【課題】 既知情報及び実測データに基づく特定サテライトピークのフィッティングにより、十分な精度のプロファイル解析が行えるＸ線回折測定解析方法及びプログラムを実現し、また、一致状態を一般性を失うことなく大局的に見通しよく２次元表示する。
【解決手段】 実測プロファイルから周期Ｌと平均格子定数ａを求め、交互に積層された一方の薄膜の膜厚Ｌ１及び格子定数ａ１の初期値を設定する設定段階と、Ｌ、ａ並びにＬ１及びａ１の初期値から、他方の薄膜の膜厚Ｌ２及び格子定数ａ２の値を算出する変数算出段階と、Ｌ、ａ、Ｌ１及びａ１の初期値並びにＬ２、ａ２の計算値に基づいて解析プロファイルを得る解析プロファイル作成段階と、両プロファイルを比較して一致の度合いを調べる比較段階と、一致の度合いが一致基準を満たすか否かを判定し、満たすときはＬ１、ａ１、Ｌ２及びａ２の値を測定値とし、満たさないときは、Ｌ１及びａ１の初期値のいずれかを変更して再び変数算出段階に戻る判定段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来の４軸ゴニオメータよりも簡素な３軸ゴニオメータを用いて格子定数の測定を可能にし，かつ，従来よりも試料表面上のＸ線照射面積の変化を小さくする。
【解決手段】試料ホルダー３６とＸ線検出器４８の間に，開口幅可変の第１スリット５０と第２スリット５２を配置する。第１スリットの開口は，回折平面（入射Ｘ線と回折Ｘ線とを含む平面）に平行に延びている。第２スリットの開口は回折平面に垂直に延びている。Ｘ線検出器と第１スリットと第２スリットは２Θ軸の周りに２θ回転する。試料ホルダー３６は，２Θ軸と同軸のΩ軸の周りにω回転でき，かつ，回折平面内に存在するΦ軸の周りにφ回転できる。この３軸ゴニオメータと二つのスリット５０，５２を用いて，少なくとも三つのミラー指数について，回折Ｘ線が検出できる三つの角度２θ，ω，φを測定し，それに基づいて格子定数を算出する。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡で観察される回折像を用いた各種結晶試料のナノメータ分解能を有する歪み、応力を測定し、２次元分布のための装置、手法方法を実現することを目的とする。
【解決手段】電子線を試料に微小かつ平行に照射し、これにより得られる結晶構造を反映した回折像のスポット間距離を画素検出器もしくは位置検出器で測定し、測定位置情報と合わせて電子顕微鏡拡大像上に応力の２次元分布を重ねて表示する。
【効果】高速かつ高分解能で微小な結晶中の歪み、応力を試料の構造情報に合せて表示できる。 （もっと読む）

【課題】 任意の測定データを抽出して以前に得られた解析データと同一の解析データが得られることを証明できる分析装置を提供する。
【課題を解決するための手段】 画像を表示する表示装置４と、測定データを記憶する測定データファイル２１と、測定データファイル２１に記憶された測定データに対して解析を行う解析ソフト１８と、解析によって得られた解析データを記憶する解析データファイル２２と、解析に関する解析条件を記憶する解析データファイル２２と、解析データファイル２２に記憶された解析条件を表示装置４に表示させる解析条件表示ソフト１９と、解析データファイル２２に記憶された解析条件に基づいて解析ソフト１８によって解析を行わせる解析再現ソフト２０とを有する分析装置１である。既に存在する解析データと同一の解析データを再現でき、さらに同一であることを証明できる。 （もっと読む）

【課題】 予備的情報を用いず、超格子サテライト次数の情報を考慮することなく、超格子構造の完全性を簡便かつ決定論的に解析する結晶の構造解析方法を提供する。
【解決手段】 所定の結晶面の基板上に形成された超格子構造結晶を、Ｘ線回折により測定して、該超格子構造結晶の異なる面指数の複数の反射プロファイルを取得し、測定された各反射プロファイルにおいて、該反射プロファイル中に観測されるサテライト次数の異なる複数のサテライトピーク同士を、該サテライトピークの頂点を揃えて重ね合わせて、該サテライトピーク同士の拡がり形状を比較し、前記各反射プロファイルにおける前記サテライトピーク同士が、サテライト次数に依らず、全て同一の拡がり形状を有しているか否かを判定して、超格子構造の完全性を確認する。 （もっと読む）

