【課題】 介在物を介して結晶粒が時間の経過と共にどのように変化するのかを、従来よりも容易に且つ正確に解析できるようにする。
【解決手段】 固定点ｉがインヒビターｋの中心位置ｂｋに固定されているときの、固定点ｉが属する粒界ｕの粒界エネルギーＥｉと、中心位置ｂｋから解放されて平衡位置にあるときの、解放された固定点ｉが属する粒界ｕの粒界エネルギーＥｉ'と、固定点ｉｋが解放されるときの、当該固定点ｉが属する粒界ｕの粒界エネルギーＥｉ''とを算出する。そして、粒界エネルギーＥｉ'が粒界エネルギーＥｉよりも小さく、粒界エネルギーＥｉ''と粒界エネルギーＥｉとの差が障壁エネルギーＥ０よりも小さい場合にｎ（ｎは４以上の整数）重点である固定点ｉｋを、（ｎ−１）重点の固定点ｉｋにすると共に、当該固定点ｉｋとラインを介して相互に接続される三重点を、解放する点として発生させる。 （もっと読む）

【課題】 介在物を介して結晶粒が時間の経過と共にどのように変化するのかを、従来よりも容易に且つ正確に解析できるようにする。
【解決手段】 、粒界点の位置を変化させた結果、ラインｐがインヒビターｋを追い越してしまっているか否かを判定し、追い越してしまっている場合には、インヒビターｋの中心位置ｂｋに固定点ｉｋを発生させ、これに伴い、インヒビターｋを追い越したラインｐの両端点（粒界点）を通るラインの変更処理を行う。したがって、インヒビターｋ付近における結晶粒Ａ（粒界ｕ）の挙動を可及的に忠実にシミュレーションすることができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法で、精度よく結晶軸比を測定できる結晶軸比測定方法を提供する
【解決手段】測定対象物である結晶材料の晶帯軸［ＵＶＷ］に収束電子線を入射して、収束電子線回折パターンの透過ディスクに現れたＨＯＬＺ線（１ａ）の極座標（θ１ａ，ρ１ａ）と、晶帯軸［ＷＶＵ］，晶帯軸［ＵＷＶ］及び晶帯軸［ＶＵＷ］から選ばれる晶帯軸（なお、入れ替えた指数にはバーが付いていてもよい）に収束電子線を入射して、収束電子線回折パターンの透過ディスクに現れた、前記ＨＯＬＺ線（１ａ）と対称の線指数のＨＯＬＺ線（１ｂ）の極座標（θ１ｂ，ρ１ｂ）を測定し、ρ１ａとρ１ｂとの差分（Δρ_ＥＸＰ）を求めて、該差分（Δρ_ＥＸＰ）の値をフィッティングパラメータとして用いて結晶軸比を算出する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定において、プロファイル中心部分から離れた部分の成因についても解析可能とする。
【解決手段】バルク結晶等の試料をＸ線回折測定して構造解析する。このとき、スキャン角度をΔθ、反射指数ｈｋｌ面と試料表面との角度を面角度をθｃとして、Ｘ線回折プロファイルの横軸をΔθ／sinθｃとしてプロットし、解析対象ピークのピーク拡がり形状が、結晶のモザイク性により生じる局所的なtwist分布に起因して生じるピーク拡がり形状であるか否かを判定する方法において、Ｘ線回折プロファイルを広開口角条件と狭開口角条件の２種類の条件で測定し、両開口角条件で不変性を示すピーク拡がり形状部分がtwist分布に起因した普遍的分布に対応することを同定する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定において、主ピークから離れたサブピーク部分の成因についても解析可能とする。
【解決手段】バルク結晶等の試料をＸ線回折測定して構造解析する。このとき、スキャン角度をΔθ、反射指数ｈｋｌ面と試料表面との角度を面角度をθｃとして、Ｘ線回折プロファイルの横軸をΔθ／sinθｃとしてプロットし、解析対象ピークのピーク拡がり形状が、結晶のモザイク性により生じる局所的なtwist分布に起因して生じるピーク拡がり形状であるか否かを判定する方法において、主ピークから離れた部分に現れるサブピークの成因が、不均一なtwist分布中の大きくtwistした特異な部分からのピークであるか否かを判定する工程を備えている。つまりサブピークの形状自体は一致しなくても、サブピーク観測位置が指数ｈｋｌに依存しない場合には、サブピークの成因が、不均一なtwist分布中の大きくtwistした特異な部分からのピークであると判定する。 （もっと読む）

