【課題】試料表面のスピン状態分布を高精度に分析するための電子スピン分析器を提供する。
【解決手段】試料Ｗから放出される二次電子を入射方向に対して横方向に走査する走査偏向器５ａ、５ｂを通してパルス化された二次電子を放出するパルスゲートユニット４と、パルスゲートユニット４から出る二次電子を加速させる加速ユニット７と、加速ユニット７から出た二次電子を照射するターゲット８と、ターゲット８の周囲に配置される電子スピン検出器１５ａ〜１５ｄと、電子スピン検出器１５ａ〜１５ｄから出る二次電子を受けるコレクタ１０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】検出された信号の時間情報に対する補正処理を必要としない位置敏感分析型検出器、その作製方法およびそれを用いた三次元中エネルギーイオン散乱装置を提供する。
【解決手段】２組の一対の絶縁体のそれぞれにワイヤアノードを張設して当該ワイヤアノード同士が互いに直交するように配置した際に、ワイヤアノードが絶縁体とそれぞれ当接する距離が同一となり、かつ、一方の一対の絶縁体に張設されたワイヤアノードにより形成される空間内に、他方の一対の絶縁体に張設されたワイヤアノードが配置可能なように、２組の一対の絶縁体を構成する。 （もっと読む）

【課題】粒子ビームを用いて試料の構造に関する情報を得るための検査方法において、試料から放出された電子およびｘ線から試料に関する情報を得ることができる検出方法および検査装置を提案する。
【解決手段】検査方法は、試料に粒子ビームを集束するステップと、試料に隣接して配置した少なくとも１つの検出器を作動するステップと、少なくとも１つの検出器によって生成した検出信号を異なった強度間隔に割り当てるステップと、強度間隔に割り当てた検出信号に基づいて、検出器に入射した電子に関連した少なくとも１つの第１信号成分を決定するステップと、強度間隔に割り当てた検出信号に基づいて、検出器に入射したＸ線に関連した少なくとも１つの第２信号成分を決定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】炭素系材料中のｓｐ^２炭素−炭素結合量とｓｐ^３炭素−炭素結合量との概算的な割合を精度よく求めることができる炭素系材料の分析方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線吸収分光法により炭素系材料のｋ殻吸収端スペクトルを測定し、得られたｋ殻吸収端スペクトルから、ｓｐ^２結合量に相応する量Ａと、ｓｐ^３結合量全体に相応する量Ｂと、ｓｐ^３炭素−炭素結合以外のｓｐ^３結合量に相応する量Ｂ１とを求め、前記量Ａをｓｐ^２炭素−炭素結合量とみなし、前記量Ｂから前記量Ｂ１を引いた量Ｂ２をｓｐ^３炭素−炭素結合量に相応する量とみなして、ｓｐ^２炭素−炭素結合量とｓｐ^３炭素−炭素結合量との概算的な割合を求める。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡において、従来、複数の方向からの試料の観察を一度に実施することは不可能であり、例えば、試料の３次元形状を求めるには、試料を様々な角度に傾斜させ、得られた各々の画像から３次元形状を再構築するトモグラフィー法、右視野像、左視野像の２枚の画像を試料の傾斜もしくは電子線の照射角度の変化によって作り出し、立体観察を可能成らしめるステレオ法などがあるが、いずれも複数枚の画像を得るには画像枚数回の画像取得作業を必要としており、時間分解能が低く、動的観察、実時間観察には至っていない。
【解決手段】照射光学系中に第１の電子線バイプリズムを設置し、角度の異なる２つの電子線を試料の観察領域に同時に照射する。この同時に試料を透過した２つの電子線を結像光学系に配置した第２の電子線バイプリズムにより空間的に分離して結像させ、照射角度の異なる２つの電子顕微鏡像を得る。この２つの画像を検出手段で取得しこれを元に試料の立体像や異なる情報を有する２つの像を生成し、表示装置に表示する。 （もっと読む）

【課題】 多量の反応ガスを流しながらＸ線回折で試料（亜鉛フェライト脱硫剤）の反応過程（炭素析出）をその場で観察する。
【解決手段】 試料を流通する前と流通した後の反応ガスの組成が変化しない状態に試料２１を保持する微分反応評価試料保持部１５を備え、検証条件を保持した状態でＸ線回折装置（Ｘ線発生手段２５、二次元Ｘ線検出手段２６）により試料２１の組成の形態変化をその場で直接解析し、炭素の析出が生じる過程での形態変化を検証する。 （もっと読む）