【課題】 成膜製品の製造工程に組み込み、製品を製造ラインから抜き取ることなく、薄膜検査を実施可能とする。
【解決手段】 検査対象を配置する試料台１０と、試料台１０を移動する位置決め機構２０と、第１，第２の旋回アーム３２，３３を備えたゴニオメータ３０と、第１の旋回アーム３１に搭載され、かつシールドチューブ内にＸ線管およびＸ線光学素子を内蔵したＸ線照射ユニット４０と、第２の旋回アーム３３に搭載されたＸ線検出器５０と、試料台１０に配置された検査対象を画像認識するための光学カメラ７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】一台の装置で、小角散乱、Ｘ線回折、反射率測定等を容易に行える装置を提供する。
【解決手段】試料分析装置は、第１のＸ線収束ビームを試料表面に向け、第２のＸ線平行ビームを試料表面に向けるように構成された照射源を含む。動作アセンブリは、照射源を、Ｘ線が試料表面にかすめ角で向けられる第１の光源位置と、Ｘ線が表面に試料のブラッグ角近傍で向けられる第２の光源位置との間で移動させる。検出素子アセンブリは、照射源が、第１および第２の光源構成のいずれか、および第１および第２の光源位置のいずれかにあるときに、試料から散乱したＸ線を角度の関数として感知する。信号処理部は、検出素子アセンブリからの出力信号を受けてこれを処理し、試料の特性を判定する。 （もっと読む）

【課題】結晶構造解析により得られる原子座標と等方性温度因子を用いて結晶内の分子全体又その一部の分子の分子運動を解析するための手段の提供。
【課題解決手段】Ｘ線、中性子線、もしくは電子線を用いて解析された結晶構造の原子座標と等方性温度因子（U_iso）より、一般的特性を保持する異方性温度因子（U_ij）を算出すること、異方性温度因子（U_ij）を算出することに引き続いて、剛体振動（U_ij^rigid）及び内部運動（U_ij^int）を算出することにより、分子全体又その一部の分子の分子運動を解析する方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貝殻内部の真珠層におけるアラゴナイト結晶の配向性を、X線回折により測定することで、光沢のよい真珠を作ることができると思われる母貝の選別検査法を提供する。
【解決手段】
本発明によれば貝内部の真珠層を、X線回折法によって測定することにより、真珠層の結晶の配向性を検査し、その結果２種類の配向性（三軸配向とC軸のみの配向）を選別し光沢のよい真珠層を持つ三軸配向の貝を選別できるという効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】反射電子線検出装置において、結晶粒界とその方位情報を得る他に、磁性材料解析機能や、特定結晶方位の分布検査機能を付加し、より広範な解析を行うことがでるようにする。
【解決手段】操作部１４を使ったオペレータの操作により、解析情報の取得領域が電子線照射軸に対して垂直とされたとき、システム制御部１５の制御に基づいて、前記電子線像における前記取得領域の縦方向に画素の輝度を積算し、解析情報として試料の磁区パターン情報を得、システム制御部１５に送る。システム制御部１５は、前記磁区パターン情報に応じた画像を表示部１３に表示する。 （もっと読む）

【課題】切断などの加工や平行に並べたりする手間を要することなく、伸線材の結晶配向性を評価することが可能なＸ線回折測定方法を提供する。
【解決手段】２θ−θ法を用いて、ターゲットからのＸ線を入射コリメータを通して伸線材に当て、伸線材からの回折したＸ線を受光側コリメータを通して計数器に入射して、伸線材の複数の結晶面による回折ピークを測定する。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＭやＲＢＳに比較し、簡便且つ迅速に例えばイオン注入に起因する損傷の深さを測定できるようにする。
【解決手段】固体表面にイオンビームを照射し、その固体表面に絶縁物或いは半絶縁物を生成させつつスパッタエッチングを継続し、その際、固体表面から放出される二次イオンのエッチング時間に対する強度変化を計測して固体試料の単結晶、多結晶、非晶質などの結晶性を評価する方法に於いて、特定のオフセット電圧を固体試料に印加して深さ方向の結晶性変化に伴う二次イオンの強度変化を測定することが含まれてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、結晶表面層における結晶の歪みを、直接かつ確実に評価することができる結晶表面層の結晶性評価方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ線回折法を用いて、結晶１の表面１ｓから深さ方向への結晶性の変化を評価することにより、結晶表面層の結晶性を評価する方法であって、結晶の一つの結晶格子面に対する回折条件を満たすように、連続的にＸ線侵入深さを変えて結晶にＸ線を照射して、この結晶格子面についての回折プロファイルにおける面間隔および回折ピークの半価幅ならびにロッキングカーブにおける半価幅のうち少なくともいずれかの変化量を評価することを特徴とする結晶表面層の結晶性評価方法。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線分析装置のＸ線検出器としてＣＣＤセンサ等といった半導体センサであってＸ線直接検出型の半導体センサを用いる場合に、半導体センサの損傷を長期間にわたって防止できるようにする。
【解決手段】 試料Ｓを支持する試料台１９と、試料Ｓに照射するＸ線を発生するＸ線源２４と、複数の半導体素子を並べることによって形成されていて試料Ｓから出たＸ線をそれらの半導体素子によって直接に受光する半導体センサ４３と、試料ＳのＸ線出射側の領域であって回折角度０°の近傍である低角度領域γに配置されたＸ線ストッパ３３とを有するＸ線分析装置である。半導体センサ４３が低角度領域γの領域内まで２θ回転移動によって運ばれたとき、Ｘ線源２４からのＸ線のダイレクトビームがその半導体センサ４３に直接に入ることをＸ線ストッパ３３によって防止する。 （もっと読む）