【課題】ナノメートルレベルの高強度なＸ線マイクロビームを実現する。
【解決手段】Ｘ線集光レンズは、屈折率がＮ₁のカーボン層３の上下を屈折率がＮ₂のルテニウム層２，４で挟んだ導波路構造を有し、カーボン層３の一部に形成された屈折率がＮ₃のＸ線位相シフター層５と、上部ルテニウム層４の表面上の一部に形成された屈折率がＮ₂以上のＸ線遮蔽層６を有する。位相シフター層５は、Ｘ線の波長をλ、焦点距離をｆ、Ｘ線ビームの中心からＡＹ方向に沿った距離をＹ_n（Ｑ／Ｐ）＝｛ｎλｆ＋２λｆ（Ｑ／Ｐ−１）｝^1/2（ｎは偶数、ＰとＱは１≦Ｑ≦Ｐを満たす整数）としたとき、Ｙ_n（Ｑ／Ｐ）の位置とＹ_n（（Ｑ−１）／Ｐ）の位置との間の領域に配置され、Ｘ線位相シフター層５の長さｔ（Ｑ／Ｐ）は、ｔ（Ｑ／Ｐ）＝（Ｑ−１）×λ／｛Ｐ×（Ｎ₃−Ｎ₁）｝である。 （もっと読む）

【課題】２つの結晶の方位関係と結晶粒界の特性をリアルタイムで正確に確認できることを特徴とし、透過電子顕微鏡のゴニオメ−タを利用した隣り合う結晶粒の結晶学的方位関係と結晶粒界の特性を測定する測定装置及びその測定方法を提示する。
【解決手段】このため結晶軸（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）に対してゴニオメ−タを利用してＸ傾斜軸及びＹ傾斜軸にそれぞれ垂直する軸である（Ｔｘ，Ｔｙ）値を測定し、測定された結晶軸（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）に対する３つの（Ｔｘ，Ｔｙ）値から（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）結晶軸の挟角を求める。次いで（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）の結晶指数から結晶学的な方法で（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）の挟角を求める。次いで、測定された（Ｔｘ，Ｔｙ）値から得た（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）の挟角と結晶学的に算出した挟角とを比較して、その差を最小化する（Ｔｘ，Ｔｙ）値を正確な測定値として選択して、傾斜軸と結晶軸（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）間の関係を樹立する。次いで２つの結晶間の脱角行列を利用して結晶粒界の特性を糾明する。 （もっと読む）

【課題】結晶のＸ線回折測定および中性子回折測定より得られるシグナルからさらに精密に原子の位置を求めて原子配列を決定することができる方法を提供する。
【解決手段】サンプルに含有される測定対象の化合物の結晶の原子配列を決定する方法であって、（ａ）と（ｂ）の工程を含み、（ｃ−１）の工程を少なくとも１回含むことを特徴とする結晶の原子配列の決定方法。
（ａ）Ｘ線回折の測定により得られたシグナルのリートベルト解析を行い、結晶中の原子の各席の分率座標を算出する工程。
（ｂ）中性子回折の測定により得られたシグナルのリートベルト解析から結晶中の各席の占有率を算出する工程。
（ｃ−１）（ｂ）の工程で算出した占有率を用いて、Ｘ線回折の測定により得られたシグナルのリートベルト解析から分率座標を算出する工程。 （もっと読む）