【課題】一般的なＸ線源を用いて、高精度なＸＡＦＳ測定を行う。
【解決手段】Ｘ線源２は、少なくとも所定のエネルギ帯域の成分を含むＸ線を放射する。集光素子３は、Ｘ線源２から放射されたＸ線を集光する。試料台４は、集光素子３によるＸ線の集光位置Ｆに対して、サンプル１０を進入退避可能に載置する。分光結晶５は、集光位置Ｆから発散するＸ線を斜入射することにより、そのＸ線を分光する。検出装置６は、分光結晶５により分光されたＸ線の強度分布を検出する。演算装置７は、検出装置６によって検出された強度分布に基づいて、サンプル１０のＸ線吸収スペクトルを演算により求める。 （もっと読む）

【課題】黒鉛粒が分散した金属組織と破断との具体的な関連付けが可能で、検査に手間がかからないダクタイル鋳鉄の組織評価方法を提供することである。
【解決手段】検査面を引張試験における引張試験片１の破断面１ａとすることにより、黒鉛粒が分散した金属組織と破断との具体的な関連付けができるようにするとともに、検査面の研磨等を不要として、検査に手間がかからないようにした。 （もっと読む）

【課題】材料の二次電子放出特性についての正確な評価を容易に行うことが可能な評価方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気中に設置された材料にイオンビームを照射した際に発生する二次電子スペクトルを用いた材料の評価方法であって、被測定試料および基準試料のそれぞれにイオンビームを照射することにより放出される二次電子を測定することにより得られた各電子スペクトルに基づき、電子スペクトルの各々を所定の二次電子エネルギーの範囲で積分して、被測定試料積分強度および基準試料積分強度を測定する積分強度測定工程と、被測定試料積分強度の基準試料積分強度に対する相対比を求める積分強度相対比算出工程と、相対比により被測定試料における二次電子放出性能を評価する評価工程とを有している材料の評価方法。 （もっと読む）

【課題】放射線の線量を少なくでき、簡易な方法でかつ従来と同様な精度の腐食調査が可能な腐食画像を得る方法及び装置を得る。
【解決手段】本発明に係る腐食画像取得方法は、放射線を被検査体に照射して前記被検査体を透過した放射線に基づいて前記被検査体の腐食状態を示す腐食画像を取得する腐食画像取得方法であって、前記被検査体を透過した放射線を検出する検出手段としてフォトンカウンティングセンサを用い、フォトンカウンティングセンサで得られた結果に基づいて腐食画像を形成するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料にイオンビームを照射した際に生じる二次電子の総量のみならず、二次電子の詳細なエネルギー情報をも正確に得て、電子スペクトルとして検出することができ、試料の二次電子放出特性を正確に把握することが可能となる電子スペクトルの測定方法および測定装置を提供する。
【解決手段】被測定試料の表面状態を実質的に変化させないイオンビーム照射条件を選定する照射条件選定工程と、照射条件選定工程で選定されたイオンビーム照射条件に基づいて被測定試料にイオンビームを照射する照射工程と、イオンビームの照射により被測定試料から放出された二次電子スペクトルを、イオンビームの照射軸と異なる方向に設置された同軸円筒鏡型エネルギー分析器を用いて測定する測定工程とを有している電子スペクトルの測定方法およびそれに用いる測定装置。 （もっと読む）

本発明は、特に低分子有機物質、例えば、薬物または薬物製品を特徴づける（キャラクタリゼーションする）方法を提供する。この方法は、固体低分子有機物質を短波長でのＸ線全散乱分析にかけるステップと、それによって生成されたデータを収集するステップと、データを数学的に変換し、洗練されたセットのデータを提供するステップとを含む。
（もっと読む）

【課題】Ｘ線反射率法を用いて積層体の層構造を正確に解析することのできる方法、装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】このＸ線反射率法を用いた積層体の層構造解析方法は、例えば多層膜である試料にＸ線源からＸ線を照射する照射工程と、該試料から反射されるＸ線を検出器で検出する検出工程と、この検出されたＸ線の前記照射されたＸ線に対する割合であるＸ線反射率を測定器で測定する測定工程と、解析器で、前記試料に表面粗さ又は界面粗さがある場合において該試料の表面又は界面において該表面又は界面の凹凸により鏡面反射方向以外の方向にＸ線が散乱する、散漫散乱に伴う該表面又は界面での反射Ｘ線と透過Ｘ線の干渉成分の減少を加味して、前記測定されたＸ線反射率を解析する解析工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】反射型小角散乱や回折がなされたＸ線強度を高分解能で測定でき、試料表面の微細構造を簡便に、かつ正確に計測することができるＸ線散乱測定装置およびＸ線散乱測定方法を提供する。
【解決手段】試料表面上の微細構造の計測に適したＸ線散乱測定装置１００であって、Ｘ線を発生させるＸ線源１４０と、発生したＸ線を連続して反射する第１のミラーおよび第２のミラーと、反射されたＸ線が照射される試料Ｓを支持する試料台１１０と、試料表面で散乱したＸ線を検出する２次元検出器１７０と、を備え、第１のミラーは、発生したＸ線を、試料表面に平行な面内で２次元検出器１７０上に集光し、第２のミラーは、第１のミラーで反射されたＸ線を、試料表面上に垂直な面内で試料表面に集光する。 （もっと読む）

