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Fターム[2G001KA11]の内容

Fターム[2G001KA11]に分類される特許

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【課題】表面に酸化膜を有する溶融亜鉛系めっき鋼板、電気亜鉛系めっき鋼板及び冷延鋼板について、表面の酸化物厚さを、既存手法より簡便・迅速、かつ正確に評価できる品質管理方法及び前記鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】溶融亜鉛系めっき鋼板の表面に0.1〜5kVのなかから選ばれる加速電圧で加速された電子ビームを照射し、表面から発生する2次電子量に対応した信号強度を測定して信号強度数値として数値化する数値化ステップと、得られた信号強度数値が所定範囲に入るか否かにより、前記溶融亜鉛系めっき鋼板がその表面に所定性状の酸化膜を有しているか否かを判定する判定ステップとを有することを特徴とする、表面に酸化膜を有する溶融亜鉛系めっき鋼板の品質管理方法。 (もっと読む)


【課題】耐火物測定装置において放射線を用いて照射側耐火物と検出側耐火物のそれぞれの耐火物厚みを検出できないという課題があった。
【解決手段】耐火物厚み測定方法は、放射線を管材料に照射し、管材料と管材料内側の耐火物とを通過した減衰放射線を検出し、放射線を照射した管材料の表面の照射位置表面温度、及び、減衰放射線を検出した管材料の表面の検出位置表面温度を検出し、検出した減衰放射線の減衰強度から管材料の減衰強度を取り除いて、耐火物の減衰強度を算出し、耐火物の減衰強度から、耐火物厚みを算出し、照射位置表面温度と検出位置表面温度を用いて、耐火物厚みから照射側耐火物厚み及び検出側耐火物厚みを算出する耐火物厚み測定方法を構成する。 (もっと読む)


【課題】 電子ビーム照射で変質しやすい試料を、操作性やスループットを損なわずに正確にイオンビームエッチング加工する手段を提供する。
【解決手段】 イオンビーム鏡筒1と電子ビーム鏡筒2を有し、イオンビームによるエッチング加工中の試料の状態を電子ビームによる観察あるいは計測可能な装置において、第一に加工部分全体を含む電子ビームによる二次信号による観察像を取得し、第二に前記観察像の中で照射可能領域7と照射禁止領域8を設定し、第三に前記照射可能領域7のみに電子ビーム照射を制限する。 (もっと読む)


【課題】酸化処理ガスと光照射とを用いた酸化プロセス系に供された基板の最表面温度を測定する。
【解決手段】酸化処理ガスと光照射とを用いた酸化プロセス系に供されている基板に形成された酸化膜の膜厚の測定結果に基づき基板の表面温度を測定する。前記酸化処理ガスとしては酸素ガス等の酸化性ガスが挙げられる。前記酸化膜の膜厚は楕円偏光解析法またはX線光電子分光法が例示される。前記酸化プロセス系内では基板を中空に配置させると、光が直接当たらない基板表面の表面温度測定に適用できる。 (もっと読む)


【課題】試料の構造の局所的な不均一性を評価する。
【解決手段】X線照射部10はコヒーレントなX線を発生し、照射X線11として試料12の局所的な領域に照射する。そして、散乱X線検出部14は試料12からの散乱X線11aの散乱強度を検出する。この時検出される散乱強度の分布は、試料12の膜厚、密度および表面・界面のラフネスや結晶方位といった構造が不均一である場合、その不均一性を反映したスペックルとなる。演算部16は、このスペックルに基づいて、試料12からの散乱X線11aの散乱強度の不均一さを表すパラメータを算出し、試料12の構造の不均一性の指標とする。 (もっと読む)


【課題】どのような多層プリント配線板の場合でも、その内層回路の状態を任意の角度から把握することが可能な非破壊検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】固定式X線発生器、固定式垂直透過X線検出器及び2N個以上(N≧1の整数)の可動式の傾斜透過X線検出器を用いてプリント配線板の内部回路構造を測定し、プリント配線板を透過したX線を、固定式垂直透過X線検出器及び2N個以上(N≧1の整数)の傾斜透過X線検出器を用いて検出し、この検出器で得られたX線強度を信号に変換し、この信号を用いて、当該プリント配線板が備える外層から内層に至るまでの回路形状を立体構造的に表示する測定方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】焼入れ硬化層の深さ等を高精度に評価できて、高度な焼入れ品質が要求される焼入れ部品でも好適に使用可能な焼入れ硬化層の評価方法及びその装置を提供する。
【解決手段】焼入れ部品の硬化層形成部分を誘導加熱して硬化層を形成した後に、前記硬化層の画像を撮像すると共に硬化層の電気的特性値を測定し、該画像データと電気的特性値とに基づいて硬化層の深さ等を評価することを特徴とする。また、前記画像が、X線による透過画像もしくは光CT、磁気共鳴による断層画像であり、前記電流的特性値が、電流値と周波数の少なくとも一つであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】磁気ヘッドのリード素子の素子形状を評価する素子評価方法及び装置に関し、同一の評価試料によってリード幅、コア幅及び素子高さを評価しうる素子評価方法及び装置を提供する。
【解決手段】第1の材料よりなる第1の部分と第2の材料よりなる第2の部分とが積層された第1の領域に電子線を入射し、第1及び第2の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第1の電子線強度を測定し、第1の材料よりなる第2の領域に電子線を入射し、第1の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第2の電子線強度を測定し、第2の材料よりなる第3の領域に電子線を入射し、第2の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第3の電子線強度を測定し、第1の電子線強度と第1の部分の厚さとの関係を、第2の電子線強度と評価試料の厚さとの関係及び第3の電子線強度と評価試料の厚さとの関係から算出することにより、第1の領域の第1の部分の厚さを算出する。 (もっと読む)


