【課題】簡単な構成で、ビームラインの方向をほとんど変えずに、Ｘ線の吸収による減衰を抑えながら、Ｘ線を集束又は平行化することができるＸ線屈折方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線Ｂ１が入射又は出射する第１面２と、前記第１面２から離れた位置から当該第１面２の反対側へ前記第１面２に垂直にかつ互いに平行に延びる複数の第２面４及び各前記第２面４の先端からその内側に隣り合う他の第２面４の基端に至るように延びる複数の第３面５を有し、前記第２面４の基端を通り前記第１面２に平行な面、前記第２面４及び前記第３面５により規定される複数のプリズム部６を有する屈折部３と、を備えたＸ線屈折素子１を、前記第１面２がＸ線Ｂ１の入射又は出射軸Ｂ_ｉｎに対して垂直な角度位置から前記第２面４に垂直なＺ軸の回りに所定角度θ回転した位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定により薄膜材料の結晶子径を簡易且つ高精度に測定する薄膜材料の結晶子径測定方法、薄膜に対するＸ線回折測定を行うための測定対象試料、及びこの測定対象試料の製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム上に薄膜が形成されている被検試料を１０枚積層させ、Ｘ線が入射する側から数えて第１番目の被検試料１Ｊと第２番目の被検試料１Ｉとの間に標準粉末試料を仕込み、これを測定対象試料とする。この測定対象試料に対して透過法によるＸ線回折測定を行う。 （もっと読む）

【課題】モルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量を迅速に予測できる方法を提供すること。
【解決手段】セメントクリンカー又は当該セメントクリンカーを含むセメントの粉末Ｘ線回折結果をプロファイルフィッティング法により解析して、セメントクリンカーに含まれるクリンカー鉱物の結晶情報を得る第一工程と、結晶情報を基に、セメントクリンカーを含むセメントから得られるモルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量を予測する第二工程と、を有するモルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量の予測方法。 （もっと読む）

【課題】モルタル又はコンクリートの断熱温度上昇速度を迅速に予測できる方法を提供すること。
【解決手段】セメントクリンカー又は当該セメントクリンカーを含むセメントの粉末Ｘ線回折結果をプロファイルフィッティング法により解析して、セメントクリンカーに含まれるクリンカー鉱物の結晶情報を得る第一工程と、結晶情報を基に、セメントクリンカーを含むセメントから得られるモルタル又はコンクリートの断熱温度上昇速度ｖを予測する第二工程と、を有するモルタル又はコンクリートの断熱温度上昇速度の予測方法。 （もっと読む）

【課題】コンクリート構造物の内部状態を効率良く非破壊検査する検査線発生装置を提供する。
【解決手段】フェムト秒レーザパルスを発生するフェムト秒レーザ発生装置１ａと、該フェムト秒レーザ発生装置１ａから入射したフェムト秒レーザパルスを第１の方向あるいは第２の方向に択一的に出射する可動ミラー１ｂと、該可動ミラー１ｂによって第１の方向に出射したフェムト秒レーザパルスをテラヘルツ光に変換し、検査線として外部に出射する光伝導アンテナ１ｊと、上記可動ミラー１ｂによって第２の方向に出射したフェムト秒レーザパルスに基づいて所定元素のイオン線を発生するイオン線発生器１ｎと、該電子線発生器１ｎから入射したイオン線に基づいて中性子線を発生し、検査線として外部に出射する中性子線発生器１ｓとを具備する検査線発生装置により、効率的な非破壊検査が可能となる。 （もっと読む）

【課題】累積損傷を受けた部材の損傷評価を適切に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】本発明の損傷評価方法は、累積損傷を受けた部材の損傷評価方法であって、評価対象部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差を測定する工程と、測定された前記結晶方位角度差と、予め前記評価対象部材と同一成分系の部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差の測定と累積損傷試験とを行うことにより作成された前記結晶方位角度差と前記累積損傷との検量曲線とを用いて、前記評価対象部材の累積損傷を評価する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶基板の検査方法に関するもので、結晶の検査工程に要する時間を短縮することを目的とするものである。
【解決手段】準備工程として、結晶基板に樹脂溶液を塗布する第１の工程と、検査工程として、前記樹脂溶液を塗布した結晶基板を検査装置に固定し、検査を行い、その後、結晶基板を検査装置から取り外す第２の工程と、検査後工程として、検査装置から取り外された結晶基板を樹脂除去溶媒に浸漬し、結晶基板表面の樹脂を除去する第３の工程と、を備えた結晶基板の検査方法。 （もっと読む）