【課題】微小領域の硬さ分布を非接触で求める。
【解決手段】１５ｎｍ〜１μｍ間隔で測定された立方晶金属の結晶方位分布より得た回転テンソル群より格子歪を決定し、前記格子歪より格子歪勾配に基づいて転位密度を求め、前記転位密度に基づいて硬さ分布を求める。 （もっと読む）

【課題】試料に導電膜を形成することなく試料の帯電を抑制して、適性に試料の観察や分析を行うことができる試料の分析方法を提供する。
【解決手段】放射線の照射に伴って試料から発せられる電子を分析する試料の分析方法である。試料に中性原子線又はイオン線を照射する過程と、中性原子線又はイオン線の照射後に、試料に対して放射線を照射し、試料からの電子を分析する過程とを含む。この分析方法によれば、導電膜を試料の観察面にコーティングしなくても、試料の帯電に伴う異常な分析結果の発生を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子線回折像を用いて、微小な結晶粒の結晶方位解析を可能にし、また、解析を自動化することにより、多点の結晶方位を迅速に解析することを目的とする。
【解決手段】本発明は、電子線を試料に照射して透過電子を検出する透過電子顕微鏡において、前記透過電子顕微鏡は、前記試料の電子線回折像を撮像する電子線回折像撮像部と、前記試料の組成情報を取得する検出部と、前記電子線回折像から格子面間隔の情報を取得する解析部と、前記取得された組成情報と前記格子面間隔の情報から試料の同定を行う物質同定部と、前記同定された試料の情報から、前記試料の回折像を演算する演算部と、を有し、当該演算された回折像と前記電子線回折像とのずれ量に基づいて、前記試料の結晶方向を特定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料の表面に傷などの影響を与えずに帯電を緩和させ、その表面分析を行えるようにする。
【解決手段】表面分析方法は、非導電性マトリクスに導電性フィラーを含有させた未固化の導電性試料固定材１２を層状に設け、その上に試料１３を、その少なくとも一部分が埋没し且つ表面の一部分が露出するようにセットした後、導電性試料固定材１２を固化させて試料１３を固定し、導電性試料固定材１２に固定した試料１３の露出した表面に分析ビームを照射して表面分析するものである。 （もっと読む）

【課題】ロッキングカーブ解析によるＸ線回折による分析において、専門家やＸ線分析の熟練者でなくとも、測定から解析まで一貫して簡単な操作により、薄膜の膜厚や組成を解析できるようにする。
【解決手段】Ｘ線回折測定装置で測定された測定データを、Ｘ線回折分析装置から、ロッキングカーブ解析装置に転送する。そして、ユーザは、ロッキングカーブ解析装置に、膜構造のパラメタを入力する。入力させたパラメタを初期値として含むある範囲の中から、測定データと計算データのロッキングカーブの乖離が少ないパラメタを、パラレルテンパリング法によって探索して、最適パラメータとして求め、その後に、精密化として、最小二乗法によって、さらに、測定データと計算データのロッキングカーブの乖離が少ないパラメタを、試料構造のパラメタとして求める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放射線被曝を受ける側の材料におけるアルファ線の影響範囲に相当する飛程と放射線被曝を受ける側の材料から放出されるアルファ線の強度とを同時に測定できるアルファ線測定装置を提供し、また、異なる厚みの試料を透過するアルファ線の強度を容易に測定できるアルファ線測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明のアルファ線測定装置は、アルファ線源から照射されたアルファ線が照射される方向に試料を設け、試料を透過したアルファ線が通過する位置に透過したアルファ線を検出する放射線検出器を設ける構成とし、また、本願発明のアルファ線測定方法は、一方から他方へ変化している厚みを有する試料へアルファ線を照射しながら、アルファ線の照射を試料の一方から他方へ走査して試料を透過するアルファ線の強度を検出する方法とした。 （もっと読む）