【課題】 結晶子の方位や結晶の配向の程度等を極点図を用いて視覚的に明確、簡単且つ迅速に把握できるようにする。
【解決手段】 極点図のためのデータを得るＸ線測定装置と、そのＸ線測定装置によって得られた測定データを記憶するメモリと、画像を表示する表示装置と、メモリに記憶されたデータに基づいて表示装置に表示するための画像データを生成する画像データ生成回路とを有するＸ線回折装置である。画像データ生成回路は、メモリに記憶された極点図のためのデータに基づいて、極点図に対応した球面表示データであって球の中心が方位の原点である球面表示データを生成する。表示装置はその球面表示データに基づいて極点図を３次元球面図３４によって球体表示する。極点図を本来の姿である球面分布で表示するので見易くて正確な判定ができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線直接検出型の半導体センサを用いる場合に、Ｘ線検出面である半導体受光素子の表面に異物が付着することを長期間にわたって確実に防止できるようにする。
【解決手段】 ＣＣＤセンサ４２をパッケージ４０でパッケージングして成るＣＣＤモジュール３２を有するＸ線検出装置である。ＣＣＤセンサ４２は、複数のＣＣＤ素子を並べることによって形成されていて、それらのＣＣＤ素子によってＸ線を直接に受光する。パッケージ４０におけるＣＣＤセンサ４２のＸ線受光面に対向する領域は保護膜４３となっている。この保護膜４３は、Ｘ線を通すことができる材料によって形成されている。保護膜４３は、ＣＣＤセンサ４２のＸ線受光面に異物が付着すること防止する。保護膜４３の周囲は膜支持部材４４によって囲まれている。膜支持部材４４はＸ線を減衰する材料、例えばガラスによって形成されているので、配線４７にＸ線が直接に当たることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の外部幾何構成に関係なく、結晶配向の決定および配向固定における精度の向上を確実にする。
【解決手段】単結晶１の固定はサファイアまたは炭化ケイ素などのきわめて硬い材料を用いて正確におこなう。結晶格子の配向を決定するために単結晶が回転テーブル２上に調整可能に位置決めされ、回転テーブルの少なくとも１回転中に、複数のｘ線反射Ｒに基づき、結晶格子の配向が決定される。単結晶の固定および基準方向に向けられた支持材における固締を行う前に、基準方向としての回転テーブルの軸（Ｘ−Ｘ）に対する格子面ＮＥの法線の決定された角度を参照して、結晶格子の配向が実現される。 （もっと読む）

【課題】蛋白質結晶のＸ線結晶解析を行うに当たり、蛋白質結晶を崩壊させることなく、かつ該結晶を結晶母液のない状態で凍結させる。
【解決手段】一方の端部に内径５０〜１０００μｍの環状突起体を備えたキャピラリーに母液を含む結晶をすくい取り、母液を吸引除去すると同時に結晶を凍結し、環状突起を屈曲し、Ｘ線結晶回折測定を行う。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｒの特性Ｘ線を用いてＸ線分析を行う際に試料から広角度に発生する回折線を正確に測定する。
【解決手段】 試料Ｓに照射するＣｒの特性Ｘ線を発生するＸ線源Ｆと、試料Ｓから出る回折線を受光する蓄積性蛍光体プレートと、試料Ｓと蓄積性蛍光体プレートとの間に配置されたヘリウムパス１３とを有するＸ線分析装置である。ヘリウムパス１３の内部にはヘリウムガスが流される。また、ヘリウムパス１３は試料Ｓから出る回折線を通過させる第１窓５４ａと蓄積性蛍光体プレートの前に位置する第２窓とを有する。蓄積性蛍光体プレートのＸ線受光面は試料Ｓを中心として湾曲する。第１窓５４ａは第２窓よりも小さく形成されており、このため、ヘリウムパス１３は空間的に扇形状に広がっている。Ｃｒの特性Ｘ線、ヘリウムパス及び湾曲する蓄積性蛍光体プレートを用いるので、タンパク質のような複雑な分子の結晶構造をＸ線を用いて簡単且つ迅速に決定できる。 （もっと読む）

【課題】 予備的情報が不要であり、より簡便に、決定論的に解析が可能な結晶の構造解析方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ線回折により、所定の結晶面の基板上に形成された超格子構造結晶の反射プロファイルを測定し、反射プロファイル中に観測されるサテライト次数の異なる複数のサテライトピーク（ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ）同士を、該サテライトピークの頂点を揃えて重ね合わせて、該サテライトピーク同士の拡がり形状を比較し、サテライトピーク同士が、サテライト次数によらず、全て同一の拡がり形状を有しているか否かを判定することにより、超格子構造の完全性を判定する結晶の構造解析方法。 （もっと読む）