【課題】微小領域の歪みを簡単に測定できるようにする。
【解決手段】立方晶の金属組織に１５ｎｍ〜１００μｍ間隔で電子線を照射して、後方散乱電子回折像法より測定点毎に結晶方位を決定し、決定した結晶方位分布および隣接する前記測定点間の方位角度差より、格子歪を決定し、前記格子歪に基づいて金属組織上における残留応力分布を求める。また、求めた残留応力分布および測定対象の金属材料の降伏応力に基づいて塑性域と判定された領域において、前記方位角度差と前記金属材料の弾性限とに基づいて、塑性変形により生じた角度差を算出し、前記算出した角度差に基づいて、幾何学的に必要な転位の転位密度を予測する。 （もっと読む）

【課題】ブラッグピークの発現を低減させた中性子散乱実験用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム、クロム、鉄及びニッケルからなる群から選択される少なくとも１種の金属２．８〜１２．８重量％並びにバナジウム８７．２〜９７．２重量％からなるバナジウム合金を含む中性子散乱実験用部材。 （もっと読む）

【課題】多結晶固体のＥＢＳＤ測定から得られる前記多結晶固体の結晶方位情報と位置情報とを含む数値データを使用して、実材料を詳細に反映した材料特性の三次元数値解析を、詳細でかつ誤差の少なく実行できるようにする。
【解決手段】多結晶固体を構成する結晶粒に対して、後方散乱電子回折装置を用いて１つの結晶粒について複数の測定点を含むように測定対象の各結晶粒を計測されて得た数値データＡ_iを入力し、入力された数値データＡ_iを有限要素に割り付け、前記有限要素に三次元テンソルで表わされる物性値を与えて有限要素モデルを構築し、該有限要素モデルを用いて前記数値データＡ_iを数値解析する。 （もっと読む）

【課題】後方散乱電子線回折（ＥＢＳＤ）法により得られた塑性変形を受けていない多結晶材料の結晶情報を用いて、多結晶材料が巨視的変形を受けた際の微視組織の不均一変形状態を、簡易な方法で迅速且つ確実に予測し、多結晶材料の塑性変形時の機械特性を正確に得る。
【解決手段】多結晶材料からなる試料について、後方散乱電子線回折法によって得られた各測定点の結晶情報を用いた多結晶材料の変形特性を予測する際に、各測定点の結晶情報を入力するステップと、入力された各測定点の結晶情報を用いて、各測定点と１対１に対応するように要素分割し、離散化モデルを作成するステップと、離散化モデルを用いて、所定の境界条件の下に変形解析を行うステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】試料内部の広い範囲に亘る不純物の微量分析とともに内部欠陥の状態を判断し得る溶媒難溶解性材料の内部組織観察方法を提供する。
【解決手段】グロー放電質量分析法により難溶解性材料からなる被測定物を研削すると共に研削面の元素濃度を測定し、元素濃度測定後の研削面の表面形状を触針式表面粗さ計により測定し、得られた元素濃度および表面形状の測定結果から被測定物の内部欠陥の状態を判断する材料の内部組織観察方法。 （もっと読む）

【課題】ナノビーム電子回折法の格子歪測定精度を向上し、結晶試料における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定する。
【解決手段】回折スポット１４と透過スポット１５の間隔（あるいは異なる回折スポットの間隔）１６（Ｋ）と格子面間隔ｄとの間には、Ｋ＝１／ｄの関係がある。従って、スポット間隔Ｋの変化から格子面間隔の変化、すなわち格子歪を知ることができる。コンデンサレンズ絞り２を明瞭に観察することにより、回折スポット間隔の測定精度を高くする。この結果、格子歪の測定精度が向上する。そこで、電子回折図形を観察し記録するステップにおいて、コンデンサレンズ絞り２に焦点が合うように中間レンズ１１を調整する。これにより、結晶試料４における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 解析対象領域の境界線の部分において結晶粒が時間の経過と共にどのように変化するのかを、従来よりも正確に解析できるようにする。
【解決手段】 境界点ｉ２１〜ｉ２４と隣接する点ｉ２５〜ｉ３４と、解析対象領域に対して線対称となる仮想点８１〜８８を設定し、これら境界点ｉ２１〜ｉ２４と、点ｉ２５〜ｉ３４と、仮想点８１〜８８とにより定まる円弧９１〜９８の曲率（曲率半径Ｒｉ（ｔ）の逆数）と、その境界点ｉが属する粒界ｕの単位長さ当たりの粒界エネルギーの大きさ（絶対値）γｉとの積に基づいて、境界点ｉの駆動力Ｆｉ（ｔ）の大きさを決定する。 （もっと読む）