【課題】測定試料の結晶品質が著しく劣化し、ｔｗｉｓｔ分布に起因したピーク拡がりが著しく大きくなる場合にも、ｔｗｉｓｔ分布に起因したピーク拡がりを同定する結晶の構造解析方法を新たに提供する。
【解決手段】Ｘ線受光器１２の位置は固定し、試料１４のみを回転させるωスキャンモードを用いて、Ｘ線回折測定を行うことにより、横軸がスキャン角度Δθで縦軸がＸ線強度を表すｈｋｌ反射プロファイルを求め、求めたｈｋｌ反射プロファイルについて、再規格化工程、形状解析工程及び判定工程を適用して、ピーク拡がり形状が結晶のモザイク性により生じる局所的なｔｗｉｓｔ分布に起因して生じる形状か否か判定する。 （もっと読む）

【課題】複合部材中の結晶性粒子の結晶方位分布の偏りを解析する、結晶方位分布の偏りの解析方法を提供する。
【解決手段】結晶方位分布の偏りの解析方法は、複合部材中の結晶性粒子の断面を画像化する画像化工程と、画像化工程によって作成された画像のうちの上記結晶粒子の個々の結晶方位を判定する判定工程と、判定工程によって判定された結晶方位の分布を特定する分析工程と、分析工程で得られた分布を解析して結晶方位分布の偏りを解析する解析工程と、を有している。判定工程と解析工程とは、電子後方散乱回折像法を用いて行うことができる。 （もっと読む）

本発明は、試料のＸ線回折（ＸＲＤ）解析及び／又はＸ線蛍光（ＸＲＦ）解析を実行する方法であって、Ｘ線源からのＸ線を試料に照射し、走査波長選択器と波長選択器により選択されたＸ線を検出するＸ線検出器とを備えるＸＲＤ・ＸＲＦ複合検出装置を提供し、走査波長選択器を使用して試料により回折されるＸ線の固定波長を選択してＸ線検出器を使用して試料での１つ又は複数の値の回折角φでの選択された固定波長のＸ線を検出することにより試料のＸＲＤ解析を実行し、及び／又は、走査波長選択器を使用して試料により発せられたＸ線の波長を走査してＸ線検出器を使用して走査された波長のＸ線を検出することにより試料のＸＲＦ解析を実行する方法を提供する。試料のＸＲＤ解析及びＸＲＦ解析の両方を実行する装置であって、走査波長選択器と、ＸＲＤ・ＸＲＦ複合検出装置を備える装置も提供される。 （もっと読む）

【課題】タンパク質の結晶化速度を制御することができる新規タンパク質結晶形成制御剤を提供する。
【解決手段】フッ素原子を含有するケイ酸塩化合物が溶液中のタンパク質に作用することで前記タンパク質の結晶化速度を制御するタンパク質結晶形成制御剤であって、前記フッ素原子を含有するケイ酸塩化合物が好ましくは０．１％〜９質量％、より好ましくは０．３％〜５質量％のフッ素原子を含有する層状ケイ酸塩化合物であるタンパク質結晶形成制御剤をタンパク質が溶解している溶液中に添加する。これにより、タンパク質の結晶化速度を速め、また、タンパク質の結晶核形成頻度と結晶の大きさを制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の加工変質層の評価を簡便かつ定量的にできるような非破壊検査を提供する。
【解決手段】単結晶の加工変質層を検出するための単結晶から得られるＸ線ロッキングカーブの解析方法であって、ピーク強度に対する裾部分の強度の比率に基づいて前記加工変質層を評価する方法である。この際、前記裾野部分の位置を、Ｘ線解析強度がバックグラウンドレベルまで減衰した位置、または、ピーク位置から±５０００秒離れた位置とする。 （もっと読む）

【課題】ナノスケールの高分解能画像を得る。
【解決手段】１以上の試料を特徴付けるための超高速システム（および方法）である。特徴付けられる試料を有するステージ組立部を含む。持続時間が１ピコ秒未満の光パルスを放射することができるレーザー源を有する。レーザー源に接続されたカソードを有し、特定の実施例において、カソードは１ピコ秒未満の電子パルスを放射することができる。ステージ上の試料に電子パルスの焦点を合わせられる電子レンズ組立部を有する。試料を通過する電子を捕らえる検出部を有する。検出部はプロセッサを有し、試料の構造を代表する試料を通過する電子に関連付けられた信号（たとえば、データ信号）を供給する。プロセッサは、試料の構造に関連付けられた情報を出力するために、試料を通過する関連付けられたデータ信号を処理し、出力デバイスに出力する。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜したＩＩＩ族窒化物結晶基板１。 （もっと読む）

