラインに対してＸ線検査を追加するＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置１００においては、受取部６００によりベルトコンベア９００から物品Ｂが受け取られる。次いで、Ｘ線検査部７００により受取部６００から受け取った物品Ｂの異物検査が行われる。そして、受渡部８００によりＸ線検査部７００において検査された物品Ｂがベルトコンベア９００に受け渡される。また、Ｘ線漏洩防止カバー９１０は、Ｘ線検査部７００から照射されるＸ線の漏洩を防止する。受取部６００および受渡部８００は、物品Ｂの載置部が平面のみからなり、かつ物品Ｂを載置しつつ搬送する受取テーブル６１１，受渡テーブル８１１と、物品Ｂの移動を補助する案内ガイド板６２１、補助案内部６２２，６２３、案内ガイド板８２１、補助案内部８２２，８２３とを含む。 （もっと読む）

【課題】累積損傷を受けた部材の損傷評価を適切に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】本発明の損傷評価方法は、累積損傷を受けた部材の損傷評価方法であって、評価対象部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差を測定する工程と、測定された前記結晶方位角度差と、予め前記評価対象部材と同一成分系の部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差の測定と累積損傷試験とを行うことにより作成された前記結晶方位角度差と前記累積損傷との検量曲線とを用いて、前記評価対象部材の累積損傷を評価する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程における位置誤差を解消して、位置精度を高め、検査精度を高め、基板上の検査対象領域の正確な位置を取得する。
【解決手段】基板検査装置１は、荷電粒子ビームを基板上で二次元的に走査させて得られる走査画像に基づいて基板検査を行う基板検査装置において、走査画像から基板上の検査対象領域の特定部位の座標データを取得する座標データ取得手段７を備える。基板検査において、座標データ取得手段で取得した座標データに基づいて走査画像上の検査位置を特定することで、誤差によるずれに影響されることなく基板検査を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線を照射することによるＩＣ等の被検査物の破損を確実に防止することのできるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物ＷへのＸ線の累積照射量を測定もしくは推定して記録するＸ線累積照射量記録手段を備えた構成とすることにより、例えば累積照射量があらかじめ設定している限界量に到達した時点で自動的にＸ線の照射を停止する等によって、検査自体による不良品の発生を防止し、良品に混入することを防止する。 （もっと読む）

【課題】微細パターン中の微小なオープン欠陥やショート欠陥を検出する手法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された基板に電子線を照射し、基板から発生する低エネルギーの二次電子および高エネルギーの反射電子を検出してそれぞれの電子から第１および第２のＳＥＭ像を生成する。第２のＳＥＭ像から輪郭を抽出してパターンの輪郭データを取得し、該輪郭データを第１のＳＥＭ像に適用して検査領域を決定し、該検査領域に対して二値化処理を行うことにより、パターンまたは基板の欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】挿入端子を有する電子部品が実装されたプリント基板に対して、安価に精度良く良否判定を行う。
【解決手段】プリント基板２０にＸ線を照射するＸ線照射ステップと、Ｘ線照射ステップにおいて照射しプリント基板２０を透過したＸ線を検出するＸ線検出ステップと、Ｘ線検出ステップにおいて検出したＸ線に基づいて、スルーホール２１の複数位置での水平断面画像を生成する断面画像生成ステップと、断面画像生成ステップにおいて生成した水平断面画像に基づいて、半田上がり高さを検出する検査ステップと、検査ステップにおいて検出した半田上がり高さに基づいて、半田付け状態を判定する判定ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】ランドの仕様および部品電極の仕様によって良品の半田形状にばらつきが生じている場合にも、精度良く半田付け状態の良否判定を行う。
【解決手段】基板２０にＸ線を照射するＸ線照射ステップと、Ｘ線照射ステップにおいて照射し基板を透過したＸ線を検出するＸ線検出ステップと、Ｘ線検出ステップにおいて検出したＸ線に基づいて、ランド２２と半田４０間の水平断面画像、及び半田４０の水平断面画像を生成する断面画像生成ステップと、断面画像生成ステップにおいて生成したランド２０と半田４０間の水平断面画像、及び半田４０の水平断面画像のコントラスト差に基づいて、半田付け状態を判定する判定ステップとを有する。 （もっと読む）