ＮＥＭＯタンパク質のＣＣ２−ＬＺドメインの結晶であって、その三次元構造が解像度約３．２５ÅでのＸ線回折により決定されている。本発明は、また、ＣＣ２−ＬＺドメインのための結晶化方法に関する。ＣＣ２−ＬＺ結晶及びまたそれらの結晶構造に由来する情報を使用して、ＣＣ２−ＬＺとの相互作用に入る化合物を同定及びデザインする。 （もっと読む）

【課題】コヒーレントＸ線を用いた散乱測定において、測定部位を実デバイスと同様の条件で作製できるＸ線評価用試料及びその作製方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１に対し、実デバイス形成時と同様の工程を実施する。その後、シリコン基板１１を切断して、測定部位１３を含む所望の大きさの試料２０を切り出す。次に、試料２０の裏面側を研磨してＸ線が透過する厚さにした後、試料２０の裏面にＡｕ等の金属からなるＸ線吸収膜２３を形成する。次いで、測定部位１３の近傍に、試料２０を貫通する参照光用穴２４を形成する。また、Ｘ線吸収膜２３をパターニングして、測定部位１３の裏面側に物体光用開口部２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系試料をＸ線回折測定して、twist 分布の存否を判定する。
【解決手段】ＧａＮ系試料をＸ線回折測定して、選択した複数の異なる反射指数hklごとのhklプロファイルを求める。選択した反射指数hklで特定される反射指数hkl面と試料表面との角度を面角度θｃとし、各hklプロファイルの横軸であるスキャン角度Δθをsinθｃで割り、hklプロファイルの横軸をΔθ／sinθｃに規格化しなおし、複数の選択した反射指数hklごとの再規格化したhklプロファイルを求める。しかも、面角度θｃを６０度より小さい範囲とする。複数の再規格化したhklプロファイルを、ピーク頂点をそろえる状態にして重ね、重ねた複数の再規格化したhklプロファイルのピーク拡がり形状が一致する場合には、hklプロファイルのピーク拡がり形状は、結晶のモザイク性により生じる局所的なtwist 分布に起因して生じるピーク拡がり形状だと判定する。 （もっと読む）

【課題】有機光学結晶にレーザー光を照射して連続的に使用するために、あらかじめ非破壊で容易かつ簡便な有機光学結晶のレーザー被照射耐性を評価する方法を確立すること、またその評価方法によって評価されたレーザー被照射耐性を有する有機光学結晶を提供する。
【解決手段】有機光学結晶にレーザーを照射する前に回折解析工程により、有機光学結晶のレーザー被照射耐性の有無を判断する評価方法を確立することができ、またその評価方法によって評価されたレーザー被照射耐性を有する有機光学結晶を非破壊で容易かつ簡便に幅広い分野へ提供することができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージング内の剤形、たとえばブリスターパック内の錠剤を含む医薬製品の試験を、剤形をパッケージングから取り出すことなく行う。
【解決手段】パッケージング内の剤形、たとえばブリスターパック内の錠剤を含む医薬製品を、剤形をパッケージングから取り出すことなく試験するために角度分散X線回折が使用される。剤形は、X線を生成するX線源、X線光学系およびX線検出用のX線検出器を有する測定システムと整列させられる。次いで、剤形上の所定の位置において少なくとも一つのX線シグネチャが測定される。測定されたX線シグネチャはデータ・ライブラリ内の基準X線シグネチャと比較される。 （もっと読む）