【課題】高精度かつ短時間で結晶格子像と相似のモアレパターンを得ることを可能にする。
【解決手段】走査型顕微鏡を用いて、結晶構造の結晶格子モアレパターンを取得する方法であって、前記結晶構造の走査面において、前記結晶構造と方位に対応して、複数の仮想格子点を周期的に配置する工程と、入射プローブを用いて複数の前記仮想格子点からの信号を検出する工程と、検出した前記信号に基づいて、前記結晶構造の結晶格子モアレパターンを生成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】プラズモンロス像を、計算で簡単に算出することが可能な試料解析装置を提供する。
【解決手段】入力部１１がＳＴＥＭ−ＥＥＬＳ法における実験条件と試料情報を取得し、損失関数演算部１２が試料情報をもとに損失関数を算出し、吸収ポテンシャル演算部１３が損失関数と、実験条件の１つでありプラズモン吸収領域に設定されるエネルギースリットをもとに、エネルギースリットを考慮するか否かで２種類の吸収ポテンシャルを算出し、全散乱電子強度演算部１４が２種類の吸収ポテンシャルをもとに、第１及び第２の全散乱電子強度を算出し、プラズモンロス像生成部１５が第１の全散乱電子強度と第２の全散乱電子強度との差分からプラズモンロス像を生成する。 （もっと読む）

【課題】使用後の軸受から、ラジアル荷重、アキシアル荷重、および回転回数を合理的に推定することのできる使用条件推定方法を提案する。
【解決手段】使用後の転がり軸受の回転輪と固定輪に対してＸ線分析を行い、このＸ線分析の結果から回転輪の最大転動体荷重の推定値を得ると共に、固定輪の任意の１点以上の位置での転動体荷重の推定値を得る（Ｓ１）。得られた回転輪の最大転動体荷重の推定値と固定輪の任意の１点以上の位置での転動体荷重の推定値とから軸受の負荷分布を推定する（Ｓ２）。この負荷分布と軸受における転動体と内外輪との接触角とから、ラジアル荷重とアキシアル荷重とを推定する（Ｓ３）。負荷分布と、負荷回数Ｎ、繰り返し応力Ｓ、Ｘ線分析で求まる半価幅ｗ(°）の関係を求めておいた結果とから、使用された回転回数を推定する（Ｓ４）。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定により結晶構造を評価する際、反射指数ｈｋｌ依存性を用いて、ピーク拡がり要因を簡便に解析、同定する結晶の構造解析方法を提供する。
【解決手段】ピークの中心部分のピーク拡がり形状は受光系開口角に依存しない不変な形状になっているが、ピークの中心部分から離れた位置に、受光系開口角に依存してピーク形状が変化するサブピークが現れる場合、広開口角条件(w/o slit)で測定したｈｋｌ反射プロファイルにおいてサブピークが観測されず、狭開口角条件(with slit)で測定したｈｋｌ反射プロファイルにおいてサブピークが観測されることを確認することにより、大きなｔｗｉｓｔ角の差を有する領域に関して、サブピークの要因として、ｔｗｉｓｔ角の差以外の要因の寄与も存在することを判定する。 （もっと読む）

【課題】炭素系材料中のｓｐ^２炭素−炭素結合量とｓｐ^３炭素−炭素結合量との概算的な割合を精度よく求めることができる炭素系材料の分析方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線吸収分光法により炭素系材料のｋ殻吸収端スペクトルを測定し、得られたｋ殻吸収端スペクトルから、ｓｐ^２結合量に相応する量Ａと、ｓｐ^３結合量全体に相応する量Ｂと、ｓｐ^３炭素−炭素結合以外のｓｐ^３結合量に相応する量Ｂ１とを求め、前記量Ａをｓｐ^２炭素−炭素結合量とみなし、前記量Ｂから前記量Ｂ１を引いた量Ｂ２をｓｐ^３炭素−炭素結合量に相応する量とみなして、ｓｐ^２炭素−炭素結合量とｓｐ^３炭素−炭素結合量との概算的な割合を求める。 （もっと読む）

【課題】 多量の反応ガスを流しながらＸ線回折で試料（亜鉛フェライト脱硫剤）の反応過程（炭素析出）をその場で観察する。
【解決手段】 試料を流通する前と流通した後の反応ガスの組成が変化しない状態に試料２１を保持する微分反応評価試料保持部１５を備え、検証条件を保持した状態でＸ線回折装置（Ｘ線発生手段２５、二次元Ｘ線検出手段２６）により試料２１の組成の形態変化をその場で直接解析し、炭素の析出が生じる過程での形態変化を検証する。 （もっと読む）