【課題】減衰特性が未知の物質であっても、短時間にその材質を識別することができ、かつ予めX線の検出出力と対象物の厚みとの特性データを求める必要がない高速材質識別検査装置および方法を提供する。
【解決手段】被検査物5に2以上の異なる方向から複数の強度の入射X線7を照射するX線照射装置14と、被検査物を透過した透過X線8の強度と複数のX線透過画像から被検査物の厚さxを検出するX線検出装置16と、複数の強度、透過X線の強度、および厚さから被検査物の原子番号Zと電子密度ρを算出し、これから被検査物の材質を識別する演算装置18とを備える。比例定数A,Bに少なくとも一方を、原子番号が4から30の物質においてX線の減弱係数の線形性を利用して近似的に解く。 (もっと読む)


【課題】数〜数十原子層の膜厚からなる絶縁体層の膜厚に関して汎用性を損なうことなく測定精度を向上させた膜厚測定方法、及びその膜厚測定方法を用いて絶縁障壁層の膜厚を制御する磁気デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】測定対象層11と、測定対象層11と異なる電子密度を有するスペーサ層12とが基板Sの上に交互に積層された測定試料10に対してX線を照射して小角度のスキャンを行うことにより測定試料10のX線回折スペクトルを測定する。そして、X線の波長をλ、X線回折スペクトルに基づくn次の回折角をθ、X線回折スペクトルに基づくm次の回折角をθ、スペーサ層12の膜厚をスペーサ膜厚Tとするとき、測定対象層11の対象膜厚Tを式(1)に基づいて測定する。 (もっと読む)


【課題】結晶性試料を傾斜させずに該結晶性試料を評価することが可能な試料評価装置及び試料評価方法を提供すること。
【解決手段】試料Sに電子線EBを透過させることによりZOLZ図形39を得るステップS1と、ZOLZ図形の幾何学的特徴と、試料厚さ及び格子湾曲量との対応関係に基づいて、電子線EBが透過した部分の試料Sの厚さtと格子湾曲量Δθとを求めるステップS2とを有する試料評価方法による。 (もっと読む)


【課題】 薄膜試料の膜厚情報を簡単に得ることができて、観察及び又は分析に適した視野を迅速に選択できるようにする。
【解決手段】 下地の無い薄膜試料に電子線を照射して反射電子像を測定する。
反射電子像を測定した条件と同等の条件で膜厚既知の試料からの反射電子信号強度を測定して基準強度とし、反射電子像の反射電子強度と基準強度との強度比の分布を画像表示する。この強度比を観察や分析の目的別に定めた閾値によって複数のクラスに分割し、クラス毎に異なる色を割り当てて画像表示すれば、観察及び又は分析に適した視野を迅速に選択することができる。 (もっと読む)


【課題】 多波長X線反射率測定装置及び試料評価方法に関し、簡単な構成により多波長X線によるX線反射率の測定を同時に行う。
【解決手段】 連続的なエネルギー分布を有する連続波長X線2を放射するX線源1と、連続波長X線2を分光することが可能なポリクロメータ3と、ポリクロメータ3からの多波長X線4の試料5に対する入射角を変えることが可能な試料回転手段6と、試料5によって反射された反射X線7の強度の測定が可能な1次元或いは2次元の検出器8を備え、多波長X線4の反射率測定を同時に行う。 (もっと読む)


【課題】検査対象を破壊することなく、従来に比べてより簡易に被検体の材料を識別することのできる非破壊識別方法及び非破壊識別装置を提供する。
【解決手段】非破壊識別装置は、既知の材質からなる標準試料5及び被検体3にX線2を放射する線源1と、これらを透過した放射線を検出するセンサ4と、センサ4の信号を画像に変換する信号処理装置7と、得られた画像における標準試料5部分の輝度値或いは輝度値と標準試料5の厚みの関係が、線源1のエネルギーを第1のエネルギーとした場合の第1の画像と、第2のエネルギーとした場合の第2の画像とにおいて同じになるように当該第2の画像全体に調整を施し、調整を施した第2の画像と第1の画像との差分或いは比を取る演算処理を行う画像演算処理装置8と、画像を表示する表示装置9とを具備している。 (もっと読む)


【課題】最小限の標準試料及び観察対象となる試料からそれぞれ得られる二次信号に関する最小限の検出結果から観察対象となる試料の膜厚を正確にかつ安定して測定することが可能な膜厚測定方法及び膜厚測定装置並びに試料作製方法及び試料作製装置を提供する。
【解決手段】膜厚測定方法は、標準試料における電子ビームの加速電圧と電子ビームに対する二次信号の強度比との関係である標準データを作成する標準データ作成工程S1と、標準データの変化点の加速電圧を基準値として抽出する基準値抽出工程S2と、対象試料に電子ビームを照射して電子ビームの加速電圧と電子ビームに対する二次信号の強度比との関係である測定データを作成する測定データ作成工程S3と、測定データの変化点の加速電圧を特性値として抽出する特性値抽出工程S4と、基準値と特性値との比較に基づいて標準試料の膜厚に対して対象試料の膜厚を評価する評価工程S5とを備える。 (もっと読む)


【課題】CADデータを2次元的にだけでなく、3次元的にも利用して実際のパターンと理想パターンとの比較を容易にすることのできる荷電粒子システムを提供するものである。
【解決手段】本発明では、荷電粒子線の試料に対する照射角度の情報を用いて、理想的なパターン(例えば、CADデータ等の設計データ)を2次元的表示から3次元的表示に変換して、観測画像と共に表示するようにしている。重ね合わせると、両者の比較はし易い。なお、理想的なパターンとしては、半導体の設計情報に基づく回路パターン(CADデータ)の他、半導体ウェーハ上に露光を行う際の露光マスクに基づく露光マスクパターン、及び露光用マスクと露光条件に基づく露光シミュレーションに基づく露光シミュレーションパターン等があり、それらの少なくとも1つを3次元的に表示するようにしている。 (もっと読む)


【課題】コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得し、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する方法の提供。
【解決手段】半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ18に100eV以上1000eV以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した2次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハ18を移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ18表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ18面内分布を表示する。 (もっと読む)


【課題】スペース部の底面からの脱出電子を遮断してライン部の分析が可能な光電子分光分析法を提供する。
【解決手段】 L/Sパターンのライン部12の延在方向に直交する方向に沿った断面において、特定のライン部12の側面2の基板10表面での位置から特定のライン部12に隣接する他のライン部の側面2に対向する側面の上面6の位置を結ぶ線が底面4となす第1角度を算出し、断面において、底面4から第1角度より小さく、0度より大きい第1検出角を設定し、断面に投影した角度の余角が第1検出角度となり、検出領域の側面2側の一端から他端までの通過距離が、基板10中での光電子の非弾性平均自由行程で規定される脱出深度より小さくなる第2角度を算出し、第2角度を底面4に投影した角度の余角を第2検出角と決定する。L/Sパターンはスペース部14を挟んで、脱出深度より小さい幅のライン部12を一定の間隔で配列している。 (もっと読む)


【課題】多孔性シリコンからなる光線力学的療法用製剤及びそれから発生する活性酸素の定量的測定方法を提供する。
【解決手段】多孔性シリコン(PSi)が熱または爆発によって癌細胞を殺す新しいPDTでのナノ爆弾剤に使用される場合、活性酸素の放出がほとんどないのに十分な熱を発生させて癌細胞を殺すことができる安全で信頼性ある新しい癌治療剤としてPSiを提案することで、副作用がない癌治療法の開発に寄与する。また、本発明は、その時に発生する微量の活性酸素をX線回折分析で定量して、信頼性及び再現性ある活性酸素発生量の測定技術を提供する。 (もっと読む)


【課題】薄膜積層体上に厚い膜がある試料に対し、薄膜積層体の膜厚を高い精度で計測し、検査することが可能なX線反射率測定法を提供する。
【解決手段】薄膜積層体上に厚い膜の膜厚の3分の1以下に集光したX線を、厚い膜の端面から入射し、厚い膜を透過して、薄膜積層体に入射し、反射したX線が再度、厚い膜を透過し、入射面とは反対の端面から、反射X線として取り出すことで、厚い膜に埋もれた薄膜積層体のX線反射率を測定し、フーリエ変換法や理論曲線との最小二乗法解析により、厚い膜に埋もれた薄膜積層体の膜厚を検査する。 (もっと読む)


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